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[发明专利]开关电容变换器-CN202210575846.2在审
发明人：孙彤;虞宙;佟光辉 -专利权人：南京矽力微电子技术有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关电容变换器，通过控制每个开关电容单元中的多个晶体管的通断状态，以使得选用任意相邻的M‑1个开关电容单元参与工作，且使得序号小于被选用的开关电容单元的序号的开关电容单元中的飞跨电容并联到输出端，以被用作输出滤波电容；序号大于被选用的开关电容单元的序号的开关电容单元中的飞跨电容与被选用的开关电容单元中的飞跨电容串联连接起来，被共同配置为M比1变比的飞跨电容的一部分，可以实现将开关电容变换器的输入电压与输出电压的变比调节为M比1，当M取不同的值时，可以获得不同的变比。
开关电容变换器

[发明专利]一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备-CN201610109006.1在审
发明人：罗伟义;黄智林 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备，该控制方法包括获取内线圈相对于外线圈的电流比的期望值；按照预设函数，调节第二电容的电容值以及第四电容的电容值，使得内线圈相对于外线圈的电流比处于期望值功率分配器为双线圈结构，第二电容的电容值以及第四电容的电容值改变时，内线圈相对于外线圈的电流比不同，进而射频功率分配器的输出的电磁场不同。控制方法根据第二电容的电容值以及第四电容的电容值与电流比之间的函数关系，可以快速确定不同电流比时对应的第二电容的电容值以及第四电容的电容值，直接调节第二电容以及第四电容获取电流比的期望值，进而调节功率分配器的电流
一种控制方法射频功率分配器以及 icp 设备

[发明专利]具有多量程的微电容参比测量电路及方法-CN201610450873.1有效
发明人：郝瑞庭;王俊美;李杰 -专利权人：北京华峰测控技术股份有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了具有多量程的微电容参比测量电路及方法，包括被测电容电路以及多个参比电容测量电路。激励电压信号从此公共端接入测量电路，各个电容的电流通过其对应的运算放大器及反馈电路转换为各自的电压信号，进而测量被测电容电路以及某一个参比测量电路的输出电压信号比值得到被测电容的电容量，由此通过将参比电容设置为不同的电容量以及控制被测电容电路对应的反馈电路实现多个测量量程，从而扩展了微电容参比测量电路的测量范围，通过多量程设置的不同的参比电容与被测电容结构的比较，提高了被测电容的精度。
具有多量电容测量电路方法

[实用新型]具有多量程的微电容参比测量电路-CN201620615022.3有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了具有多量程的微电容参比测量电路，包括被测电容电路以及多个参比电容测量电路。激励电压信号从此公共端接入测量电路，各个电容的电流通过其对应的运算放大器及反馈电路转换为各自的电压信号，进而测量被测电容电路以及某一个参比测量电路的输出电压信号比值得到被测电容的电容量，由此通过将参比电容设置为不同的电容量以及控制被测电容电路对应的反馈电路实现多个测量量程，从而扩展了微电容参比测量电路的测量范围，通过多量程设置的不同的参比电容与被测电容结构的比较，提高了被测电容的精度。
具有多量电容测量电路

[实用新型]高比能脉冲电容器-CN201721050164.0有效
发明人：古骏;杨峰;蒋启帆 -专利权人：浙江七星电容器有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01G9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了高比能脉冲电容器，包括高比能脉冲电容器本体、电容器芯组、导线和绝缘座，所述高比能脉冲电容器本体的顶部设置有绝缘座，所述绝缘座的顶部设置有引出端，所述绝缘座的中间设置有导线，所述高比能脉冲电容器本体的中间设置有电容器芯组，所述电容器芯组的外侧设置有固定填充剂，所述电容器芯组的顶部设置有负极铝箔，所述负极铝箔的右侧设置有正极铝箔，所述高比能脉冲电容器本体的内侧设置有减震橡胶垫，所述减震橡胶垫的内侧分布有减震弹簧，所述高比能脉冲电容器本体的顶部设置有端盖该高比能脉冲电容器，绝缘性能好，性能稳定，抗震缓冲性能高。
脉冲电容器

[发明专利]微电容参比测量电路-CN200810040836.9无效
发明人：彭建学;叶银忠;刘以建 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开两种微电容参比测量电路，电路结构采用参比电容和被测微电容并联，激励电压通过限流电阻同时对被测微电容和参比电容进行充放电，被测微电容和参比电容的充放电电流分别经过反向运算放大器转换为各自的电压信号，通过测量这两个电压信号的比值，即可算得被测微电容的电容量。本发明消除目前微电容测量电路存在的许多缺点，电路简单廉价，可进一步降低微电容测量的最小量程，同时提高了测量精度。
电容测量电路

[发明专利]一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备-CN201610107697.1在审
发明人：罗伟义;庞晓贝;韩立旺 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备，该控制方法包括获取内线圈相对于外线圈的电流比的期望值；按照预设函数，调节第二电容的电容值，使得射频功率分配器中，内线圈相对于外线圈的电流比处于期望值功率分配器为双线圈结构，第二电容的电容值改变时，内线圈相对于外线圈的电流比不同，进而射频功率分配器输出的电磁场不同。控制方法根据第二电容的电容值与电流比之间的函数关系，可以快速确定不同电流比时对应的第二电容的电容值，根据该电容值直接调节第二电容获取电流比的期望值，进而调节功率分配器的电流，达到调整输出功率相对分配的目的
一种控制方法射频功率分配器以及 icp 设备

[发明专利]触摸屏均匀性的检测方法、装置和计算机可读存储介质-CN202310166216.4在审
发明人：王勇;王士锋;胡君文 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种本发明公开了一种触摸屏均匀性的检测方法、装置和计算机可读存储介质，触摸屏包括多个目标像素，检测方法包括：测量多个目标像素的电容值，利用多个目标像素的电容值得到对应的电容值矩阵；利用电容值矩阵计算得到每行和/或每列的百分比差值；将电容值矩阵中的某个电容值提升或降低预设百分比，根据该电容值所在行的百分比差值的变化值和/或该电容值所在列的百分比差值的变化值、以及与该电容值间接关联的行的百分比差值的变化值和/或与该电容值间接关联的列的百分比差值的变化值来判断多个目标像素的均匀性
触摸屏均匀检测方法装置计算机可读存储介质

[实用新型]二氧化硫、一氧化氮传感器的接收器-CN200520009478.7无效
发明人：胡体宝;郑杰;蒋渝广 -专利权人：重庆川仪总厂有限公司重庆川仪九厂
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种二氧化硫、一氧化氮传感器的接收器，接收器本体的前部并列设置有测量接收室和参比接收室，后部设有电容器室，测量接收室和参比接收室的前端和中部设有光学镜片，测量接收室和参比接收室被其中部的光学镜片分别隔离成测量接收室前室、后室和参比接收室前室、后室，电容器室内设有薄膜电容器，该薄膜电容器动极固设于电容器室的中部，分隔电容器室为电容器室前室、后室，电容器后室的后端固设薄膜电容器定极，测量接收室前室和参比接收室前室的一侧设有毛细管分别与电容器室后室通联，测量接收室后室的后端和参比接收室后室的后端设有毛细管分别与电容器室前室通联，测量接收室、参比接收室及电容器室的前、后室内均置有二氧化硫或一氧化氮气体。
二氧化硫一氧化氮传感器接收器

[发明专利]一种有源电容分压器的补偿方法及装置-CN202010972830.6有效
发明人：姜春阳;古雄;王雪;姚腾;项琼 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;中国电力科学研究院有限公司武汉分院;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种有源电容分压器的补偿方法及装置，包括：根据电容分压器的输入电压和输出电压确定电容分压器的实际分压比，并根据所述实际分压比和电容器分压器的额定分压比确定分压器的待补偿误差；根据所述待补偿误差和补偿单元的误差确定补偿量；根据所述补偿量和低压臂电容的电容值确定补偿电容的电容值，从而实现根据所述补偿电容对所述电容分压器进行补偿。本发明能够实现对传统分压器由于容差带来的分压比误差的补偿，且该补偿量可抵消补偿电容由于温度系数引起的电容量偏移，且补偿电路中的各个环节带来的附加误差均为误差的误差，可以忽略不计，能够使分压器的整体输出分压比误差控制在
一种有源电容分压器补偿方法装置

[发明专利]蓄电容量管理装置-CN201080033541.4有效
发明人：大金崇;丸野直树;大沼仁和 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G01R31/36 文献下载
摘要：本发明提供一种蓄电容量管理装置，其具备：上限端子电压导出部，导出上限端子电压，该上限端子电压是蓄电器的蓄电容量为上限蓄电容量时的端子电压；下限端子电压导出部，导出下限端子电压，该下限端子电压是蓄电器的蓄电容量为下限蓄电容量时的端子电压；上下限电压幅度计算部，计算从上限端子电压中减去下限端子电压得到的上下限电压幅度；中间电压差计算部，计算从蓄电器的端子电压中减去下限端子电压的中间电压差；上下限电压比计算部，计算上下限电压比，该上下限电压比是中间电压差相对于上下限电压幅度的比；中间判定电压比导出部，导出与蓄电器的上下限容量相应的中间判定电压比；电压比比较部，比较上下限电压比和中间判定电压比；和中间蓄电容量导出部，在电压比比较部的比较结果满足规定条件时，基于上限蓄电容量、下限蓄电容量及中间判定电压比，导出中间蓄电容量。因此，能够高精度地管理蓄电器的蓄电容量。
容量管理装置

[发明专利]聚苯胺/碳纳米管混杂型超电容器-CN200310100467.5无效
发明人：周啸;杨红生;姜翠玲;于家宁 -专利权人：清华大学;湖南湘怡中元科技股份有限公司
申请日： 2003-10-17 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01G9/00 文献下载
摘要：聚苯胺/碳纳米管混杂型超电容器，涉及一种混杂型超电容器的结构设计。本发明是用导电聚苯胺和碳纳米管分别作为超电容器正极和负极的活性材料，其结构为：正极电流收集体/聚苯胺电极/电解液及隔膜/碳纳米管电极/负极电流收集体。聚苯胺/碳纳米管混杂型超电容器可以充分发挥电极材料的潜力，形成协调和互补作用，使之具有更高的比能量和比功率。与碳纳米管超电容器相比，聚苯胺/碳纳米管混杂型超电容器的比能量提高了135％，平均比功率提高了7％；与聚苯胺超电容器相比，聚苯胺/碳纳米管混杂型超电容器的比能量提高了30％，平均比功率提高了100％。
苯胺纳米混杂电容器

[发明专利]一种颗粒物传感器及其制造方法-CN202011514177.5有效
发明人：肖建中;王镜心;王超;余涵宇;杨斌;刘弘明 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：本发明属于废气净化相关技术领域，其公开了一种颗粒物传感器及其制造方法，所述颗粒物传感器包括相连接的本体结构及参比电路；所述本体结构包括分别连接于所述参比电路的测试电容及对电容，所述测试电容、所述对电容及所述参比电路形成桥式电路；其中，所述测试电容与所述对电容的比值为0.1～10。本发明通过添加对电容和参比电路，以实时改变工作模式，抵消了测试过程中测试电路和参比电路的电压相位差，将差值电压输出信号进行放大从而达到对待测环境中的颗粒物浓度进行实时检测的目的。
一种颗粒传感器及其制造方法

[发明专利]一种具有超高比电容的阻燃聚合物凝胶电解质的制备方法-CN202010914302.5在审
发明人：杨东江;邹译慧;闫婷婷;佘希林;孙瑾 -专利权人：青岛大学
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01G11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超高比电容的阻燃聚合物凝胶电解质的制备方法，属于固态超级电容器领域。该电解质采用琼脂、PVA和醋酸锂为原料，成功地制备出了超级电容器用的聚合物凝胶电解质。该凝胶电解质相对于传统的纯PVA凝胶电解质具有超高比电容(701mF cm‑2，电流密度5mA cm‑2)和良好的循环稳定性(连续充放电8000次后材料的比电容维持初始的90.17％)，且表现出优异的阻燃性。传统的凝胶电解质比电容一般限制在400mF cm‑2，且无法在具有高比电容的同时具有阻燃特性。因此，利用具有阻燃特性的安全性凝胶聚合物制备更高比电容固体电解质具有重要的意义。本发明中，琼脂来源丰富，环境友好，所得超高比电容聚合物凝胶电解质用于超级电容器中性能优异，是非常有前景的能源材料。
一种具有超高电容阻燃聚合物凝胶电解质制备方法

[发明专利]用于焊盘过刻蚀的检测结构、制备及检测方法-CN202210963411.5在审
发明人：王帅;廖黎明;庞洪荣;仇峰;胡林辉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于焊盘过刻蚀的检测结构、制备及检测方法，在晶圆切割区中形成参比单元及检测单元，并结合介电层构成参比电容及检测电容，由于检测电容中的介电层上方具有介电层检测窗口，且检测焊盘与介电层具有较大的选择蚀刻比，从而在刻蚀的过程中，检测电容中的介电层被刻蚀，使得检测电容的容值发生变化，通过对检测电容及参比电容的电性能数据即电容值的变化的监控，即可反应出焊盘过刻蚀的情况，免于切片确认。
用于刻蚀检测结构制备方法

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