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[发明专利]半导体器件、堆叠式复合沟槽结构的制作方法-CN202310205693.7有效
发明人：于绍欣 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件、堆叠式复合沟槽结构的制作方法。上述堆叠式复合沟槽结构的制作方法将堆叠式复合沟槽结构按照多级沟槽结构逐级进行制作，在第一级沟槽结构制作时，先在基底上制作沟槽，在沟槽中填充形成半导体层，随后各级沟槽结构制作时，先在前一级的沟槽结构的基础上生外延层，再在外延层上制作露出前一级的半导体层的沟槽，并且，前后两级中沟槽的宽度不同，然后在沟槽中填充形成半导体层，如此逐级形成堆叠的宽度变化的半导体层。上述制作方法能够通过常规工艺的组合制作得到堆叠式复合沟槽结构，工艺流程简单，材料选择范围更广。
半导体器件堆叠复合沟槽结构制作方法

[发明专利]一种新型平板热管及其制造方法-CN201710567858.X在审
发明人：李成彬;魏昕;谢小柱;胡伟;杨旸 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种凸型沟槽式平板热管及其制造方法，凸型沟槽式热管注入蒸馏水作为工作液体；所述凸型沟槽式平板热管由上下两块铜基板、中间铜金属边框组成；所述凸型沟槽式平板热管的一端为蒸发段、另一端为冷凝段；所述凸型沟槽式平板热管上、下铜基板表面沿轴向均刻有沟槽结构；所述沟槽式平板热管沟槽结构为凸型沟槽结构，凸型沟槽结构一方面是作为工作液体回流的通道，另一方面可以提高热管的传热性能；本发明还公开了凸型沟槽式热管制造方法，包括步骤(1)采用激光加工工艺在铜基板上加工沟槽结构；(2)清洗铜基板、往焊接好的铜基板整体结构内灌注工作液体、抽真空并封闭注液口，制备出具有凸型沟槽式平板热管。本发明所述的凸型沟槽式平板热管，凸型沟槽式结构提供毛细压力，增大工作液体蒸发表面积，从而进一步提高热管的传热性能；本发明所述的凸型沟槽式平板热管具有小型化、灵活性等许多优点，适用于大多数高热流密度的电子元器件冷却要求
一种新型平板热管及其制造方法

[发明专利]埋入式栅极结构及其制作方法-CN201910964559.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种埋入式栅极结构及其制作方法。埋入式栅极的制作方法包括：提供具有浅沟槽隔离结构和平行交错设置的多个有源区的半导体衬底；形成并图案化硬掩膜层，形成穿过浅沟槽隔离结构的栅极沟槽图案；以硬掩膜层为掩膜，采用脉冲式偏压功率输出模式对半导体衬底进行刻蚀，形成延伸穿过多个有源区和浅沟槽隔离结构的栅极沟槽，栅极沟槽在多个浅沟槽隔离结构内的深度的差值小于预设值。本发明基于脉冲式偏压功率输出模式形成栅极沟槽时，增大了刻蚀产物的排出时间，以使较窄的浅沟槽隔离结构中的刻蚀产物能够及时排出，进而减小栅极沟槽在多个浅沟槽隔离结构内的深度的差值，进而增大栅极电流。
埋入栅极结构及其制作方法

[发明专利]沟槽式肖特基的终端结构及沟槽式肖特基-CN201710669349.8在审
发明人：王万礼;王彦君;孙晨光;徐长坡;刘晓芳;董子旭;刘闯;张晋英;刘文彬;李子科;杜晓辉;张建;赵晓丽;乔智;印小松;张新玲;张俊芳 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供沟槽式肖特基终端结构及沟槽式肖特基，沟槽式肖特基终端结构包括外延层，形成于外延层的表层中的沟槽、填充在沟槽中的多晶硅、形成于沟槽与多晶硅之间的栅氧化层、形成于衬底表面的介质层和形成于介质层表面的正面金属电极，沟槽为多个。沟槽式肖特基包括原胞区和终端区，终端区的结构为上述的终端结构。该沟槽式肖特基终端结构将现有技术中单个宽沟槽改为多个窄沟槽，使终端区沟槽刻蚀时制造的沟槽的深度与原胞区趋于接近，终端区和原胞区交界处的电场分布平缓，器件稳定性提高，之后的poly填充和刻蚀后的光刻工艺难度降低；孔层光刻的工艺难度的降低；沟槽中的多晶硅与正面金属电极短接，提升器件终端可靠性。
沟槽式肖特基终端结构终端区多晶硅原胞正面金属电极外延层填充介质层表面器件稳定性衬底表面电场分布工艺难度沟槽刻蚀光刻工艺难度降低提升器件栅氧化层交界处介质层宽沟槽窄沟槽短接光刻刻蚀终端制造

[实用新型]沟槽式肖特基的终端结构及沟槽式肖特基-CN201720981124.1有效
发明人：王万礼;王彦君;孙晨光;徐长坡;刘晓芳;董子旭;刘闯;张晋英;刘文彬;李子科;于波;戴明磊;徐阳;刘丽媛;张俊芳 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型提供沟槽式肖特基终端结构及沟槽式肖特基，沟槽式肖特基终端结构包括外延层，形成于外延层的表层中的沟槽、填充在沟槽中的多晶硅、形成于沟槽与多晶硅之间的栅氧化层、形成于衬底表面的介质层和形成于介质层表面的正面金属电极，沟槽为多个。沟槽式肖特基包括原胞区和终端区，终端区的结构为上述的终端结构。该沟槽式肖特基终端结构将现有技术中单个宽沟槽改为多个窄沟槽，使终端区沟槽刻蚀时制造的沟槽的深度与原胞区趋于接近，终端区和原胞区交界处的电场分布平缓，器件稳定性提高，之后的poly填充和刻蚀后的光刻工艺难度降低；孔层光刻的工艺难度的降低；沟槽中的多晶硅与正面金属电极短接，提升器件终端可靠性。
沟槽式肖特基终端结构终端区多晶硅原胞正面金属电极外延层填充介质层表面器件稳定性衬底表面电场分布工艺难度沟槽刻蚀光刻工艺难度降低提升器件栅氧化层交界处介质层宽沟槽窄沟槽短接光刻刻蚀终端制造

[发明专利]沟槽式栅极结构IGBT-CN201910817842.9在审
发明人：义夫 -专利权人：丽晶美能(北京)电子技术有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽式栅极结构IGBT。该沟槽式栅极结构IGBT包括衬底和多个IGBT元胞，各IGBT元胞包括栅极，衬底中具有多个第一沟槽单元和第二沟槽单元，各IGBT元胞的栅极一一对应设置在第一沟槽单元的沟槽中，至少相邻的第一沟槽单元通过第二沟槽单元连通，且第一沟槽单元和第二沟槽单元的沟槽中填充有栅极材料，位于第一沟槽单元中的栅极材料构成IGBT元胞的栅极。采用本发明的上述结构，不仅能够通过部分或全部去除位于衬底上方的栅极材料，以降低器件的寄生电容，还能够实现对各IGBT元胞之间距离的调整，进而使该沟槽式栅极结构IGBT能够具有优异的散热一致性，使该沟槽式栅极结构
沟槽单元元胞沟槽式栅极栅极材料衬底一一对应设置寄生电容降低器件高功率散热去除连通填充

[发明专利]沟槽式栅极结构IGBT-CN202010108349.2有效
发明人：义夫 -专利权人：丽晶美能（北京）电子技术有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽式栅极结构IGBT。该沟槽式栅极结构IGBT包括衬底和多个IGBT元胞，各IGBT元胞包括栅极，衬底中具有多个第一沟槽单元和第二沟槽单元，各IGBT元胞的栅极一一对应设置在第一沟槽单元的沟槽中，至少相邻的第一沟槽单元通过第二沟槽单元连通，且第一沟槽单元和第二沟槽单元的沟槽中填充有栅极材料，位于第一沟槽单元中的栅极材料构成IGBT元胞的栅极。采用本发明的上述结构，不仅能够通过部分或全部去除位于衬底上方的栅极材料，以降低器件的寄生电容，还能够实现对各IGBT元胞之间距离的调整，进而使该沟槽式栅极结构IGBT能够具有优异的散热一致性，使该沟槽式栅极结构
沟槽栅极结构 igbt

[发明专利]沟槽式连接结构-CN202210531362.8在审
发明人：李现虎 -专利权人：潍坊贵昌机械有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： F16L21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽式连接结构，包括传感器信号采集处理部分、一体沟槽连接式管体。传感器信号采集处理部分利用法拉第电磁感应定律的原理，由磁电发生体、电极以及信号处理单元组成。一体沟槽连接式管体通过数控机床预加工沟槽可以实现安装时与主管路的尺寸精确匹配，沟槽部分由前段密封面、可扣合连接沟槽组成。本发明结构简单，体积小巧，安装方便，连接紧固。由于法兰转接式连接由螺栓及密封装置组成，在长时间振动使用过程中，容易发生螺纹的松动，造成管路的泄漏。而本装置一体式结构相对于法兰转接式连接来说，不存在法兰转接处的泄漏问题，而且通过预加工沟槽会更加方便接入沟槽管路系统，避免繁杂的安装法兰盘，检修会大大节约时间。
沟槽连接结构

[发明专利]沟槽式功率晶体管结构及其制造方法-CN201510461227.0在审
发明人：许修文 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种沟槽式功率晶体管结构及其制造方法，其中沟槽式功率晶体管结构包括基材、磊晶层、沟槽栅极结构、基体区以及源极区；磊晶层位于基材上，并具有一沟槽；沟槽栅极结构位于磊晶层的沟槽中，包括底部介电结构、栅极介电层与栅极；底部介电结构位于沟槽下半部，其中底部介电结构包括一绝缘层以及一非导体结构，其中绝缘层形成于沟槽下半部的第一内壁面，并定义出一凹槽，且非导体结构填充于凹槽内；栅极介电层位于沟槽上半部的第二内壁面，栅极则位于沟槽内与栅极介电层连接；基体区位于磊晶层中，并环绕沟槽栅极结构；源极区位于基体区上方。本发明沟槽式功率晶体管结构与其制造方法可避免在沟槽中形成底部介电结构的过程中，在沟槽中形成缝隙。
沟槽功率晶体管结构及其制造方法

[发明专利]埋入式字线结构及其形成方法、存储器-CN201811095500.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路领域，提供了一种埋入式字线结构及其形成方法、存储器。所述埋入式字线结构包括具有沟槽的基底以及形成于沟槽中的字线，沟槽包括沿深度方向相互连通的第一沟槽和第二沟槽，其中第二沟槽远离基底表面，且第二沟槽的平均宽度大于第一沟槽的平均宽度，即字线的下端较上端宽，有助于减小字线的电阻以及减小尖端聚集效应依照所述埋入式字线结构的形成方法可形成上述埋入式字线结构。所述存储器包括上述埋入式字线结构。
埋入式字线结构及其形成方法存储器

[实用新型]一种新型沟槽式消防水泵接合器-CN202121723701.X有效
发明人：王约瑟;洪福清;傅银渊;李文溪;柳金亮 -专利权人：百安消防科技有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： A62C35/68 文献下载
摘要：一种新型沟槽式消防水泵接合器，其结构包括本体，本体上端设有阀盖，阀盖中部转动设有阀杆，阀杆上端设有手轮，本体内部设有与阀杆相接的阀瓣，本体下端设有沟槽式连接结构，沟槽式连接结构包括固定部、沟槽连接部，沟槽连接部位于固定部下端，连接端采用分件式设计，具有可拆卸的功能，当沟槽连接部的沟槽磨损时，可将固定件拆出，解除沟槽连接部与固定部的固定连接关系，然后将密封环拔出环形密封槽，沟槽连接部脱离固定部，即可通过环形装配槽底部的定位孔与消防管道或消防装备进行螺栓相接，在沟槽连接结构损坏时，还可进行原始螺栓连接，有效的降低成本，提高使用寿命。
一种新型沟槽消防水泵接合

[发明专利]一种用于制作半开放沟槽式热管的多齿芯头-CN200910193598.X无效
发明人：汤勇;欧栋生;陈剑鸿 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2009-10-31 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： B21D37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制作半开放沟槽式热管的多齿芯头，包括芯头基体、倾斜式齿形和微沟槽结构，芯头基体为圆管型结构，中心设有用于安装的通孔；芯头基体的管壁的外表面均匀分布倾斜式齿形，倾斜式齿形的两个齿之间形成具有毛细作用的微沟槽结构；微沟槽结构与管体轴向平行布置；所述的倾斜式齿形是一种倾斜式齿形，在热管的横截面上，其任意一个单齿的几何中心线与该齿形所在位置的径向方向成5°-45°夹角。本发明的多齿芯头是专门用于生产具有半开放沟槽式热管的成型刀具，通过沿用成熟微沟槽式热管加工方法，即高速旋压方法，生产具有半开放沟槽式热管，应用该刀具可实现规模化生产，解决现有技术沟槽式热管加工难题。
一种用于制作半开沟槽热管多齿芯头

[实用新型]一种用于半开放沟槽式热管生产的多齿芯头-CN200920238343.6无效
发明人：陈伟彬;魏小玲;汤勇 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2009-10-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： B23D43/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半开放沟槽式热管生产的多齿芯头，包括芯头基体、倾斜式齿形和微沟槽结构，芯头基体为圆管型结构，中心设有用于安装的通孔；芯头基体的管壁的外表面均匀分布倾斜式齿形，倾斜式齿形的两个齿之间形成具有毛细作用的微沟槽结构；微沟槽结构与管体轴向平行布置；所述的倾斜式齿形是一种倾斜式齿形，在热管的横截面上，其任意一个单齿的几何中心线与该齿形所在位置的径向方向成5°-45°夹角。本实用新型的多齿芯头是专门用于生产具有半开放沟槽式热管的成型刀具，通过沿用成熟微沟槽式热管加工方法，即高速旋压方法，生产具有半开放沟槽式热管，应用该刀具可实现规模化生产，解决现有技术沟槽式热管加工难题。
一种用于半开沟槽热管生产多齿芯头

[发明专利]沟槽式功率半导体元件及其制造方法-CN201110184993.9有效
发明人：蔡依芸;张渊舜;涂高维 -专利权人：科轩微电子股份有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：一种沟槽式功率半导体元件，具有一第一导电型的轻掺杂基板、至少二个沟槽、一栅极结构、一第二导电型的阱区、一第一导电型的第一掺杂区、至少二个沟槽底部重掺杂区、一接触窗与一导电结构，其中，沟槽位于所述轻掺杂基板上；并且，这些沟槽中包括至少一个栅极沟槽；栅极结构位于前述栅极沟槽内；阱区环绕栅极结构；第一掺杂区是位于所述阱区上方；沟槽底部重掺杂区形成于这些沟槽的底部，并且这个沟槽底部重掺杂区是互相连接；接触窗位于轻掺杂基板上，并与前述沟槽保持一预设距离；导电结构填入接触窗，以电性连接沟槽底部重掺杂区。本发明提出一种沟槽式功率半导体元件以及此沟槽式功率半导体元件的制造方法，简化了制造工艺，降低了制造成本。
沟槽功率半导体元件及其制造方法

[发明专利]沟槽式MOS静电释放结构以及集成电路-CN201210061973.7在审
发明人：楼颖颖;吴亚贞 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽式MOS静电释放结构以及集成电路。根据本发明的沟槽式MOS静电释放结构包括布置在沟槽式MOS有源区上的电介质层上的二极管阵列，所述二极管阵列的两端分别连接至沟槽式MOS的源极和栅极；其中在所述电介质层和所述沟槽式MOS有源区之间插入了一个氮化硅层
沟槽 mos 静电释放结构以及集成电路

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