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[发明专利]极性交替AlN模板的制备方法-CN202110716091.9在审
发明人：郭亚楠;蔡听松;刘志彬;闫建昌;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种极性交替AlN模板的制备方法，包括：在衬底表面沉积氮极性AlN；在所述氮极性AlN上沉积掩膜层；对所述掩膜层图形化，以暴露部分所述氮极性AlN；对氮极性AlN进行热处理，诱使所述掩膜层覆盖的所述氮极性AlN的极性反转，保持暴露的所述氮极性AlN的极性不变；去除所述掩膜层，得到表面极性交替的AlN结构；在表面极性交替的AlN结构上继续沉积AlN至预设厚度，得到所述极性交替AlN模板。
极性交替 aln 模板制备方法

[发明专利]一种酸催化降解非极性交替结构聚烯烃材料的方法-CN202310755519.X在审
发明人：马红卫;白洪源;韩丽 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C08J11/28 文献下载
摘要：本发明提供一种酸催化降解非极性交替结构聚烯烃材料的方法，属于可降解高分子材料技术领域。本具有交替结构的非极性聚烯烃材料可通过酸催化降解为小分子有机物，所述的非极性聚烯烃材料为环丙基苯乙烯、环丁基苯乙烯、2‑苯基‑1，3‑丁二烯、1‑环丙基‑1‑苯基‑1，3‑丁二烯或1‑环丁基‑1‑苯基‑1，3‑丁二烯与1,1‑二苯基乙烯衍生物DPEs的交替共聚物。以上提到的非极性交替结构聚烯烃经酸催化可降解为小分子，所涉及的酸催化剂包括路易斯酸、勃朗斯特酸。本发明通过简单的酸催化方法可将高分子量非极性交替结构聚烯烃材料降解为小分子有机物，同时此类小分子有机物还可接着通过自由基聚合、离子聚合及催化聚合等合成高分子量聚合物。
一种催化降解极性交替结构烯烃材料方法

[实用新型]极性交替供电的电磁吸盘装置-CN201120362873.9有效
发明人：李惕新;汪华平 -专利权人：机械工业第三设计研究院
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： B24B41/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种极性交替供电的电磁吸盘装置，包括电磁吸盘，还包括两只同步联动常开开关KA1和KA10，以及另外两只同步联动常开开关KA2和KA20，所述电磁吸盘的电磁线圈包括输入端I和输入端II，所述两只同步联动常开开关KA1、KA10和另外两只同步联动常开开关KA2、KA20在开关控制装置的控制下实现周期性的交替开闭，使电磁线圈逐次通电工作时，其通电极性交替变化，本实用新型的吸盘由于采用极性交替变换的供电方式，使电磁夹具所存在的剩磁为磁化曲线中必有的理论剩磁
极性交替供电电磁吸盘装置

[发明专利]一种多量子阱发光层、发光二极管及其制备方法-CN202310378783.6在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;程金连;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多量子阱发光层、发光二极管及其制备方法，方法包括获取一衬底；在衬底上依次生长N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、以及P型半导体层；其中，生长多量子阱发光层的方法包括在低温应力释放层上依次周期性交替生长Ga极性渐变阱前保护层、Ga极性阱层、Ga极性渐变阱后保护层、以及混合极性垒层；其中，生长混合极性垒层的方法包括在Ga极性渐变阱后保护层上依次周期性交替生长Ga极性垒层与N极性垒层。本申请通过交替层叠的Ga极性渐变阱前保护层、Ga极性阱层、Ga极性渐变阱后保护层及混合极性垒层，减小量子阱中受压应力形成的电场大小，致使量子阱能带倾斜和弯曲程度减轻，提高发光效率。
一种多量发光发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法-CN201710039132.9在审
发明人：刘三姐;郑新和;彭铭曾;侯彩霞;王瑾;何荧峰;李美玲 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的N‑极性GaN作为模板，在所述模板上通过光刻工艺制作图案化的光刻胶作为掩膜层，在所述掩膜层上用T‑ALD方法选择性生长用于极性变换的AlN，T‑ALD方法可使工艺温度低于掩膜层的熔点，保证掩膜层不变形，能制备均匀性好、厚度可以精确控制的AlN薄膜，剥离掩膜层图案化AlN，省去了传统图案化工艺的刻蚀步骤，避免了刻蚀对器件结构的损害，最后在裸露的N‑极性GaN模板和图案化的AlN上使用HVPE方法进行厚膜GaN生长，有望得到厚度达1mm的极性交替的GaN结构，以满足高功率器件对厚膜交替极性GaN的要求。
一种极性 gan 模板生长交替结构方法

[实用新型]一种刺激发生器-CN201720472800.2有效
发明人：刘志忠;刘逸 -专利权人：刘志忠;刘逸
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： A61N1/362 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗器械领域，公开了一种刺激发生器，包括至少两个脉冲输出电路和至少一个感知控制电路，该刺激发生器能够交替发放方向相反的刺激脉冲电流，等同于电极极性交替变换发放刺激脉冲。电极极性交替变换发放刺激脉冲能够大幅减少所刺激组织的不良反应性，减少组织极化电位和极化阻抗，降低刺激阈值，同时方便实施刺激发生器的阈值自动夺获功能，使刺激发生器电池寿命延长。
刺激发生器刺激脉冲电极极性交替变换发放电池寿命延长脉冲输出电路医疗器械领域本实用新型方向相反极化电位极化阻抗控制电路刺激感知

[发明专利]一种叉指换能器和声表面波滤波器-CN202210570526.8在审
发明人：左成杰;何军;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：安徽安努奇科技有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种叉指换能器，包括第一叉指区域和第二叉指区域；所述第一叉指区域和所述第二叉指区域并排排列，所述第一叉指区域包括根据极性交替排列的叉指，所述第二叉指区域包括根据极性交替排列的所述叉指；所述第一叉指区域中靠近所述第二叉指区域的第一个所述叉指与所述第二叉指区域中靠近所述第一叉指区域的第一个所述叉指的极性相同
一种叉指换能器和声表面波滤波器

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202210336307.3有效
发明人：侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，所述发光二极管外延片包括：衬底，以及在衬底上依次层叠的缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱层和P型层；多量子阱层包括x个周期性交替排布的混合极性量子阱层和量子垒层；混合极性量子阱层包括y个周期性交替排布的N极性面量子阱层和Ga极性面量子阱层。
发光二极管外延及其制备方法

[实用新型]可变化周期及受直流电极性驱动的日光灯或照明装置-CN91219090.6无效
发明人：杨泰和 -专利权人：杨泰和
申请日： 1991-07-25 - 公布日： 1992-04-29 - 主分类号： H05B41/29 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可变化周期及受直流电极性驱动的日光灯或照明装置以提供高稳定的照明功能，其包括直流电源供给装置为用以产生直流电源以驱动日光灯；极性交换开关为由机电式或固态元件所构成，用以依极性信号设定装置的指令以交替切换直流电源极性与灯管两侧呈正接或反接者；灯具；极性信号设定装置为一随机数产生装置，能形成一不定的高或低信号以驱动极性交换开关设定灯管两端的正负极性。
变化周期直流电极性驱动日光灯照明装置

[发明专利]双栅极横向像素反转驱动方法-CN201110391716.5有效
发明人：夏志强 -专利权人：上海中航光电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双栅极横向像素的反转驱动方法，主要包括：在每个预设时间段内仅打开一条栅极线，并向连接该栅极线的子像素的薄膜晶体管栅极发送栅极信号；在每个预设时间段内打开数据线，在横向上，相邻的两个子像素电连接的数据线输入相反极性的极性信号；在纵向上，由第一行子像素起始，相邻一行子像素电连接的数据线输入相同极性的极性信号，每隔一行的子像素电连接的数据线输入的相反极性的极性信号。本发明通过上述极性反转方式进行驱动，使得横向的子像素对应的极性正极性和负极性交替出现，纵向的子像素两两对应的极性正极性和负极性交替出现。
栅极横向像素反转驱动方法

[发明专利]磁检测装置以及磁检测方法-CN201380002444.2有效
发明人：山本刚生 -专利权人：旭化成微电子株式会社
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：、14)针对霍尔传感器(11)的四个端子中的相对置的两个端子切换来自偏压生成部(12)的电流的朝向，并且针对处于与该电流的朝向正交的方向而相对置的两个端子切换取出电压的朝向，以使在第一期间霍尔电动势的极性为第一极性且霍尔偏移电压的极性交替四次，在第二期间霍尔电动势的极性为作为与第一期间的极性相反的极性的第二极性且霍尔偏移电压的极性交替四次。
检测装置以及方法

[发明专利]液晶显示面板及具有液晶显示面板的液晶显示装置-CN201710654355.6在审
发明人：陈帅;张蒙蒙;安立扬 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示面板，由红色像素单元、绿色像素单元与蓝色像素单元呈矩阵排列组成，并且每相邻的两行像素单元形成一个像素单元组，同一像素单元组中位于同一列的像素单元的极性相同，而相邻的两像素单元组中位于同一列的像素单元的极性相反，以解决大视角观看时存在的色偏问题；并且每一行像素单元中相邻的红色像素单元的极性交替变化，以及每一行像素单元中相邻的蓝色像素单元的极性交替变化，以削弱整个显示画面上产生的颗粒感，从而大大的提升了显示效果
液晶显示面板具有液晶显示装置

[发明专利]一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法-CN201710039125.9在审
发明人：刘三姐;郑新和;彭铭曾;侯彩霞;王瑾;何荧峰;李美玲 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的Ga‑极性GaN作为模板，在模板上通过光刻工艺制作图案化的聚乙烯吡咯烷酮膜为掩膜层，在所述掩膜层上用PE‑ALD法选择性生长用于极性变换的Al2O3，PE‑ALD方法可使工艺温度低于掩膜层的熔点，保证掩膜层不变形的同时能制备均匀性好、厚度可精确控制的Al2O3薄膜，剥离掩膜层图案化Al2O3,并通过高温退火对Al2O3进行结晶化处理，最后在裸露的Ga‑极性GaN模板和图案化的Al2O3上使用氢化物气相外延方法进行厚膜GaN生长，有望满足高功率器件需要厚度达1mm的极性交替的GaN要求。
一种 ga 极性 gan 模板生长交替结构方法

[实用新型]磁控溅射装置-CN202221494950.0有效
发明人：王君 -专利权人：沈阳爱科斯科技有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：磁控溅射装置包括靶座机构和磁场机构；靶座机构包括靶座，磁场机构设置于靶座内，磁场机构包括多个极性交替排布的磁体，且相邻的两个磁控溅射装置之间相邻近的两个磁体的极性相反，以在多个磁控溅射装置之间形成闭合磁场由于镀膜设备中通常具有多个磁控溅射装置，因此，本申请通过使磁控溅射装置中的磁场机构包括的多个极性交替排布的磁体，并使相邻的两个磁控溅射装置之间相邻近的两个磁体的极性相反，从而能够使镀膜设备形成闭合的磁场
磁控溅射装置

[发明专利]电动机转子-CN03810292.7无效
发明人：志贺刚 -专利权人：株式会社东芝;东芝家电制造株式会社;东芝电器营销株式会社
申请日： 2003-04-02 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H02K1/27 文献下载
摘要：本发明的电动机转子具有使磁通的流动向极性不同的一方取向的、由磁粉的烧结体构成的永磁体(12)，在由磁性体构成的框架(11)的定子一侧将多个该永磁体(12)极性交替相反地排列而成。
电动机转子

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