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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

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2023-10-10 公布专利

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2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]正性光致抗蚀剂以及结构体的制造方法-CN200480033386.0无效
发明人：中村雅则;森伸浩 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G03F7/023 文献下载
摘要：本发明提供可以通过低浓度碱水溶液或中性水显影，并可以容易地通过臭氧水剥离，另外，不易残留残渣，可以减少成本和环境负担的正性光致抗蚀剂以及通过使用该光致抗蚀剂的抗蚀图案形成电路的结构体的制造方法。所述光致抗蚀剂是含有具有结合了2个或2个以上羟基的苯核，且重均分子量为1000～20000的范围的酚醛清漆树脂的正性光致抗蚀剂，所述结构体的制造方法是通过使用该正性光致抗蚀剂的抗蚀图案形成电路的结构体的制造方法，该方法具有以下工序：使用上述正性光致抗蚀剂在基板表面上形成抗蚀膜的工序；对上述抗蚀膜进行曝光、显影的工序；使用显影的抗蚀图案形成电路的工序；除去抗蚀膜的工序。
正性光致抗蚀剂以及结构制造方法

[发明专利]制备显示器用阵列板的方法-CN200680003671.7有效
发明人：金炳基;朴世炯;卞达锡;宋锡政;朴钟旼 -专利权人：可隆株式会社
申请日： 2006-02-01 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种显示器用阵列通过如下步骤形成：将在支持膜上具有正性光致抗蚀剂树脂层的正性干膜抗蚀剂粘附到衬底上，使得光致抗蚀剂树脂层粘附在所述衬底的表面上。然后，将所述支持膜从粘附到所述衬底表面的光致抗蚀剂树脂层上释放；将所述层曝光；以及将在所述正性型光致抗蚀剂树脂层中的曝光区域显影并除去。
制备显示器用阵列方法

[发明专利]有选择地覆盖微机加工表面的方法-CN03824005.X有效
发明人：雷纳多·康塔;艾尔玛·迪赛格纳 -专利权人：好利获得I－JET股份公司
申请日： 2003-09-11 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：在表面有蚀刻的模具上，首先敷设一层负性光致抗蚀剂，借助于曝光和随后的显影，其只在蚀刻上留下；然后，在负性光致抗蚀剂上，敷设一层正性光致抗蚀剂，其受到曝光和显影以产生在薄膜上沉积的功能性几何形状；随后在“剥离”操作中去除正性光致抗蚀剂，并在等离子操作中去除负性光致抗蚀剂，由此展现蚀刻。
选择覆盖微机加工表面方法

[发明专利]正性光致抗蚀剂组合物、使用其的光致抗蚀剂图案和光致抗蚀剂图案的制造方法-CN201880001512.6有效
发明人：林敏映;李泰燮;金智慧 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及正性光致抗蚀剂组合物、使用其的光致抗蚀剂图案和用于制造图案的方法，所述正性光致抗蚀剂组合物包含含有特定结构的重复单元的丙烯酸类树脂、和光敏酸产生化合物。
正性光致抗蚀剂组合使用光致抗蚀剂图案制造方法

[发明专利]一种深紫外化学增幅型正性光致抗蚀剂-CN201210429479.1有效
发明人：刘陆;薛建设;惠官宝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外化学增幅型正性光致抗蚀剂。本发明的深紫外化学增幅型正性光致抗蚀剂包括环戊烯海松酸、二乙烯基醚、光产酸剂和有机溶剂。本发明的深紫外化学增幅型正性光致抗蚀剂具有良好的感度和良好的透明性。
一种深紫外化增幅型正性光致抗蚀剂

[发明专利]掩模组件的制造方法-CN201810089595.0有效
发明人：金桢国;任星淳;黄圭焕;金圣哲;文英慜 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及能够提升图案精度的掩模组件的制造方法，该方法包括以下步骤：准备载体衬底；在载体衬底上涂覆第一光致抗蚀剂；对第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案；在载体衬底和第一光致抗蚀剂上涂覆第二光致抗蚀剂；对第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案；在载体衬底上沉积金属层；去除布置在第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案上的金属层；以及将载体衬底与金属层分离以制造分割掩模，其中，第一光致抗蚀剂为正(positive)性光致抗蚀剂，而第二光致抗蚀剂为负(negative)性光致抗蚀剂。
模组制造方法

[发明专利]灵敏度增强的光致抗蚀剂-CN201680023321.0在审
发明人：亚历克斯·菲利普·格雷厄姆·罗宾逊;安德烈亚斯·弗罗姆霍尔德;亚历山德拉·麦克莱兰德;托马斯·拉达;约翰·罗斯 -专利权人：亚历克斯·菲利普·格雷厄姆·罗宾逊;安德烈亚斯·弗罗姆霍尔德;亚历山德拉·麦克莱兰德;托马斯·拉达;约翰·罗斯
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本公开内容涉及新的正性光致抗蚀剂组合物和负性光致抗蚀剂组合物以及使用这些组合物的方法，该正性光致抗蚀剂组合物和负性光致抗蚀剂组合物包含基于一种或更多种特定金属、金属盐和/或金属络合物的组分。光致抗蚀剂组合物和方法对于使用例如紫外线辐射、极端紫外线辐射、超极端紫外线辐射、X射线、电子束和其他带电荷的颗粒射线的高速的精细图案处理是理想的。金属的特征在于高吸收截面和选择的弹性和非弹性电子截面。
灵敏度增强光致抗蚀剂

[发明专利]醌重氮化物类感光剂溶液及正性光致抗蚀剂组合物-CN201080050927.6无效
发明人：金谷纮希 -专利权人：索尼化学&信息部件株式会社
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：为了即使不实施热变性处理，在能够抑制或防止醌重氮化物类感光剂从正性光致抗蚀剂组合物析出的同时在制备正性光致抗蚀剂组合物时使醌重氮化物类感光剂易溶于正性光致抗蚀剂组合物，将醌重氮化物类感光剂溶于有机溶剂而成的醌重氮化物类感光剂溶液含有巯基化合物作为醌重氮化物类感光剂的防析出剂另外，正性光致抗蚀剂组合物含有碱可溶性树脂、交联剂、醌重氮化物类感光剂、作为醌重氮化物类感光剂的防析出剂的巯基化合物。
重氮化物类感光剂溶液正性光致抗蚀剂组合

[发明专利]酚醛清漆树脂溶液、正型光致抗蚀剂组合物及其调制方法-CN03123145.4无效
发明人：大西启之;中川裕介;土井宏介 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： G03F7/022 文献下载
摘要：本发明提供一种调制的抗蚀剂组合物具有保存稳定性且没有批间特性差异抗蚀剂组合物及其调制方法，即，将酚醛清漆树脂溶解在有机溶剂中而成的酚醛清漆树脂溶液中配合苯醌所形成的酚醛清漆树脂溶液；含所述酚醛清漆树脂溶液和感光性成分而成的正型光致抗蚀剂组合物；含所述酚醛清漆树脂溶液、感光性成分、氢醌而成的正型光致抗蚀剂组合物；及混合所述酚醛清漆树脂溶液和感光性成分的正型光致抗蚀剂组合物的调制方法。
酚醛清漆树脂溶液正型光致抗蚀剂组合及其调制方法

[发明专利]用于制造抗蚀图案和导体图案的方法-CN200580040726.7有效
发明人：三隅浩一;斋藤宏二;石川薰 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2005-11-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明用于制造抗蚀图案的方法包括：层压(a)具有其上存在铜的上表面的载体，(b)由从无机物质源供应的无机物质组成的无机物质层，和(c)由化学放大型正性光致抗蚀剂组合物组成的光致抗蚀剂层，获得光致抗蚀剂层压材料的步骤；将激活光或放射线选择性辐照到所述光致抗蚀剂层压材料上的步骤；和将所述(c)光致抗蚀剂层与所述(b)无机物质层一起显影以形成抗蚀图案的步骤。
用于制造图案导体方法

[发明专利]通过曝光工艺在晶片上制造图案的方法-CN200910252946.6有效
发明人：梁铉祚 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：形成延伸以覆盖该栅栏的第一光致抗蚀剂层于该晶片上。通过对第一光致抗蚀剂层实施第一曝光及显影，来形成第一光致抗蚀剂图案。使用第一光致抗蚀剂图案及该栅栏作为蚀刻掩模，实施蚀刻工艺。通过使用光遮蔽片，选择性曝光负性抗蚀剂，来形成该栅栏，以及此时，该第一光致抗蚀剂层形成为包括正性抗蚀剂。
通过曝光工艺晶片制造图案方法

[发明专利]负性显影剂相容性的光致抗蚀剂组合物及使用方法-CN201580043882.2有效
发明人：安东·J·德维利耶 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本文的组合物和方法包括负性显影剂相容性的光致抗蚀剂组合物和使用这样的组合物的方法。这包括可使用负性显影剂显影的正性光致抗蚀剂，因为所述正性光致抗蚀剂的未曝光部分可被一种或更多种负性显影剂溶剂溶解。一个实施方案包括几乎没有或者没有蚀刻抗性的负性显影剂相容性的光致抗蚀剂。如本文所述的非抗性光致抗蚀剂材料可以包括一种或更多种辐射敏感属性(例如，所述光致抗蚀剂可以被图案化、去保护、溶解度改变、与光化学品相互作用并且响应于曝光剂量)，除了这些材料实际上无蚀刻抗性之外。这样的组合物可实际上不含提供或提高对湿法或干法蚀刻工艺的蚀刻抗性的组分、官能团或添加剂。
显影剂相容性光致抗蚀剂组合使用方法

[发明专利]形成反色调图像的硬掩模方法-CN200980131798.0无效
发明人： D·J·阿卜杜拉;R·R·达莫尔;M·尼瑟 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及在器件上形成反色调图像的方法，包括：a)在基底上形成吸收性底层；b)在所述底层上形成正性光致抗蚀剂的涂层；c)形成光致抗蚀剂图案；d)用硬化性化合物处理所述第一光致抗蚀剂图案，从而形成经硬化的光致抗蚀剂图案；e)在所述经硬化的光致抗蚀剂图案上由硅涂料组合物形成硅涂层；f)干蚀刻所述硅涂层以除去所述硅涂层直到所述硅涂层具有与所述光致抗蚀剂图案几乎相同的厚度；和g)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和底层，从而在所述光致抗蚀剂图案的原始位置下方形成沟槽
形成色调图像硬掩模方法

[其他]高反差正性光致抗蚀剂显影的方法-CN85107347无效
发明人：詹姆斯·马丁·刘易斯 -专利权人：阿兰特公司
申请日： 1985-09-30 - 公布日： 1986-08-20 - 主分类号： G03C5/24 文献下载
摘要：正性光致抗蚀剂碱性溶液两步显影方法提供使光致抗蚀剂产生高反差。所公开的显影液包括氢氧化钾、碳氮化合物或羧化物表面活性剂那样的碱基溶液。在光致抗蚀剂的反差上碳氮化合物或羧化物的表面活性剂的加入可产生意想不到的增加，在对已曝光的抗蚀剂膜的有效显影中双浸方法可加以使用，在浴的使用期中光致抗蚀剂的反差和感光度将基本保持不变。高反差光致抗蚀剂提供线宽控制，并且进一步改进光致抗蚀剂图形加工的一致性。
反差正性光致抗蚀剂显影方法

[发明专利]正性干膜光致抗蚀剂以及用于制备该光致抗蚀剂的组合物-CN200680003673.6有效
发明人：金炳基;朴世炯;卞达锡;宋锡政;朴钟旼 -专利权人：可隆株式会社
申请日： 2006-02-01 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： G03F7/022 文献下载
摘要：正性型光致抗蚀剂树脂膜包含支持膜和层叠在所述支持膜上的正性光致抗蚀剂树脂层。所述光致抗蚀剂层可以由包含树脂、光敏化合物和第一溶剂的组合物形成，其中第一溶剂具有足够高的沸点，以使通过加热可以将第二溶剂从所述组合物中除去，同时将第一溶剂基本上留在所述组合物中。
正性干膜光致抗蚀剂以及用于制备光致抗蚀剂组合

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