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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体器件参数的测量方法、装置及存储介质-CN202310324470.2有效
发明人：庄源 -专利权人：睿励科学仪器（上海）有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：该半导体器件参数的测量方法包括以下步骤：经由椭偏量测系统向待测样品输入偏振光，并获取经过待测样品反射的输出光的第一实测光谱信息；根据标准样品的椭偏参数、椭偏量测系统的系统参数、指示椭偏量测系统误差的第一补偿参数，以及指示探测器误差的第二补偿参数，计算第一模拟光谱信息；以及拟合第一实测光谱信息及第一模拟光谱信息，以确定待测样品的参数。通过引入指示椭偏量测系统误差及探测器误差的穆勒矩阵来补偿光学元件工艺缺陷所带来的系统误差，本发明能够在不改变硬件系统的情况下，减小模拟光谱与实际测量光谱之间的偏差，从而提高椭偏量测系统的测量精度。
一种半导体器件参数测量方法装置存储介质

[发明专利]提高产品钝化层膜厚量测数值可信度的方法-CN201310566427.3无效
发明人：顾梅梅;许隽;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高产品钝化层膜厚量测数值可信度的方法，包括：：采用钝化层膜的量测薄膜堆积模型，并通过椭偏仪方法来量测钝化层膜厚量，其中钝化层膜的量测薄膜堆积模型包括从下至上依次直接堆叠的Al层、TiAl3椭偏仪方法包括步骤：利用光源发出单色光，随后使单色光经过起偏器产生具有特定光谱的椭偏光，随后将椭偏光入射至产品钝化层表面，此后利用旋转分析仪收集从钝化层表面反射的反射光，此后使反射光进入光谱探测仪进行光谱分析以获取反射光光谱；最后根据量测薄膜堆积模型通过计算椭偏光的特定光谱以及反射光光谱来计算产品钝化层的厚度。
提高产品钝化层膜厚量测数值可信度方法

[发明专利]用于椭偏量测系统的拟合优化方法和相关装置-CN202210885421.1有效
发明人：杨峰;韩景珊;庄源 -专利权人：睿励科学仪器（上海）有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F17/14 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于椭偏量测系统的拟合优化方法及其相关装置。该方法包括：使用所述椭偏量测系统对参考样品进行M次测量，以获取对应的M个光谱信号；获取依赖于所述参考样品的理论材料模型的理论灵敏度函数；基于所述信噪比函数和所述理论灵敏度函数，获得适用于待测样品的实际测得的目标拟合函数的拟合权重函数，所述待测样品的类型与所述参考样品的类型相同；以及基于所述理论材料模型，使用所述拟合权重函数并以所述待测样品的目标待测量为变量，对所述待测样品的所述实际测得的目标拟合函数进行拟合。利用本公开的方法，可以显著地提高椭偏量测系统的测量精度和灵敏度。
用于椭偏量测系统拟合优化方法相关装置

[发明专利]基于脉冲激光的椭偏量测装置及相关的光操作方法-CN202211590013.X有效
发明人：吕彤欣;韩景珊;杨峰 -专利权人：睿励科学仪器（上海）有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于脉冲激光的椭偏量测装置以及相关的光操作方法。该装置被配置为能够操作选择地在椭偏量测模式下工作，所述椭偏量测装置特别地包括：锁相放大模块，其被配置成接收来自于样品的第一检测信号，并且基于所述第一调制信号作为参考信号，以通过对所述第一检测信号的锁相放大
基于脉冲激光椭偏量测装置相关操作方法

[发明专利]用于椭偏量测系统的自动聚焦方法-CN202210956119.0在审
发明人：韩景珊;王瑜;杨峰 -专利权人：睿励科学仪器（上海）有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于椭偏量测系统的自动聚焦方法。该自动聚焦方法包括：将具有反射表面和通光孔的反射型聚焦镜定位在所述椭偏量测系统的从样品反射的光束的光路上，以使得：所述反射表面反射所述光束的第一部分至所述椭偏量测系统中的光谱仪，以及所述通光孔透过所述光束的第二部分，其中所述第一部分所占光束的能量的比例大于所述第二部分所占光束的能量的比例；使用多象限探测器接收从所述通光孔所透过的所述光束的所述第二部分，以产生与所述样品偏离所述椭偏量测系统的入射光束的焦面的距离有关的探测信号
用于椭偏量测系统自动聚焦方法

[发明专利]用于椭偏量测系统的自动聚焦装置-CN202210956090.6有效
发明人：韩景珊;王瑜;杨峰 -专利权人：睿励科学仪器（上海）有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于椭偏量测系统的自动聚焦装置(100)。该自动聚焦装置(100)适于被布置在所述椭偏量测系统的从样品(204)反射的光束的光路上，并且包括：反射型聚焦镜，被构造成具有反射表面和通光孔(111)，所述反射表面适于反射所述光束的第一部分至所述椭偏量测系统中的光谱仪其中所述第一部分所占光束的能量的比例大于所述第二部分所占光束的能量的比例；多象限探测器(103)，被布置成用于接收从所述通光孔(111)所透过的所述光束的所述第二部分，并且产生与所述样品(204)偏离所述椭偏量测系统的入射光束的焦面的距离有关的探测信号
用于椭偏量测系统自动聚焦装置

[发明专利]碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法-CN202111630451.X在审
发明人：盛况;钟浩;任娜;王珩宇 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：碳化硅介质层的刻蚀选择比量测方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：使用光谱椭偏仪测量碳化硅上介质层的介质膜厚H1，并通过公式计算得到介质膜厚的评价函数MSE1；制作掩膜层，使用台阶仪量测掩膜层厚度Ht；基于所述步骤S2量测的掩膜层厚度Ht，使用光谱椭偏仪测量掩膜层厚度Hy，并通过公式计算得到所述掩膜层厚度的评价函数MSEy；刻蚀含有掩膜的碳化硅上介质层，使用台阶仪量测刻蚀后台阶深度Het，使用椭偏仪测量刻蚀后掩膜层厚度本方法使刻蚀过程中的碳化硅上掩膜层的厚度量测更加精确，从而使碳化硅上的介质层相对于掩膜层的选择比刻蚀工艺调试结果更加具有可信度。
碳化硅介质刻蚀选择比量方法

[发明专利]一种利用全穆勒矩阵椭偏仪进行光学测量的方法-CN201310611400.1在审
发明人：崔高增;刘涛;李国光;温朗枫;熊伟 -专利权人：北京智朗芯光科技有限公司;中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用全穆勒矩阵椭偏仪进行光学测量的方法，属于光学测量技术领域。该光学测量方法搭建全穆勒矩阵椭偏仪的实验光路，对全穆勒矩阵椭偏仪进行局部回归校准，将待测样品置于样品台上，得到待测样品的实验傅里叶系数，根据待测样品的实验傅里叶系数，得到待测样品的信息。由于该全穆勒矩阵椭偏仪的校准方法不仅操作过程简单，而且充分利用了全穆勒矩阵椭偏仪同次测量数据，引入的误差相对较小，校准得到的参数更加准确，进而，对待测样品进行测量时，测量结果更加准确。
一种利用穆勒矩阵椭偏仪进行光学测量方法

[发明专利]一种基于椭偏度测量的滚转角误差测量方法和装置-CN201310073479.7有效
发明人：匡翠方;修鹏;刘旭;葛剑虹 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于椭偏度测量的滚转角误差测量方法，包括二分之一波片处于被测件上的第一位置时，将线偏光入射到与被测件滑动配合的二分之一波片内，透过二分之一波片的线偏光经四分之一波片形成椭偏光，所述椭偏光再照射到旋转的检偏器上，分析检偏器出射光束的光强变化得到第一椭偏度；将二分之一波片移至第二位置，根据与第一椭偏度同样的方法得到第二椭偏度，比较分析第一椭偏度和第二椭偏度，得到被测件的第一位置和第二位置之间的滚转角误差。本发明还公开了一种基于椭偏度测量的滚转角误差测量装置。
一种基于椭偏度测量转角误差测量方法装置

[发明专利]一种旋转补偿器型椭偏仪的系统误差评估及消除方法-CN201310302367.4有效
发明人：刘世元;杜卫超;张传维;谷洪刚;李苏斌 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种旋转补偿器型椭偏仪系统误差评估及消除方法该方法，包括首先建立待优化椭偏仪的系统模型，并求的待测样品穆勒矩阵解析表达式；然后通过对泰勒展开，获得n阶旋转补偿器型椭偏仪椭偏仪系统误差与元件误差之间的关系最后改变旋转补偿器型椭偏仪起检器与检偏器方位角，经过四次测量，并求得四次测量结果的均值，这个均值就是已消除了椭偏仪系统误差的待测样品的穆勒矩阵。本发明方法可以获得旋转补偿器型椭偏仪由元件误差导致的系统误差的解析表达式，计算过程明确，系统误差的消除方法操作简单可行，可以适用于现有不同结构类型旋转补偿器型椭偏仪。
一种旋转补偿器型椭偏仪系统误差评估消除方法

[发明专利]一种弹光调制和电光调制级联的相位调制型椭偏仪-CN201510659110.3在审
发明人：李克武;王志斌;王黎明;李晓;张瑞;景宁;陈友华;薛瑞 -专利权人：中北大学
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明涉及椭偏参数分析的技术领域，更具体而言，涉及一种弹光调制和电光调制级联的相位调制型椭偏仪，实现了一种高精度、高灵敏度、高重复性、高速率和无需机械调节的椭偏测量；该椭偏仪是基于弹光调制和电光调制的组合偏振调制技术和数字锁相处理信号技术实现的；检测光源经缩束后，依次通过起偏器、待测样品、电光调制器、弹光调制器，最后经检偏器出射到光电探测器，检测信号经FPGA数字锁相得到弹光调制倍频项数据，并传入计算机完成待测样品的椭偏参数处理，存储和显示；该椭偏仪测量速率快、工作稳定，便于工业化集成，为椭偏参数的测量及相关应用领域提供了新理论和新方法。
一种调制电光级联相位型椭偏仪

[发明专利]椭偏仪光谱浮动模型及建立方法-CN202111658726.0在审
发明人：陈旺;薛英武;劳开满 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明提供了一种椭偏仪光谱浮动模型及建立方法，所述方法包括：建立量测程式，对晶圆进行一次量测，并收集所述晶圆膜层的量测光谱数据；使用OLSA软件，对所述量测光谱数据进行拟合；通过编辑所述晶圆对应膜层的射散模型，增加一个谐振子，并将所述谐振子的初始值改为0；在所述量测程式输出项里面选择所述谐振子。本发明通过添加一个谐振子建立椭偏仪光谱浮动模型，与现有技术相比，采用该模型能够获得比较精确的量测结果，从而明确不同晶圆的同一膜层之间的差异、以及同一晶圆内不同位置处的同一膜层之间的差异，从而准确反应出膜层制作过程的均匀性
椭偏仪光谱浮动模型建立方法

[发明专利]一种利用可见光校准的直线型太赫兹椭偏仪及测厚方法-CN202210233213.3有效
发明人：涂思语;杨超;刘德峰;黄倩;刘伟;王可嘉;于淼 -专利权人：华中科技大学;中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用可见光校准的直线型太赫兹椭偏仪及测厚方法，属于椭偏测厚技术领域。运用太赫兹高斯光束以及椭偏测厚方法设计了直线型的系统，并且运用可见光对系统校准，可以方便调节反射镜和样品台的位置，克服了太赫兹波不可见而难以调节的缺点。
一种利用可见光校准线型赫兹椭偏仪方法

[发明专利]一种椭偏仪优化校准方法-CN202011233878.1在审
发明人：李伟奇;陈军;张传维;郭春付 -专利权人：武汉颐光科技有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种椭偏仪优化校准方法，方法包括：步骤1，选用任意厚度的标准样品作为待测样品，对每台椭偏仪进行系统校准，得到椭偏仪的系统参数，使每台椭偏仪可以进行正常的测量；步骤2，使用每台椭偏仪测量特定厚度和光学常数的样品进行角度标定和优化，保证每台椭偏仪的实际测量角度和理论角度一致；步骤3，使用每台椭偏仪测量已知厚度和光学常数的标准样品进行波长校准，拟合得到每台椭偏仪的波长修正系数；步骤4，重新对每台仪器进行系统校准，将波长修正系数写入系统模型，更新系统参数，完成多台椭偏仪的优化校准。本发明实施例通过对多台椭偏仪分别进行优化校准，提高多台椭偏仪的测量结果一致性。
一种椭偏仪优化校准方法

[发明专利]光谱椭偏测量方法、系统及存储介质-CN202310325048.9在审
发明人：韩景珊;王瑜;杨峰;吕彤欣 -专利权人：睿励科学仪器（上海）有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明提供一种光谱椭偏测量方法、系统及存储介质。所述方法包括以下步骤：获取多组基于不同入射角度照射待测样品，并经由所述待测样品反射采集的实测光谱数据；将各组所述实测光谱数据代入预先建立的理论光谱模型，以分别确定基于各所述入射角度的实测椭偏函数值；改变所述理论光谱模型的膜层厚度参数，以分别获得对应各所述入射角度及多种候选膜层厚度的理论椭偏函数值；将关于各所述入射角度的理论椭偏函数值，分别与对应的实测椭偏函数值进行对比及误差分析，以确定光谱拟合误差；以及根据所述光谱拟合误差，确定所述待测样品表面的薄膜信息
光谱测量方法系统存储介质

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