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[发明专利]一种在金红石型氧化钛（110）表面制备氧空位对缺陷的方法-CN202110338459.2有效
发明人：赵祥云;王昊晨;马志博;江凌 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明属于表面化学技术领域，是一种在超高真空腔体里制备氧空位对为优势缺陷的金红石型氧化钛(110)表面的技术方法。往常在超高真空环境下研究模型光催化剂金红石型氧化钛的还原性(110)表面时，表面主要的缺陷是氧空位。当两个氧空位相邻时，形成化学性质更加活泼的缺陷结构即为氧空位对。氧空位对的性质和催化性能对于厘清光催化的机理研究有重要意义，值得仔细探索。我们发现，使用266nm的紫外激光照射还原性氧化钛(110)表面可以使得氧空位迁移形成氧空位对，甚至可以形成氧空位对为优势缺陷的表面，有利于对氧空位对的性质性能展开深入研究。
一种金红石氧化 110 表面制备空位缺陷方法

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场分析方法-CN202111656161.2在审
发明人：蒋丽梅;王渊曜;邵宴萍;邓宇辉;杨宛亭;廖宁涛;林鑫;朱冰妍;姜杰;杨琼 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本申请公开了一种氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场分析方法，包括：考虑氧空位浓度对氧化铪基铁电薄膜的影响，确定总的能量方程；通过能量方程，建立基于氧空位影响的各物理场的本构方程；确定各个物理场的控制方程；通过有限元方法进行求解，推导得到基于氧空位影响的各个物理场控制方程的弱形式，根据所述方程的弱形式建立氧化铪基铁电薄膜基于氧空位影响的相场计算模型，以此模拟基于不同氧空位浓度下氧化铪基铁电薄膜多态共存的畴结构云图及其相转变规律本申请通过计算模式的建立，能够为实验人员在实验过程中提供关于氧空位影响的理论指导，以此有效降低实验成本，并对实验过程中使用到的氧空位浓度有一个预设的范围调控值。
一种氧化铪基铁电薄膜基于空位影响分析方法

[发明专利]一种含光控氧空位BiOBr光催化剂的合成及应用方法-CN202011466411.1有效
发明人：张璐璐;李瑞;樊彩梅;刘建新;张小超;张长明;王雅文;王韵芳 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B01J27/06 文献下载
摘要：一种含光控氧空位BiOBr光催化剂的合成及应用方法，属于纳米材料技术领域，可解决现有含氧空位（OVs）BiOBr光催化剂的稳定性差的缺点，本发明以五水硝酸铋和溴酸钠为原料，调节反应温度，利用一步水解法制得含光控氧空位的即在光照条件下，催化剂可脱除氧原子产生氧空位，而当光源移除后，催化剂会吸附水或空气中的氧原子，使得氧空位复原，当再次光照时，氧空位再次产生，以解决氧空位易失活及反应效率不高的问题，为设计高效稳定的合成氨光催化剂提供了新的研究思路
一种光控空位 biobr 光催化剂合成应用方法

[发明专利]一种具有可控氧空位分布的三氧化钨电极及制备和应用-CN201911201693.X有效
发明人：李灿;邵晨熠;宗旭 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01M4/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有可控体相和表面氧空位的三氧化钨光电极及其制备并协同调控体相和表面氧空位的方法。通过增加第一步的焙烧时间，WO3薄膜体相中的氧空位浓度逐渐降低。通过增加第二步的焙烧时间，可实现在基本不改变体相氧空位浓度的同时，降低WO3薄膜表面的氧空位浓度。不同于已公开报道的先实现电极制备后引入/调控氧空位的思路及对应的方法，该方法可以同时实现WO3电极的制备和氧空位的调控，此外，与其他的氧空位调控方法相比，该方法可以实现WO3光阳极体相和表面氧空位的协同调控，有望进一步提高WO3光阳极的光电催化水氧化活性及稳定性。
一种具有可控空位分布氧化钨电极制备应用

[发明专利]薄膜晶体管基板以及显示面板-CN201510479436.8有效
发明人：李冠锋;蒋国璋;颜子旻 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：第一保护层配置于半导体层上且具有第一氧空位浓度，第二保护层配置于第一保护层上且具有第二氧空位浓度。交界区位于第一保护层与第二保护层之间，且具有第三氧空位浓度。其中第三氧空位浓度大于第一氧空位浓度且大于第二氧空位浓度。
薄膜晶体管以及显示面板

[发明专利]一种氧空位型超薄氧化铋纳米片的制备方法及利用其低频超声诱导产生热效应的方法-CN202210666430.1有效
发明人：盖世丽;杨露;巩海将;丁鹤;杨丹;冯莉莉;贺飞 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：一种氧空位型超薄氧化铋纳米片的制备方法及利用其低频超声诱导产生热效应的方法，它属于声热研究技术领域。制备方法：一、制备氧空位型氧化铋花状结构粉末；二、利用细胞破碎仪进行破碎。利用氧空位型超薄氧化铋纳米片低频超声诱导产生热效应的方法：将氧空位型超薄氧化铋纳米片粉末加入到水中，利用超声探头对氧空位型超薄氧化铋纳米片分散液超声。本发明用于氧空位型超薄氧化铋纳米片的制备及利用其低频超声诱导产生热效应。
一种空位超薄氧化纳米制备方法利用低频超声诱导产生热效应

[发明专利]高压制备富含过饱和表面氧空位金属氧化物的方法及其在光催化分子氧活化中的应用-CN202211415851.3在审
发明人：王心晨;张金水;侯乙东;王晓艺;阳灿;卢尔君 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压制备富含过饱和表面氧空位金属氧化物的方法及其在光催化分子氧活化中的应用，属于能源催化技术领域。以商品化的金属氧化物为原料，在0.8~1.5 GPa，200~600℃下处理0.5~10 h，冷却卸压后得到了富含高氧空位浓度的金属氧化物催化剂。本发明利用高压对氧空位的迁移、湮没以及体相氧原子溢出行为的抑制作用，实现了过饱和氧空位在金属氧化物表面上的选择性引入。过饱和表面氧空位对分子氧具有优异的吸附和活化能力，显著提高光催化产过氧化氢的活性。相比于传统的氢气还原法，高压技术因其在原子水平上独特的调控能力，可以实现对氧空位的含量及空间分布的有效调控。
高压制备富含过饱和表面空位金属氧化物方法及其光催化分子活化中的应用

[发明专利]一种量子点发光二极管-CN201811287190.4有效
发明人：苏亮 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点层、设置在所述阴极和量子点层之间的电子传输层，所述电子传输层的材料为金属氧化物纳米颗粒，其中，还包括设置在所述阴极和电子传输层之间的第一层，所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量本发明通过在阴极和电子传输层之间设置第一层，所述第一层的氧空位数量少于所述电子传输层的氧空位数量，这样阴极电子被第一层中氧空位捕获的行为减少，使得被电子传输层中氧空位捕获的电子减少，避免大量通过电子传输层氧空位捕获的电子与量子点层中价带空穴复合造成猝灭
一种量子发光二极管

[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置-CN201410334219.5有效
发明人：王美丽;辛龙宝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，栅绝缘层设置在栅极和有源层之间，源极和漏极分别对应设置在有源层的两端，有源层采用金属氮氧化物材料形成，还包括能导电的氧空位削减层，氧空位削减层设置在有源层与源极之间，和/或氧空位削减层设置在有源层与漏极之间，用于对有源层中的氧空位进行削减。该薄膜晶体管通过设置氧空位削减层，使有源层中氧空位的数量大大减少，从而提高了载流子的传输速率，同时还降低了薄膜晶体管的亚阈值摆幅，进而大大提升了薄膜晶体管的导通性能。
一种薄膜晶体管阵列显示装置

[发明专利]一种富氧空位的氧化锌纳米片、制备方法及其应用-CN201810213121.2有效
发明人：孔祥栋;刘彦;耿志刚;刘仲禹;曾杰 -专利权人：中国科学技术大学先进技术研究院
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B01J23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种富氧空位的氧化锌纳米片，其平均尺寸为800纳米‑1微米；本发明还公开了所述富氧空位的氧化锌纳米片的制备方法，包括：将氧化锌纳米片置于氢气等离子体氛围中进行刻蚀。本发明还提出的一种所述富氧空位的氧化锌纳米片在二氧化碳电还原反应制备一氧化碳中的应用。本发明提出的富氧空位的氧化锌纳米片的制备方法成本低廉，易于大量合成，通过引入氧空位改善了氧化锌纳米片的表面电子态，将得到的富氧空位的氧化锌纳米片用于二氧化碳电还原反应中，催化活性及其选择性高，稳定性好。
一种空位氧化锌纳米制备方法及其应用

[发明专利]一种二氯甲烷无氧催化燃烧构建金属氧化物氧空位的方法-CN201910661751.0有效
发明人：顾泉;刘建妮;张素芬;高子伟 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氯甲烷无氧催化燃烧构建金属氧化物氧空位的方法，该方法先将金属氧化物在动态真空下300～500℃热处理以除去吸附的水，然后加入二氯甲烷静置吸附，在常温下通过动态真空处理除去未吸附的二氯甲烷后，在50～250℃下无氧催化燃烧，最后通过动态真空处理除去表面吸附物种和一些产生的气体，得到具有氧空位的金属氧化物，整个操作均在无水无氧环境中进行。本发明以易挥发的CH2Cl2作为反应物，采用简单的无氧催化燃烧方法，通过控制处理温度来控制金属氧化物上氧空位的浓度和表面/体相氧空位的比例。>和ZnO都可以通过该方法构建氧空位。
一种二氯甲烷催化燃烧构建金属氧化物空位方法

[发明专利]一种快速检测氧化钛中氧空位的方法-CN201510346373.9有效
发明人：吕超;王思;张丽娟 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G01N21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速检测氧化钛中氧空位的方法。该方法先将气体分子乙醚和氧气扩散到氧化钛表面；由于氧化钛表面的氧空位具有强吸附氧气分子的能力，吸附到氧空位的氧气通过捕获一个自由电子形成具有较强氧化性的超氧种类(O2‑)，然后，化学吸附态的乙醚分子与O2‑反应生成激发态的乙醛分子(CH3CHO*),激发态的乙醛分子回到基态的过程会产生一定的能量，该能量以光学的形式释放出来，由化学发光分析仪检测其发光信号值，根据氧空位的量与发光信号成正比的关系，得到氧化钛中氧空位的值其对于在缺陷氧化物中具有广泛研究意义的氧空位的评价具有广阔的应用前景。
一种快速检测氧化钛中氧空位方法

[发明专利]氧空位型金属氧化物半导体的制备方法-CN201910705688.6在审
发明人：赵彩凤;杨亚辉;罗琳;邵赛;邵颖;张乐平 -专利权人：湖南农业大学;湖南省核农学与航天育种研究所
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了氧空位型金属氧化物半导体的制备方法，该方法解决了现有技术中，制备氧空位型半导体材料时存在的对设备要求高，有安全隐患，制备过程中会引入难以消除的杂质元素的问题，安全可靠性高，设备要求低，试剂易得，工艺流程简单，易于推广，通过本发明实施例的方法制备得到的氧空位型半导体材料，光电化学活性高于现有技术制备的同种材料，本发明实施例的制备方法，在制备氧空位时具有定量可控性，通过控制辐射剂量即可得到不同含量的氧空位的半导体催化剂
制备氧空位半导体材料金属氧化物半导体半导体催化剂安全可靠性安全隐患辐射剂量光电化学设备要求同种材料杂质元素制备过程工艺流程对设备可控性引入

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202310115882.5在审
发明人：乔治奥斯·韦理安尼堤斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：在一些实施例中，形成半导体器件结构的方法包括在层上沉积掺杂二氧化铪层，并且掺杂二氧化铪层具有第一氧空位浓度。该方法还包括对掺杂二氧化铪层执行超高真空退火工艺以将第一氧空位浓度增加到第二氧空位浓度以及对掺杂二氧化铪层执行氧退火工艺以降低第二氧空位浓度。本发明的实施例还提供了半导体器件结构。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法-CN201810003744.7在审
发明人：张光辉;董鹏;宋宇;杨萍;李沫;代刚;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G01N24/10 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法，其原理是，首先向氧化硅薄膜样品中注入载流子，使中性氧空位缺陷变成带正电的氧空位缺陷；然后表征已知浓度的标准样品和氧化硅薄膜样品的电子顺磁共振谱；最后根据氧化硅薄膜样品与标准样品对微波吸收强度的对比，定量计算出氧化硅薄膜中氧空位缺陷的浓度。
氧化硅薄膜氧空位缺陷标准样品测量氧空位载流子电子顺磁共振谱半导体器件定量计算空位缺陷缺陷研究微波吸收重要意义氧化层中性氧

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