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[发明专利]单环芳香族化合物及其它污染物的纳米多孔检测器-CN200980136096.1有效
发明人：萨比娜·克吕纳雷;图华·德兰提 -专利权人：法国原子能和替代能源委员会;国家科学研究中心
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔溶胶-凝胶材料，其基本上由一种或多种第一聚烷氧基硅烷的单元和一种或多种第二聚烷氧基硅烷的单元组成，所述第一聚烷氧基硅烷选自：(氯代甲基)三乙氧基硅烷、1，3-二甲基四甲氧基二硅氧烷、乙基三甲氧基硅烷、三乙氧基(乙基)硅烷、三乙氧基甲基硅烷、三乙氧基(乙烯基)硅烷、三甲氧基甲基硅烷、三甲氧基(乙烯基)硅烷、四乙氧基硅烷或四甲氧基硅烷(TMOS)，所述第二聚烷氧基硅烷选自：(N-(3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基)乙二胺、3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)和3-氨基丙基三甲氧基硅烷，其中所述第一聚烷氧基硅烷与第二聚烷氧基硅烷的摩尔比为1/0.01至1/1，所述材料任选包含示踪分子。
芳香族化合物其它污染物纳米多孔检测器

[发明专利]一种萘基烷氧基硅烷单体的制备方法-CN201610582741.4有效
发明人：彭游;尹健美;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：九江学院
申请日： 2016-07-23 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种萘基烷氧基硅烷的制备方法，包括如下步骤：在有机溶剂中，将烷氧基硅烷、钠和1‑卤萘混合进行反应，得到萘基烷氧基硅烷，其中，所述烷氧基硅烷选自四甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷和甲基三乙氧基硅烷中任一种
一种萘基烷氧基硅烷单体制备方法

[发明专利]用于二氧化硅或金属硅酸盐薄膜的前体-CN200510137359.4无效
发明人：雷新建;R·鲁肯斯 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2005-12-09 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：一种选自双(叔丁氧基)(异丙氧基)甲硅烷醇、双(异丙氧基)(叔丁氧基)甲硅烷醇、双(叔戊氧基)(异丙氧基)甲硅烷醇、双(异丙氧基)(叔戊氧基)甲硅烷醇、双(叔戊氧基)(叔丁氧基)甲硅烷醇、双(叔丁氧基)(叔戊氧基)甲硅烷醇及其混合物的组合物；其在基底上形成金属或准金属硅酸盐层的应用以及混合烷氧基甲硅烷醇的合成。
用于二氧化硅金属硅酸盐薄膜

[发明专利]用于电缆修复流体的抗腐蚀添加剂-CN200580018853.7无效
发明人： J·L·库克;D·M·科萨尔;L·A·斯塔克－卡斯利 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2005-06-07 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01B7/282 文献下载
摘要：一种修复因树结构化而性能下降的电分配电缆的方法，包括(i)向这种电缆的绞合铝导线部分的空隙提供修复流体，其中所述修复流体包含烷氧基硅烷或烷氧基硅烷的混合物，所述烷氧基硅烷选自芳族官能的烷氧基硅烷，烷基烷氧基硅烷，氨基官能的烷氧基硅烷，环氧官能的烷氧基硅烷，氟官能的烷氧基硅烷，乙烯基官能的烷氧基硅烷或甲基丙烯酸酯官能的烷氧基硅烷；和(ii)向修复液体中添加硫代硅烷，巯基官能的烷氧基硅烷，膦酸酯化硅烷或其混合物，
用于电缆修复流体腐蚀添加剂

[发明专利]一种萘基烷氧基硅烷的制备方法-CN201510129244.4有效
发明人：潘碧宸;袁有学;杨欣;赵晓娟;张瑛;黄伟 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种萘基烷氧基硅烷的制备方法，包括如下步骤在有机溶剂中，将烷氧基硅烷、镁和1‑卤萘混合进行格氏反应，得到萘基烷氧基硅烷，其中，所述烷氧基硅烷选自四甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷和甲基三乙氧基硅烷中任一种此外，还包括将所述萘基烷氧基硅烷和碱性物质混合加热进行纯化处理，通过以所述萘基烷氧基硅烷为原料而制备得到的有机硅树脂的透明度高、耐老化性能优良。
一种萘基烷氧基硅烷制备方法

[发明专利]水性组合物和硬涂层-CN201380057999.7在审
发明人：塚本直树 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： C08G59/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种水性组合物，其中混合有含有环氧基的烷氧基硅烷、不含环氧基的烷氧基硅烷和金属络合物，相对于由含有环氧基的烷氧基硅烷和不含环氧基的烷氧基硅烷构成的全部烷氧基硅烷，含有环氧基的烷氧基硅烷所占的比例为20～85质量％，相对于含有环氧基的烷氧基硅烷，所述金属络合物所占的比例为17～70摩尔％。
水性组合涂层

[发明专利]制备含有机基氧基甲硅烷基或甲硅烷氧基的乙基降冰片烯化合物-CN201210336348.9有效
发明人：本间孝之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：当在铂催化剂存在下，通过5-乙烯基-2-降冰片烯与氢有机基氧基硅烷或氢有机基氧基甲硅烷氧基化合物之间的氢化硅烷化反应制备含有有机基氧基甲硅烷基或有机基氧基甲硅烷氧基的乙基降冰片烯化合物时，在铵盐的共存下进行氢化硅烷化反应在高反应性和选择性下有效地制备含有有机基氧基甲硅烷基或有机基氧基甲硅烷氧基的乙基降冰片烯化合物。
制备有机基氧基甲硅烷乙基冰片化合物

[发明专利]二次电池用电极、二次电池、它们的制造方法-CN201780075754.5有效
发明人：上田克;川治纯 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：一种二次电池用电极，其包含电极活性物质、电极导电剂、离子导电材，离子传导材保持于电极导电剂，在电极导电剂的表面形成被覆剂，电极导电剂的表面电位为正，作为用于形成被覆剂的材料，可举出例如，3‑氨基丙基三乙氧基硅烷、3‑氨基丙基三甲氧基硅烷、4‑氨基丁基三乙氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、3‑氨基苯基三甲氧基硅烷、间氨基苯基三甲氧基硅烷、对氨基苯基三甲氧基硅烷、3‑氨基丙基三(甲氧基乙氧基)硅烷、11‑氨基十一烷基三乙氧基硅烷等
二次电池用电它们制造方法

[发明专利]烷氧基氢硅烷的制造方法及烷氧基卤代硅烷的制造方法-CN201880020434.4有效
发明人：佐藤章德;安田诚;西本能弘 -专利权人：株式会社钟化;国立大学法人大阪大学
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明提供能以高收率制造目标物的烷氧基氢硅烷的制造方法、可合适地在该烷氧基氢硅烷的制造方法中作为原料使用的烷氧基卤代硅烷的制造方法、和特定结构的新型烷氧基卤代硅烷。上述烷氧基氢硅烷的制造方法包括：在特定的条件下利用卤化剂将给定结构的烷氧基硅烷卤化而制造给定结构的烷氧基卤代硅烷；以及使用氢化剂将前述的给定结构的烷氧基卤代硅烷在含有具有醚键的非质子性有机溶剂的溶剂中氢化而制造期望结构的烷氧基氢硅烷
烷氧基氢硅烷制造方法烷氧基卤代

[发明专利]氢化烷氧基硅烷用的稳定剂、稳定方法和稳定的氢化烷氧基硅烷-CN200480021894.7有效
发明人：岩井亮;S·P·弗古森 -专利权人：陶氏康宁东丽株式会社;陶氏康宁公司
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： C09K15/04 文献下载
摘要：用于氢化烷氧基硅烷如三乙氧基硅烷和三甲氧基硅烷的稳定剂，其特征在于包括羧酸盐，例如具有1－18个碳原子的羧酸的碱金属盐或碱土金属盐；通过结合氢化烷氧基硅烷与羧酸盐稳定氢化烷氧基硅烷的方法；和用羧酸盐稳定的氢化烷氧基硅烷
氢化烷氧基硅烷稳定剂稳定方法

[发明专利]生产氨烷基烷氧基硅烷的方法-CN201080046329.1有效
发明人： J·戈恩德罗尼;约书亚·毛雷尔 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2010-10-07 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：一种制备氨烷基烷氧基硅烷的方法，该方法包括在高压反应器中使卤烷基烷氧基硅烷与氨反应，持续足以消耗20-99.99％(w/w)的卤烷基烷氧基硅烷并形成氨烷基烷氧基硅烷的时间量；从反应器中排出氨，以得到包含氨烷基烷氧基硅烷、未反应的卤烷基烷氧基硅烷及卤化铵的混合物；并用伯胺处理该混合物，以形成N-取代的氨烷基烷氧基硅烷。
生产烷基烷氧基硅烷方法

[发明专利]一种三乙氧基氯硅烷的工业化合成方法-CN202010900635.2在审
发明人：董红;苏锦华;伍川;肖顺超;瞿志荣;邱化玉 -专利权人：杭州师范大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C07F7/04 文献下载
摘要：本发明涉及有机合成领域，为解决以三乙氧基硅烷为原料，采用氯化反应制备三乙氧基氯硅烷存在副产物含量高、三乙氧基氯硅烷选择性低等缺陷，本发明提出一种以三氯异氰尿酸为氯化试剂、卤代金属盐为添加剂，将三乙氧基硅烷转化为三乙氧基氯硅烷的方法，具有三乙氧基硅烷转化率高，副产物含量低，三乙氧基氯硅烷选择性高，分离负荷小的优点，尤其适合工业化制备三乙氧基氯硅烷。
一种三乙氧基氯硅烷工业化合成方法

[发明专利]制备二-有机基-二烷氧基硅烷的方法-CN201280068935.2有效
发明人： J·B·塞纳尼;M·P·维玛尔库玛尔;M·达瓦德拉 -专利权人：沙特基础工业公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及制备二‑有机基‑二烷氧基硅烷，尤其二‑有机基‑二烷氧基硅烷的方法，其中有机取代基之一或二者是庞大的。该方法包括使四烷氧基硅烷化合物与第一格氏试剂反应，形成单‑有机基‑三‑烷氧基硅烷化合物，然后使单‑有机基‑三‑烷氧基硅烷化合物与氯化试剂反应，形成氯化的单‑有机基‑二‑烷氧基硅烷，然后使氯化的单‑有机基‑二‑烷氧基硅烷与第二格氏试剂反应，形成二‑有机基‑二‑烷氧基硅烷化合物。
制备有机二烷氧基硅烷方法

[发明专利]多硫化双(杂氮硅三环基烷基)的制备方法，多硫化双(杂氮硅三环基烷基)等的混合物的制备方法，多硫化双(杂氮硅三环基烷基)等的混合物，和橡胶组合物-CN200880001640.7无效
发明人：斋木丈章;岩井亮;A·K·托马尔 -专利权人：道康宁东丽株式会社;陶氏康宁公司
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：在催化量碱金属醇盐存在下，加热多硫化双(三烷氧基甲硅烷基烷基)和三乙醇胺，从而用(OCH₂CH₂)₃N基取代多硫化双(三烷氧基甲硅烷基烷基在催化量碱金属醇盐存在下，加热多硫化双(三烷氧基甲硅烷基烷基)和三乙醇胺，从而用(OCH₂CH₂)₃N基取代多硫化双(三烷氧基甲硅烷基烷基)中的一部分与硅键合的烷氧基，制备多硫化双(三烷氧基甲硅烷基烷基)和二硫化(杂氮硅三环基烷基)(三烷氧基甲硅烷基)的混合物，或者多硫化双(三烷氧基甲硅烷基烷基)、二硫化(杂氮硅三环基烷基)(三烷氧基甲硅烷基)和多硫化双(三烷氧基甲硅烷基烷基)的混合物的方法；多硫化双(三烷氧基甲硅烷基烷基)和二硫化(杂氮硅三环基烷基)(三烷氧基甲硅烷基)的混合物；多硫化双(三烷氧基甲硅烷基烷基)、二硫化(杂氮硅三环基烷基)(三烷氧基甲硅烷基)和多硫化双(三烷氧基甲硅烷基烷基)的混合物；和含前述混合物的橡胶组合物。
硫化杂氮硅三环基烷基制备方法混合物橡胶组合

[发明专利]含焊缝的聚芳硫醚树脂模塑制品-CN88104802.X在审
发明人：仁藤敏克;野中纪史 -专利权人：聚塑料株式会社;吴羽化学工业株式会社
申请日： 1988-08-02 - 公布日： 1989-03-22 - 主分类号： C08J3/20 文献下载
摘要：一种具有至少一个焊缝部分并通过注塑聚芳硫醚组合物制备的模塑制品，该组合物包括聚芳硫醚和烷氧基硅烷例如氨基烷氧基硅烷、环氧基烷氧基硅烷、巯基烷氧基硅烷和乙烯基烷氧基硅烷，还可以含有无机填料。
焊缝聚芳硫醚树脂制品

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