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[发明专利]片上变压器-CN201711472180.3在审
发明人：陈郑;王磊;胡雪青;周立国;颜峻;石寅 -专利权人：苏州威发半导体有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种片上变压器，包括具有两个初级连接端的初级线圈、具有两个次级连接端的次级线圈，片上变压器包括由上至下依次设置的第一层、第二层、第三层和第四层；初级线圈设置于第二层中，次级线圈设置于第三层中，
初级线圈次级线圈抽头电感片上变压器参数偏差次级连接第三层第一层电阻平衡电路供电器件性能依次设置连接端电源配备

[发明专利]一种用于跨地传输信号的系统-CN201810288679.7在审
发明人：曾敬源 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H04B3/02 文献下载
摘要：本发明属于信号传输技术领域，公开了一种用于跨地传输信号的系统，包括一组电路系统，相邻电路系统通过片上变压器组分离；片上变压器组包括1个以上的片上变压器；相邻电路系统通过片上变压器通信连接；一组电路系统包括1对以上配合使用的信号发送电路及信号接收短路；信号发送电路包括脉冲产生电路、调制器及振荡器；电平信号通过片上变压器组传送到信号接收电路中。本发明采用多电平对原多路数据信号进行处理并通过片上变压器传输，使得数据传输的速率在匹配片上变压器的同时，成指数级提升，其提升倍数与电平位数有关。同时，片上变压器的抗电磁干扰性能较传统的差分走线强。且片上变压器利用率较传统的未经调制的数字隔离器强。
片上变压器信号发送电路传输信号电路系统相邻电路传统的抗电磁干扰性能多路数据信号脉冲产生电路信号传输技术信号接收电路数字隔离器电平位数电平信号数据传输通信连接信号接收调制器多电平匹配片振荡器短路变压器调制走线传输

[发明专利]基于片上变压器的边缘组合式数字倍频器-CN201610268275.2有效
发明人：黄果池 -专利权人：加驰（厦门）微电子股份有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：基于片上变压器的边缘组合式数字倍频器，涉及数字倍频器。设有第一、第二边缘组合器和基于片上变压器的双极点负载网络；第一和第二边缘组合器的输入信号均由2n个相位差为360°/2n的信号组成，第一边缘组合器输出端连接片上变压器的初级线圈一端和输入电容的上极板，第二边缘组合器输出端连接片上变压器的初级线圈另一端和输入电容下极板，片上变压器的初级线圈中间节点接第一和第二边缘组合器的供电电压或整个基于片上变压器的边缘组合式数字倍频器的供电电压；片上变压器的次级线圈一端连接输出电容的上极板作为输出信号的正极，片上变压器的次级线圈另一端连接输出电容的下极板作为输出信号的负极；片上变压器的次级线圈中间节点接地。
基于变压器边缘组合式数字倍频器

[实用新型]一种基于片上变压器的边缘组合式数字倍频器-CN201620364588.3有效
发明人：黄果池 -专利权人：加驰（厦门）微电子技术有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：一种基于片上变压器的边缘组合式数字倍频器，涉及数字倍频器。设有第一、第二边缘组合器和基于片上变压器的双极点负载网络；第一、二边缘组合器的输入信号均由2n个相位差为360°/2n的信号组成，第一边缘组合器输出端连接片上变压器的初级线圈一端和输入电容上极板，第二边缘组合器输出端连接片上变压器的初级线圈另一端和输入电容下极板，片上变压器的初级线圈中间节点接第一和第二边缘组合器的供电电压或整个基于片上变压器的边缘组合式数字倍频器的供电电压；片上变压器的次级线圈一端连接输出电容的上极板作为输出信号的正极，片上变压器的次级线圈另一端连接输出电容的下极板作为输出信号的负极；片上变压器的次级线圈中间节点接地。
一种基于变压器边缘组合式数字倍频器

[发明专利]一种基于片上变压器的宽带数控振荡器-CN202210004009.4在审
发明人：廖怀林;宿小磊;刘军华 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于片上变压器的宽带数控振荡器，属于集成电路技术领域。该宽带数控振荡器包括片上变压器、粗调开关电容、细调开关电容、数模转换器、压控变容管和交叉耦合晶体管，所述片上变压器包括第一级线圈和第二级线圈，所述细调开关电容和交叉耦合晶体管的输出端、片上变压器的第一级线圈的输出以及片上变压器的第二级线圈的输出相连，所述粗调开关电容和片上变压器的第二级线圈的输入端相连，所述数模转换器和压控变容管的一端相连，所述压控变容管和交叉耦合晶体管的输出端以及片上变压器的第一级线圈的输出相连。本发明通过引入片上变压器，增加DCO的输出频率对单位电容变化的变化率，可以获得更大的带宽，有助于降低流片的成本。
一种基于变压器宽带数控振荡器

[发明专利]片上变压器的衬底涡流的射频模型方法-CN201210385566.1有效
发明人：黄景丰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上变压器的衬底涡流的射频模型方法，片上变压器任意一个金属螺旋线圈段对应的衬底涡流等效电路包括多级由衬底电阻和衬底电感串联组成的结构的并联结构，该并联结构能够准确模拟出各金属螺旋线圈段在衬底中产生的涡流损耗；在各级衬底电感和所对应的金属螺旋线圈段之间设置有互感，能够准确的模拟出衬底涡流对片上电压器的反作用能够使片上变压器在反相和正相工作方式的品质因素都能保持较高精度，能够提高片上变压器的衬底涡流效应的模拟精度，有利于提高片上变压器的设计效率和质量，同时降低设计成本。
变压器衬底涡流射频模型方法

[发明专利]一种新型衬底屏蔽层的片上变压器结构-CN201110441941.5无效
发明人：文进才;孙玲玲;章南;苏国东 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型衬底屏蔽层的片上变压器结构。本发明包括片上变压器，在片上变压器的正下方设置有多层衬底屏蔽层；所述的衬底屏蔽层由矩形金属条和多根形状相同的金属栅条组成，所述的金属栅条与矩形金属条垂直设置，金属栅条之间等间距平行设置。本发明的新型衬底屏蔽层的片上变压器结构能实现更好的衬底隔离，减小衬底损耗，并且通过多个衬底屏蔽层能实现电容功能。
一种新型衬底屏蔽变压器结构

[实用新型]新型衬底屏蔽层的片上变压器结构-CN201120551617.4有效
发明人：文进才;孙玲玲;章南;苏国东 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型衬底屏蔽层的片上变压器结构。本实用新型包括片上变压器，在片上变压器的正下方设置有多层衬底屏蔽层；所述的衬底屏蔽层由矩形金属条和多根形状相同的金属栅条组成，所述的金属栅条与矩形金属条垂直设置，金属栅条之间等间距平行设置。本实用新型的新型衬底屏蔽层的片上变压器结构能实现更好的衬底隔离，减小衬底损耗，并且通过多个衬底屏蔽层能实现电容功能。
新型衬底屏蔽变压器结构

[发明专利]一种一体化柱上变压器以及一体化柱上变压系统-CN201710823462.7有效
发明人：省同良 -专利权人：河南省三禾电气有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01F27/14 文献下载
摘要：本发明提供一种一体化柱上变压器以及一体化柱上变压系统，涉及变压器领域，一体化柱上变压系统包括安装平台和一体化柱上变压器，一体化柱上变压器包括油箱、变压器本体、辅助散热装置、高压套管、低压套管以及温度监控装置，辅助散热装置包括多个散热组件以及多个传热导片，多个传热导片绕设在油箱的外周面，多个散热组件一一对应地与多个传热导片固定连接，每个散热组件具有每个传热导片的一端伸入油箱并与导热介质接触，另一端与对应的散热组件固定连接相较于现有技术，本发明提供的一种一体化柱上变压器，具有良好的散热效果，同时能够对内部温度进行实时监控。
一种一体化变压器以及变压系统

[发明专利]一种新型宽带太赫兹CMOS低噪声放大器-CN202110554587.0在审
发明人：陈波;李路;周春元;罗俊;高伟 -专利权人：珠海微度芯创科技有限责任公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明包括偏置器、片上变压器、T型电感结构的等效低耦合系数的变压器、运算放大器；所述偏置器用于进行馈电，作为放大器电路的输入端进行供电；所述片上变压器用于提高增益、增大调谐范围及降低功耗；所述T型电感结构的等效低耦合系数的变压器其功能等效于片上变压器，用于进一步降低匹配网络的插损，提高电路增益；所述运算放大器用于进行阻抗变换；所述偏置器与运算放大器相连接；所述片上变压器与运算放大器相连接；所述运算放大器与T型电感结构的等效低耦合系数的变压器相连接。
一种新型宽带赫兹 cmos 低噪声放大器

[发明专利]一种基于IC载板的片上功率变压器-CN202310631742.3在审
发明人：杨佳音;陈雷;张龙;李虎明;周博远;金萧 -专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01F27/34 文献下载
摘要：本发明属于隔离器芯片领域，具体涉及了一种基于IC载板的片上功率变压器，旨在解决基于硅工艺的片上变压器制备时线条纵向尺寸限制问题、基于硅工艺的片上变压器中的涡流效应的问题以及现有片上DC‑DC隔离电源大电流输出限制的问题本发明包括：至少一对变压器线圈和至少一个隔离介质；所述变压器线圈包括原边线圈、副边线圈，所述原边线圈与所述副边线圈相互层叠设置；所述隔离介质配置在所述原边线圈和所述副边线圈之间。本发明提高片上变压器输出电流能力。同时所述原边线圈与所述副边线圈的对应第一金属线匝和所述第二金属线匝的线条交错排列，能够减小片上变压器寄生电容，提升品质因数。
一种基于 ic 功率变压器

[发明专利]基于片上变压器的数控无源微波/毫米波带通滤波器-CN202010329123.5在审
发明人：黄果池 -专利权人：黄果池
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明为一种基于片上变压器的数控无源微波/毫米波带通滤波器，它包括变压器，为基于半导体工艺的片上变压器，原边数控电容阵列，与片上变压器的原边节点连接构成原边LC振荡器，副边数控电容阵列，与片上变压器的副边节点连接构成副边LC振荡器；原边LC振荡器以及副边LC振荡器的振荡频率随着原边数控电容阵列或副边数控电容阵列的等效电容值的变化而变化。它采用双LC振荡器结构，通过编程改变两个LC振荡器的振荡频率，从而改变滤波器的通带频率，具有滤波性能好，集成度高等特点，适用于半导体集成电路设计。
基于变压器数控无源微波毫米波带通滤波器

[发明专利]基于N路变压器的无源低噪声放大器-CN202310243527.6在审
发明人：刘晓鸣;李旻璟;金晶 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：一种基于N路变压器的无源低噪声放大器，包括：一个由至少四路开关电容并联组成的片上变压器以及两个放大器反馈回路，其中：片上变压器的正输入端和负输出端分别与第一放大器反馈回路相连，负输入端和正输出端分别与第二放大器反馈回路相连，利用开关电容对电压进行堆叠，实现无源电压增益；第一放大器反馈回路的电容端和开关端分别与片上变压器的正输入端与负输出端相连，第二放大器反馈回路的电容端和开关端分别与片上变压器的负输入端与正输出端相连，利用多路电容实现中心频率可调以及高品质的滤波本发明通过差分结构的全基于开关电容的N路片上变压器，大幅减小无源低噪声放大器的芯片面积的同时，具有更好的兼容性与集成能力。
基于变压器无源低噪声放大器

[发明专利]片上变压器、其版图结构、发射电路及收发电路-CN201410136620.8有效
发明人：付健;周李 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种片上变压器、其版图结构、发射电路及收发电路，其中，所述片上变压器包括：初级线圈及次级线圈，所述初级线圈和次级线圈上对应设有多个抽头组，每个抽头组包括两个抽头。通过初级线圈和次级线圈上对应设有多个抽头组，每个抽头组包括两个抽头，由此在多协议或者多频带的通讯系统中，便可由一个变压器实现原来需要相应设置多个变压器来进行上述阻抗匹配及差分‑‑单端信号的转换，从而减少所需片上变压器的数量
变压器版图结构发射电路收发

[发明专利]片上基于变压器的传输零点可调滤波器-CN202010425274.0在审
发明人：黄同德;王奕;吴文 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上基于变压器的传输零点可调滤波器，包括第一、二片上变压器、片上电感、偏置电路、第一至三电容，第五至七电容、MOS变容管；第一片上变压器的第一端口作为滤波器的输入端，第二、三端口分别通过第一、三电容接地，第二、三端口之间跨接第二电容，第四端口连接片上电感的第一端口和第二片上变压器的第一端口；片上电感的第二端口连接偏置电路的第一端口，第二端口连接MOS变容管的正极，MOS变容管负极接地；第二片上变压器的第二、三端口分别通过第五、七电容接地，第二、三端口之间跨接第六电容，第四端口作为滤波器的输出端。
基于变压器传输零点可调滤波器

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