专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]计算机硬盘基片抛光后用的清洗组合-CN201010613494.2有效
  • 雷红 - 上海大学
  • 2010-12-30 - 2011-04-13 - C23G1/00
  • 本发明涉及一种计算机硬盘抛光后用的清洗组合,其特征在于该清洗含有ZETA电位调节剂;该清洗组合具有以下的组成成分及其重量百分含量:表面活性剂5~15%,ZETA电位调节剂2~8%,缓蚀剂0.2~1.5%,碱性氢氧化钠或氨水0.2~2%,余量为去离子水;本发明的清洗组合适合用作计算机硬盘基片化学机械抛光后表面的超精密清洗液;可提高基片的表面平整性和清洁度。
  • 计算机硬盘抛光洗剂组合
  • [发明专利]清洗方法-CN202080045592.2在审
  • 山田晃平 - 花王株式会社
  • 2020-06-24 - 2022-02-01 - G03F7/42
  • 本发明在一个方式中提供一种能够降低对基板的影响,且树脂掩膜去除性优异的清洗方法。本发明在一个方式中涉及一种清洗方法,其包含使用清洗组合从附着有树脂掩膜的被清洗剥离树脂掩膜的工序,上述清洗组合含有碱剂(成分A)、有机溶剂(成分B)、螯合剂(成分C)及水(成分D),成分B是选自二醇醚及芳香族酮中的至少一种溶剂,成分C是具有2个以上的选自羧基及膦酸基中的至少一种酸基的化合,上述清洗组合在使用时的成分B的含量为1质量%以上且12质量%以下,上述清洗组合在使用时的成分D的含量为65质量%以上且95质量%以下,被清洗经过了进行如下处理的工序,该处理为使用了树脂掩膜的焊接及镀覆处理中的至少一种处理。
  • 清洗方法
  • [发明专利]一种光刻胶清洗组合-CN200910247662.8无效
  • 王淑敏;肖正龙;俞昌 - 安集微电子(上海)有限公司
  • 2009-12-30 - 2011-07-06 - G03F7/42
  • 本发明公开了一种光刻胶清洗组合。这种光刻胶清洗组合包含季铵氢氧化,水,烷基二醇芳基醚,二甲基亚砜,缓蚀剂以及表面活性剂。这种光刻胶清洗组合可以除去金属、金属合金或电介质基材上的厚度为20μm以上的光刻胶(尤其是厚膜负性光刻胶)和其它刻蚀残留,同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料的腐蚀性较低,在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景
  • 一种光刻洗剂组合
  • [发明专利]一种光刻胶清洗组合-CN200910247659.6无效
  • 王淑敏;俞昌;肖正龙 - 安集微电子(上海)有限公司
  • 2009-12-30 - 2011-07-06 - G03F7/42
  • 本发明公开了一种光刻胶清洗组合。这种光刻胶清洗组合包含季铵氢氧化,水,烷基二醇芳基醚,二甲基亚砜,缓蚀剂以及表面活性剂。这种光刻胶清洗组合可以除去金属、金属合金或电介质基材上的厚度为20μm以上的光刻胶(尤其是厚膜负性光刻胶)和其它刻蚀残留,同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料的腐蚀性较低,在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景
  • 一种光刻洗剂组合
  • [发明专利]一种光刻胶清洗组合-CN200810203714.7无效
  • 史永涛;彭洪修;曹惠英 - 安集微电子(上海)有限公司
  • 2008-11-28 - 2010-06-23 - G03F7/42
  • 本发明公开了一种光刻胶清洗组合。这种光刻胶清洗组合包含季铵氢氧化、水、烷基二醇碳原子数目为3~18的烷基二醇芳基醚、二甲基亚砜和至少一种选自柠檬酸、柠檬酸酯和柠檬酸盐的缓蚀剂。这种光刻胶清洗组合可进一步包含极性有机共溶剂、表面活性剂和/或其它缓蚀剂。这种光刻胶清洗组合可以除去金属、金属合金或电介质基材上的厚度为20μm以上的光刻胶(尤其是厚膜负性光刻胶)和其它刻蚀残留,同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料的腐蚀性较低,在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景
  • 一种光刻洗剂组合
  • [发明专利]一种光刻胶清洗组合-CN200810203715.1无效
  • 史永涛;彭洪修;曹惠英 - 安集微电子(上海)有限公司
  • 2008-11-28 - 2010-06-23 - G03F7/42
  • 本发明公开了一种光刻胶清洗组合。这种光刻胶清洗组合包含季铵氢氧化、水、烷基二醇碳原子数目为3~18的烷基二醇芳基醚、二甲基亚砜和至少一种选自硼酸、硼酸盐和硼酸酯的缓蚀剂。这种光刻胶清洗组合可进一步包含极性有机共溶剂、表面活性剂和/或其它缓蚀剂。这种光刻胶清洗组合可以除去金属、金属合金或电介质等基材上的厚度为20μm以上的光刻胶(尤其是厚膜负性光刻胶)和其它刻蚀残留,同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料的腐蚀性较低,在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景
  • 一种光刻洗剂组合

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