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[发明专利]一种组合开关-CN201510212615.5有效
发明人：郑建中;田学会 -专利权人：浙江中讯电子有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01H89/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括按钮和旋钮的组合开关，设置包括旋转锁定结构和按动锁定结构的互锁机构，设置旋转锁定结构来使第二开关处于闭合状态时，阻止转轴旋转以防止第一开关变换导通状态，即使第一开关从正向导通状态变成换向导通状态，或从换向导通状态变为正向导通状态，以及设置按动锁定结构在第一开关未处于导通状态时，阻止锁杆向下运动以防止第二开关变换开闭状态，可以防止人对组合开关进行误操作，可以保证电器的安全，同时由于锁定结构利用了作为旋转控制机构部分的转轴
一种组合开关

[发明专利]电力电子装置-CN201910515179.7在审
发明人： F.D.普菲尔施;T.巴斯勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提出一种电力电子装置（1），包括：半导体开关结构（2），其中半导体开关结构（2）在正向导通状态下的稳态电流承载能力被表征为标称电流（Inom），并且其中在正向导通状态下在正向电流模式下传导正向电流（I1）的至少一部分；二极管结构（3），被反并联地电连接于半导体开关结构（2），在电力电子装置（1）的反向模式下传导反向电流的至少一部分；以及反向导通结构（4）。在电力电子装置（1）的反向模式下，如果反向电流（I2）的量等于或者小于第一临界反向电流值（IRC1），则反向导通结构（4）传导少于10%的反向电流（I2）。如果反向电流（I2）的量等于或者大于第二临界反向电流值（IRC2），则反向导通结构（4）传导至少20%的反向电流（I2）。
反向电流传导电力电子装置半导体开关反向导通正向导通状态反向模式正向电流二极管结构承载能力稳态电流反并联标称地电

[实用新型]逆向导丝进入正向指引导管的辅助装置-CN202320261120.1有效
发明人：孔斌;王平;陈文梅;叶文滔;魏中胜 -专利权人：深圳市业聚实业有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： A61M25/09 文献下载
摘要：本申请属于医疗器械技术领域，更具体地说，是涉及一种逆向导丝进入正向指引导管的辅助装置，包括头端对接管、连接管组件以及状态切换件，所述头端对接管具有口径可变化的端口，所述头端对接管具有扩张状态和收拢状态，所述头端对接管处于扩张状态时的端口口径比处于收拢状态时的端口口径大；所述连接管组件的远端与所述头端对接管连接，所述连接管组件内具有供正向导丝和逆向导丝通过的通腔；所述状态切换件用于实现所述头端对接管在扩张状态和收拢状态之间切换本申请的逆向导丝进入正向指引导管的辅助装置，头端对接管的端口口径可变化，利用状态切换件可控制头端对接管端口口径的变化，以便于逆向导丝进入正向指引导管。
逆向进入正向指引导管辅助装置

[发明专利]RC-IGBT的导通状态检测-CN201110354496.9有效
发明人： D.多梅斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及RC-IGBT的导通状态检测。一种电路布置包括：反向导通IGBT，配置成允许在正向方向上和在反向方向上导通负载电流，IGBT具有负载电流路径和栅极电极；栅极控制单元，连接到栅极电极并且配置成通过分别根据栅极控制信号对栅极电极进行充电或者放电来激活或者去激活IGBT；栅极驱动器单元，配置成通过感测因由于反向导通IGBT改变成它的反向导通状态而改变在负载路径两端的电压降所引起的栅极电流来检测IGBT是在正向方向还是反向方向上导通电流，栅极控制单元还被配置成在栅极驱动器单元检测到IGBT处于它的反向导通状态时去激活IGBT或者防止经由IGBT的栅极电极激活IGBT。
rc igbt 状态检测

[发明专利]用于三相电励磁双凸极电动机的九状态控制策略-CN201510157809.X有效
发明人：刘伟峰;王慧贞;赵耀;牛先智;王逸洲 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H02P6/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于三相电励磁双凸极电动机的九状态控制策略。本发明充分利用了电机反电势，延长电机每相正向导通区间，使每相正向导通区间都超过120°电角度，在一个电周期内形成九种工作状态，在提高电机换相时相绕组的电流变化率，消除上下功率管死区时间的同时，延长每相的正向导通区间，利用所产生的相转矩抵消励磁磁阻转矩产生的转矩缺口；并针对电励磁双凸极电机三相电磁特性不对称的问题，优化每相导通区间，从而抑制电机转矩尖峰，提升电机转矩谷值，减小转矩脉动。
用于三相电励磁双凸极电动机状态控制策略

[发明专利]沟槽型碳化硅绝缘栅控场效应晶体管及其制备方法-CN202210985653.4在审
发明人：王新中;李轩;娄谦;梁军;岳德武;王卓;张波 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型碳化硅绝缘栅控场效应晶体管及其制备方法，通过引入双沟槽结构及P型侧墙区实现P+屏蔽层状态自动切换：阻断状态时，P+屏蔽层通过P型侧墙区连接到P型基区，有效屏蔽栅氧化层电场；正向导通时，P型侧墙区完全耗尽形成势垒区，P+屏蔽层电位抬升，提高正向导通能力；短路状态时，P+屏蔽层电势提升克服势垒，电势被钳位并且能够导通空穴电流，提升器件短路能力。本发明在保证沟槽型碳化硅绝缘栅控场效应晶体管栅氧化层可靠性的前提下，保持低正向导通电压及低开关损耗优势，兼顾器件短路能力。
沟槽碳化硅绝缘场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件驱动器的测试电路及其控制方法-CN202111259329.6有效
发明人：曾嵘;陈政宇;吴锦鹏;余占清;杨晨;尚杰 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件驱动器的测试电路及其控制方法，能够模拟驱动器开通关断功能，电路包括：正向导通支路、反向导通支路、门极接线端和阴极接线端；正向导通支路能够正向导通百安培级脉冲电流，导通期间正向维持低阻态；反向导通支路能够在μs级时间内反向导通和关断kA级电流，导通期间反向维持低阻态；正向导通支路和反向导通支路并联，形成第一端点和第二端点；第一端点与门极接线端相连接；第二端点与阴极接线端相连接；门极接线端和阴极接线端分别用于接入驱动器的门极和阴极；其中，正向导通是指电流从所述门极接线端经过所述测试电路流向所述阴极接线端，反向导通是指电流从所述阴极接线端经过所述测试电路流向所述门极接线端。
一种半导体器件驱动器测试电路及其控制方法

[发明专利]一种具有PN结接触的平面栅SJ IGBT器件-CN202210754539.0在审
发明人：李泽宏;饶乾生;陈鹏;李陆坪;王彤阳;赵一尚;冯敬成 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：导通状态下，P型环区与发射极之间由多晶硅的PN结形成势垒，低的正向导通压降不足以使该PN结正向导通，因此不会影响器件的导通状态；阻断状态下，P型环区反偏，多晶硅的PN结结构被P型环区所屏蔽，不会影响器件的阻断状态；关断过程中，随着集电极电压的上升，该PN结势垒降低并正向导通，为空穴的抽取提供了额外的通路，加快了漂移区载流子的抽取速度，提高了平面栅SJIGBT器件的开关速度，降低了器件的关断损耗。
一种具有 pn 接触平面 sj igbt 器件

[实用新型]一种半导体分立器件可靠性试验电路-CN202223365528.8有效
发明人：袁锟;王明康;潘朋涛;罗健明;邓丹;李珏;杨超平 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：包括：正电源、负电源(含地)、正向恒流模块、负向恒流模块、正向导通模块、反向导通模块、正向显示模块、反向显示模块、电路模块。正电源与正向恒流模块的正极、反向导通模块的负端连接，正向恒流模块的负极与正向显示模块的正极连接，正向显示模块的负极与反向导通模块的正端、电路模块设定的连接端连接；电路模块设定的另一连接端与正向导通模块的正端、反向显示模块的负极连接，反向显示模块的正极与反向恒流模块的负极连接，正向导通模块的负端与反向恒流模块的正极及负电源连接。
一种半导体分立器件可靠性试验电路

[发明专利]一种保护模块、PCB板和键盘-CN202210528273.8在审
发明人：吴刚;张晓;杨颖 -专利权人：东莞市巨臣电子科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本申请涉及键盘的技术领域，尤其是涉及一种保护模块、PCB板和键盘，保护模块包括：单向导通元器件，依据正向导通特性，当单向导通元器件的正极处于高电位状态且单向导通元器件的负极处于低电位状态，则单向导通元器件实现导通，当单向导通元器件正极处于低电位状态且单向导通元器件负极处于高电位状态，则单向导通元器件实现截止，单向导通元器件的负极与外界键盘的接口连接；弹性导电件，外界键盘的金属面板通过弹性导电件与单向导通元器件的正极连接
一种保护模块 pcb 键盘

[发明专利]半导体器件和用于操作半导体器件的方法-CN201711129145.1有效
发明人： T.M.赖特;F.沃尔特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体器件包括多个正向导通绝缘栅双极晶体管单元。多个正向导通绝缘栅双极晶体管单元被配置为在半导体器件的正向操作模式中导通电流，并且在半导体器件的反向操作模式中阻断电流。此外，半导体器件包括多个反向导通绝缘栅双极晶体管单元。多个反向导通绝缘栅双极晶体管单元被配置为在正向操作模式中和反向操作模式中都导通电流。
半导体器件用于操作方法

[发明专利]用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路-CN202210994445.0有效
发明人：王于波;陈燕宁;付振;张泉;王勇;尹强;肖超;田俊;杨毓龙;黄凯;周宏宇 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01R31/27 文献下载
摘要：本发明涉及电路部件的测评领域，公开了一种用于对电路中的组成部件进行测评的方法和装置及电路，该方法包括：针对电路中的任一所述组成部件，根据以下内容进行测评且在进行测评之前四个支路处于正向不导通的状态：控制组成部件所在的支路和组成部件的对侧支路正向导通且持续第一预设时间，以对充放电模块进行充电；控制组成部件所在的支路正向不导通但组成部件的对侧支路正向导通且持续第二预设时间，以使得充放电模块进行放电；获取组成部件的测评参数；以及根据所获取的测评参数和预设测评参数，判断组成部件的状态
用于电路中的组成部件进行测评方法装置

[实用新型]一种电梯层门闭合开关快速检测装置-CN202320907744.6有效
发明人：蔡燕;陈寅生;王烈高;郭峰;胡海波;牛长建 -专利权人：黄山市特种设备监督检验中心
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B66B5/00 文献下载
摘要：包括绝缘壳体，置于绝缘壳体内的PCB板，所述PCB板的前端设置有两个分别与层开打开时锁紧开关上两触点搭接的搭接触片，所述PCB板上设置触片导通显示电路，所述触片导通显示电路包括限流电阻，与限流电阻串联的正向导通电路和反向导通电路，所述正向导通电路包括正向导通二极管，与正向导通二极管串联设置的正向导通指示灯；所述反向导通电路包括反向导通二极管，与反向导通二极管串联设置的反向导通指示灯。
一种电梯闭合开关快速检测装置

[发明专利]一种具有双栅的RC-IGBT-CN202211453932.2在审
发明人：伍伟;喻明康;高崇兵 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该结构在常规RC‑IGBT结构的基础上，在集电极区增加副控沟槽栅，并向背面注入结构添加P型集电极基区，且N+集电极区不与N型缓冲区直接相连，而是当副控栅开启电子沟道时与缓冲区相连，因此可以完全控制器件工作状态当主控栅打开、副控栅关闭时，器件正向导通，此时器件不会有单极导通状态，从而消除常规RC‑IGBT固有的snapback现象。当主控栅与副控栅同时关闭时，器件工作在阻断状态，此时器件不仅可以正向阻断，也可反向阻断。当主控栅关闭、副控栅打开时，器件反向导通，此时电流均匀分布，反向导通压降减小，二极管特性得到显著优化。
一种具有 rc igbt

[发明专利]一种无Snapback效应逆导IGBT及其制造方法-CN201910753248.8有效
发明人：张波;肖紫嫣;陈万军;周琪钧;刘超;谯彬 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的主要方案是对IGBT背面的集电极结构进行改进，通过优化P++集电极区和N++层的掺杂浓度和厚度，尽量降低器件的反向阻断电压，利用反向阻断模式时的雪崩击穿效应和隧道击穿效应，实现反向导通。与常规逆导IGBT相比，由于不存在N+短路区，正向导通时不存在由MOSFET导通模式向IGBT导通模式的转变，因此本发明提出的新型逆导IGBT正向导通时不会发生snapback现象。由于本发明提出的新型逆导IGBT反向导通的阈值电压较常规逆导IGBT更大，因此适用于诸如准谐振电路一类正向导通时间占大部分而反向导通时间较短的情况。此外，本发明提出的新型逆导IGBT还具有正向导通压降小、软恢复特性好等优点。
一种 snapback 效应 igbt 及其制造方法

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