专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果435413个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种测定氮化铝晶格含量的方法-CN202111304794.7有效
  • 韩丽辉;张智睿;于春梅;陈学娟;秦明礼;吴昊阳 - 北京科技大学
  • 2021-11-05 - 2022-06-28 - G01N21/3563
  • 本发明公开了一种测定氮化铝晶格含量的方法,属于分析测试技术领域。所述测定氮化铝晶格含量的方法包括以下步骤:将含烧结助剂的氮化铝样品、石墨粉和锡、铜二元浴料加入到耐高温容器中,采用分段升温模式加热耐高温容器中的混合物,利用红外吸收光谱法分段测定氮化铝样品释放出的,计算氮化铝晶格含量。本发明利用惰性熔融‑红外吸收法准确测定氮化铝晶格含量,通过选择合适的坩埚、添加剂和浴料,以及设置合理的分析参数来准确测定氮化铝晶格含量。该方法操作简单,易于掌握,能够有效区分测定晶格和其他含量,对于高性能氮化铝陶瓷的生产、科研及应用的质量控制提供了可靠保障。
  • 一种测定氮化晶格含量方法
  • [发明专利]一种硅片预处理方法-CN202211365442.7在审
  • 张清明;时锋 - 上海华力微电子有限公司
  • 2022-10-31 - 2023-01-10 - H01L21/02
  • 本发明提供的硅片预处理方法,通过氮化处理,可在硅片表面形成一掺氮的改性层,可减少硅片表面的杂质含量并可抑制改性层中沉淀晶格缺陷的形成;通过退火处理,进一步使硅片表面的杂质脱离,并修复表面的晶格缺陷,最终得到表面杂质含量和沉淀晶格缺陷含量符合预期的硅片。因此,本发明提供的硅片预处理方法,可有效降低硅片表面杂质和沉淀晶格缺陷的含量,从而提高后续制程的良率。
  • 一种硅片预处理方法
  • [发明专利]一种基于化学链晶格传递技术甲烷氧化偶联方法-CN201811254599.6有效
  • 肖睿;曾德望;邱宇 - 东南大学
  • 2018-10-26 - 2022-02-01 - C07C2/84
  • 本发明属于甲烷转化技术领域,特别涉及一种基于化学链晶格传递技术甲烷氧化偶联方法,利用一种具有甲烷催化裂解和选择性供功能的复合材料实现一步高效的甲烷氧化偶联;催化供材料由甲烷裂解催化剂和选择性供材料,催化部分为甲烷的活化裂解提供活性位点,供材料部分通过晶格传递原子为反应供,反应后的催化载体通过游离态氧化再生;催化载体氧化还原反应的循环实现该反应中的传递,避免了游离态与甲烷直接接触;定向控制晶格活性,减弱了甲烷过度氧化,提高了烯烃的选择性和烯烃的产率;在800℃~850℃,甲烷氧化偶联具有较高的反应活性和选择性。
  • 一种基于化学晶格传递技术甲烷氧化方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top