专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多适应性可切换片上低噪声放大器及工作方法-CN201911202974.7有效
  • 邢建平;卢家付;孙培嘉 - 山东大学
  • 2019-11-29 - 2023-07-11 - H03F3/45
  • 本发明涉及多适应性可切换片上低噪声放大器及工作方法,该多适应性可切换片上低噪声放大器包括简并电感型共放大电路、模拟开关、输出阻抗匹配网络、第一LC谐振网络和差分输出电路;模拟开关包括第一模拟开关、第二模拟开关和第三模拟开关;简并电感型共放大电路通过第一模拟开关与输出阻抗匹配网络相连接;简并电感型共放大电路通过第二模拟开关与第一LC谐振网络相连接;简并电感型共放大电路通过第二模拟开关、第三模拟开关与差分输出电路相连接
  • 适应性切换低噪声放大器工作方法
  • [发明专利]一种增益可调的低噪声放大器电路-CN201210595916.7无效
  • 郄利波;李罗生 - 北京中电华大电子设计有限责任公司
  • 2012-12-28 - 2014-07-09 - H03F1/26
  • 电路包括简并电感型全差分共共栅放大级,在电路负载端插入可控制的PMOS管控制负载变化从而实现增益的可调整,电路的信号输出端采用调谐电容阵列对输出信号进行微调保证电路各个增益模式下的输出能优化在2.4~2.5GHz的有用频率范围内,电路的简并电感和负载电感都采用差分的方式以提高对称性减小电路面积,在输入晶体管的栅之间插入电容增加设计的灵活性,实现噪声和阻抗匹配的同时优化。本发明结构简单,具有很低的噪声系数和高线性度,面积小,输入动态范围宽,能很好满足WLAN接收机系统的要求。
  • 一种增益可调低噪声放大器电路
  • [发明专利]无散斑白光激光器-CN202211473258.4在审
  • 张国文;昌成成;张笑琪;张艳丽;朱健强 - 中国科学院上海光学精密机械研究所
  • 2022-11-21 - 2023-04-04 - H01S3/06
  • 本发明涉及一种无散斑白光激光器,包括泵浦、第一简并腔、第二简并腔、第一激光晶体和第二激光晶体;泵浦为蓝光半导体激光器;第一简并腔包括激光输入镜、第一成像透镜、分光镜和第一波前调制器;第二简并腔包括激光输出镜、分光镜、第二成像透镜和第二波前调制器;泵浦分别注入第一简并腔和第二简并腔,在第一简并腔内泵浦第一激光晶体产生红光,在第二简并腔内泵浦第二激光晶体产生绿光;第一简并腔内产生的红光、第二简并腔内产生的绿光和泵浦未参与频率转换的部分蓝光共同合成白光
  • 斑白激光器
  • [发明专利]一种短路耐量高的碳化硅器件及其制备方法-CN202310287239.0在审
  • 刘涛;黄汇钦 - 天狼芯半导体(成都)有限公司
  • 2023-03-22 - 2023-08-15 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种短路耐量高的碳化硅器件及其制备方法,短路耐量高的碳化硅器件包括衬底层、漂移层、基极层、极区域、接触区域、沟槽、栅极氧化层、绝缘膜层、栅极电极、极电极和漏极电极,衬底层、漂移层、极区域由碳化硅掺杂第一导电类型杂质形成,基极层和接触区域由碳化硅掺杂第二导电类型杂质形成,在极区域内形成简并半导体,碳化硅掺杂第一导电类型杂质形成,杂质的掺杂浓度高于极区域,简并半导体的电阻率与温度呈正相关。在传统的碳化硅器件的基础上,在极区域插入简并半导体,由于简并半导体的电阻率与温度呈正相关,当器件发生短路时,温度升高使得简并半导体电阻增大,从而减小了短路时的电流,能有效防止器件损坏。
  • 一种短路耐量高碳化硅器件及其制备方法
  • [发明专利]一种接收机前端电路-CN201611131101.8在审
  • 宋树祥;陈新菡;蒋品群;蔡超波 - 广西师范大学
  • 2016-12-09 - 2017-03-22 - H04B1/16
  • 本发明涉及一种接收机前端电路,包括全差分低噪声跨导放大级模块、25%占空比的开关混频级模块和跨阻放大级模块;所述全差分低噪声跨导放大级模块,采用简并电感电路结构,与外部输入设备连接,接入射频电压,将射频电压转化为射频电流;所述开关混频级模块,与全差分低噪声跨导放大级模块连接,接入本振信号,对射频电流进行无混频和滤波,输出中频电流;所述跨阻放大级模块,与开关混频级模块连接,通过增益自举和PMOS相对现有技术,本发明结构简单,转换增益高,线性度好,端口隔离度好,低噪声,高速度。
  • 一种接收机前端电路
  • [发明专利]低功耗电流、电流电路、芯片及具有其的电子设备-CN202310904194.7在审
  • 伍滔 - 深圳市思远半导体有限公司
  • 2023-07-24 - 2023-08-22 - H02M1/00
  • 本发明提供一种低功耗电流、电流电路、芯片及具有其的电子设备,包括:P管电流镜,其电源输入端连接至电源,P管电流镜用于被镜像引出电源,以向外提供电源;N管电流镜,连接在P管电流镜和地之间,N管电流镜与P管电流镜构成电流简并点切换模块,连接在P管电流镜的偏置节点和地之间,简并点切换模块在电流的稳定输出电源之前,保持常通状态,当P管电流镜接入电源时,P管电流镜的偏置节点流出的电流经由简并点切换模块流通,当P管电流镜的偏置节点流出的电流超过阈值时,简并点切换模块断开,以使电流电流零点的稳定状态切换到电源稳定输出的稳定状态。减小电流电路的启动功耗并节约电阻的面积。
  • 功耗电流电路芯片具有电子设备
  • [发明专利]一种带隙自偏置的宽高频低噪声放大器-CN201610045158.X有效
  • 李振荣;庄奕琪;井凯;曾其发 - 西安电子科技大学
  • 2016-01-22 - 2018-10-26 - H03F1/26
  • 本发明公开了一种带隙自偏置的宽高频低噪声放大器,旨在解决现有技术低噪声放大器简并结构的电流失配问题、以及避免直流偏置的不理想带来的影响。该带隙自偏置的宽高频低噪声放大器,包括低噪声放大电路和带隙基准电路,其中带隙基准电路的电流量受控于数控单元,带隙基准电路输出的电流经过镜像成倍放大作为低噪声放大电路的偏置电流;低噪声放大电路采用共共栅结构,信号从In端口输入经片内电感L1接至晶体管Q8的基极,在In端口与电感L1之间的结点引出支路串联电容C4接地;信号在晶体管Q8经过电压‑电流反馈,在晶体管Q9的集电极输出端得到放大,并通过缓冲单元Buf
  • 一种偏置高频低噪声放大器
  • [发明专利]micro-LED原位驱动单元制作方法及micro-LED器件-CN202111597150.1有效
  • 潘安练;李晟曼;王一喆 - 湖南大学
  • 2021-12-24 - 2023-01-03 - H01L27/15
  • 本申请涉及一种micro‑LED原位驱动单元制作方法及micro‑LED器件,该方法包括:获取位于衬底的micro‑LED阵列;在micro‑LED单元制备非简并态氧化物半导体并进行刻蚀,在刻蚀后的非简并态氧化物半导体制备顶栅介质层;对顶栅介质层进行互连和漏电极区开窗,在开窗得到的互连和漏电极区沉积简并态氧化物半导体实现与micro‑LED单元互连;在顶栅介质层积淀简并态氧化物半导体形成顶栅电极,得到与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元。在micro‑LED单元上制备形成与micro‑LED单元串联的MOS结构原位驱动单元,实现了micro‑LED器件的原位驱动功能,相比于传统的将micro‑LED发光单元与驱动电路分开制备然后集成的工艺路线
  • microled原位驱动单元制作方法器件
  • [发明专利]一种线性稳压装置-CN201710060527.7有效
  • 王晗 - 武汉矽磊电子科技有限公司
  • 2017-01-25 - 2018-03-13 - G05F1/56
  • 本发明涉及一种线性稳压装置,包括依次连接的电池、线性稳压器和基准电压,以及与线性稳压器和基准电压连接的简并态检测电路;线性稳压器用于给基准电压提供电源,基准电压用于给线性稳压器提供所需的参考电压简并态检测电路用于检测基准电压的工作状态并根据工作状态控制线性稳压器的工作状态,基准电压的工作状态包括简并态和正常态。
  • 一种线性稳压装置

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