“晶圆级封装器件”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1824798个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]晶圆级封装结构和传感器-CN202222650211.2有效
发明人：宋亚伟;迟海;徐振宇 -专利权人：杭州海康微影传感科技有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆级封装结构和传感器，涉及集成电路的封装技术领域，能够提高晶圆级传感器的信号传输精度。晶圆级封装结构包括器件晶圆、多个参考器件区和垫层晶圆。参考器件区设置于器件晶圆上，被配置为设置参考器件。垫层晶圆设置于器件晶圆上，垫层晶圆包括多个垫层区，垫层区包括第一子部和第二子部；第二子部与第一子部相连。其中，一个参考器件区设置于第一子部围成的区域内，且第二子部且在器件晶圆上的正投影覆盖参考器件区。本申请提供的晶圆级封装结构和传感器用于传输感应信号。
晶圆级封装结构传感器

[发明专利]晶圆级封装、半导体器件单元及其制造方法-CN201810066705.1有效
发明人：南宗铉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：晶圆级封装、半导体器件单元及其制造方法。可以提供晶圆级封装和/或半导体器件单元。所述晶圆级封装可以包括设置在互连结构层上并且彼此横向分隔开的半导体芯片。所述晶圆级封装可以包括附接至所述半导体芯片的加固夹具。所述晶圆级封装可以包括模制层，所述模制层覆盖所述半导体芯片并且嵌入所述加固夹具。还提供了相关的方法。
晶圆级封装半导体器件单元及其制造方法

[发明专利]一种MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构-CN202011613882.0在审
发明人：苏航;李永智;吕军;赖芳奇;金科 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构，属于半导体技术领域。所述MEMS器件晶圆级封装方法包括，在盖板基板的第一端沿第一预设位置的外周开设开槽；第一端安装载板使第一预设位置的盖板基板连接在载板上；去除盖板基板的与第一端相对的第二端的材料，使开槽为通槽；在盖板基板的第二端的第二预设位置设置第一胶层；MEMS晶圆包括器件结构和设置在器件结构四周的金属垫，第一预设位置对应的盖板基板和第一胶层封装器件结构，金属垫与通槽相对设置；去除载板。所述MEMS器件晶圆级封装结构通过上述的MEMS器件晶圆级封装方法制成。本发明的MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构，简化工艺，封装效率高，结构尺寸小。
一种 mems 器件晶圆级封装方法结构

[发明专利]一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构-CN202011612118.1在审
发明人：吉萍;李永智;吕军;金科;赖芳奇 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，属于MEMS器件的封装技术领域。所述MEMS器件的晶圆级封装方法包括，硅本体的端面上设有氧化硅层，在氧化硅层的端面上设置第一金属层，第一金属层设置在载体上；沿第二预设区的外周去除硅本体及氧化硅层的材料，使第一金属层背离载体的端面露出；在第三预设区设置第二金属层，第二金属层与第一金属层接触连接；MEMS晶圆与第二金属层粘接；去除载体，ASIC芯片与第一金属层粘接，在第一金属层上焊锡。所述MEMS器件的晶圆级封装结构通过上述的封装方法制成。本发明的MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，结构体积小，生产成本低，生产效率高。
一种 mems 器件晶圆级封装方法结构

[发明专利]一种晶圆级真空封装的IR FPA器件及其制造方法-CN201210088348.1有效
发明人：欧文;蒋文静 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级真空封装的IRFPA器件及其制造方法，采用2片晶圆键合的方式来实现红外探测器的制作及实现其晶圆级封装，把CMOSIC与MEMS器件分开制作，既实现与CMOSIC的集成，又增加MEMS红外探测器器件制作的灵活性，又能同时实现晶圆级封装。本发明的优点是：通过在一片晶圆上制作CMOS读出电路和共振吸收结构的反光板，利用另外一片晶圆制造IRFPA的MEMS结构部分，同时利用这片晶圆做IRFPA的红外光窗，既利用共振吸收结构提供了红外IRFPA器件的红外吸收效率，同时实现IRFPA器件的晶圆级封装，有利于减小IRFPA器件的尺寸和降低制作成本。
一种晶圆级真空封装 ir fpa 器件及其制造方法

[发明专利]晶圆级封装方法以及封装结构-CN201811028259.1有效
发明人：罗海龙;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级封装方法和封装结构，所述封装方法包括：形成键合结构，所述键合结构包括：器件晶圆以及键合于所述器件晶圆的多个第一芯片；在所述多个第一芯片以及第一芯片露出的所述器件晶圆上保形覆盖绝缘层；在所述绝缘层上保形覆盖屏蔽层；在所述屏蔽层上形成封装层。所述晶圆级封装结构，包括：器件晶圆；多个第一芯片，键合于所述器件晶圆；绝缘层，保形覆盖在所述多个第一芯片以及第一芯片露出的所述器件晶圆上；屏蔽层，保形覆盖于所述绝缘层；封装层，位于所述屏蔽层上。本发明减小所形成封装结构的体积和厚度。
晶圆级封装方法以及结构

[发明专利]晶圆级封装方法及晶圆级封装结构-CN202210762392.X在审
发明人：陈海杰;胡震;刘昊宇 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，晶圆级封装方法包括如下步骤：在器件晶圆的键合面或者保护层的键合面上与器件晶圆边缘的无效区相对应的区域成型至少一圈封边层；在器件晶圆的键合面或者保护层的键合面上与器件晶圆中包围芯片功能区的外围区相对应的区域成型支撑层；利用支撑层以及封边层将所述器件晶圆与所述保护层相键合，所述支撑层与所述保护层形成收容器件的空腔；达到防渗漏的作用，可以保护器件晶圆中的器件区的正面不受污染，提高良率。
晶圆级封装方法结构

[发明专利]晶圆级封装结构及其制作方法、传感器-CN202211201640.X在审
发明人：宋亚伟;迟海;徐振宇 -专利权人：杭州海康微影传感科技有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆级封装结构及其制作方法、传感器，涉及集成电路的封装技术领域，能够提高晶圆级传感器的信号传输精度。晶圆级封装结构包括器件晶圆、多个参考器件和垫层晶圆。参考器件设置于器件晶圆上，被配置为设置参考器件。垫层晶圆设置于器件晶圆上，包括相连的第一子部和第二子部；第一子部围绕参考器件设置；其中，一个参考器件区设置于第一子部围成的区域内；第二子部在器件晶圆上的正投影覆盖参考器件区；以及，沿远离器件晶圆的方向，
晶圆级封装结构及其制作方法传感器

[发明专利]一种晶圆级封装分割方法及晶圆级封装器件-CN201911076433.4在审
发明人：战毅;孙传彬;董国强;陈文礼;陈文祥;公衍刚 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开了晶圆级封装分割方法，包括获得由窗口层晶圆和器件层晶圆键合成的预处理晶圆，窗口层晶圆具有多个间隔排列的功能型凹槽和第一分割凹槽，器件层晶圆具有多个第二分割凹槽、读出电路和多个微桥结构；研磨窗口层晶圆，直至窗口层晶圆的厚度等于或小于第一分割凹槽的深度；通过读出电路进行晶圆级测试，获得经研磨的预处理晶圆的性能；将预设填充物填充至晶圆级测试后的预处理晶圆的第一分割凹槽和第二分割凹槽，得到填充后预处理晶圆；研磨填充后预处理晶圆的器件层晶圆，直至器件层晶圆的厚度等于或小于第二分割凹槽的深度，得到待分割晶圆；去除预设填充物，得到单个的晶圆级封装器件，提高晶圆级封装器件的良率和生产效率，降低成本。
晶圆预处理分割窗口层器件层研磨填充晶圆级封装器件晶圆级测试填充物读出电路预设晶圆级封装间隔排列生产效率微桥结构良率去除合成申请

[发明专利]一种晶圆级系统封装方法以及封装结构-CN201811572346.3有效
发明人：刘孟彬;石虎 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级系统封装方法以及封装结构。所述方法包括：提供承载晶圆，在所述承载晶圆上粘结芯片；在所述承载晶圆上形成键合材料层，以覆盖所述芯片并作为封装层；提供形成有芯片的器件晶圆，并将所述器件晶圆形成有芯片的面与所述承载晶圆经所述键合材料层相接合；形成将所述承载晶圆上的芯片和/或所述器件晶圆上的芯片电性连接到表面的插塞。本发明的封装方法在晶圆上完成封装制造，既完成了多种芯片的集成，又实现了在晶圆上完成封装制程等制造优势。由本发明的晶圆级系统封装方法制备获得的封装结构同样具有更高的性能和良率。
一种晶圆级系统封装方法以及结构

[发明专利]一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构及其方法-CN202111142381.3在审
发明人：陈崧;杨佩佩;朱其壮;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构及其方法。集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构包括：晶圆衬底；滤波器结构，位于晶圆衬底的一侧，滤波器结构包括电极和叉指换能结构；封装绝缘层，位于滤波器结构远离晶圆衬底的一侧；封装绝缘层覆盖滤波器结构且完全或者不完全暴露电极，并与晶圆衬底围成封闭的容纳腔；叉指换能结构位于容纳腔内；金属无源器件层，位于封装绝缘层内且与电极电接触；金属无源器件层包括多个连接端子，封装绝缘层完全或者不完全暴露连接端子。本实施例的技术方案，在滤波器晶圆级封装过程中实现了无源器件与滤波器晶圆级的集成，从而实现了滤波器芯片的集成化和微型化以及集成工艺流程的简单化和低成本化。
一种集成无源器件滤波器晶圆级封装结构及其方法

[实用新型]一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构-CN202122339810.8有效
发明人：陈崧;杨佩佩;朱其壮;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构。集成无源器件的滤波器晶圆级封装结构包括：晶圆衬底；滤波器结构，位于晶圆衬底的一侧，滤波器结构包括电极和叉指换能结构；封装绝缘层，位于滤波器结构远离晶圆衬底的一侧；封装绝缘层覆盖滤波器结构且完全或者不完全暴露电极，并与晶圆衬底围成封闭的容纳腔；叉指换能结构位于容纳腔内；金属无源器件层，位于封装绝缘层内且与电极电接触；金属无源器件层包括多个连接端子，封装绝缘层完全或者不完全暴露连接端子，据此，在滤波器晶圆级封装过程中实现了无源器件与滤波器晶圆级的集成
一种集成无源器件滤波器晶圆级封装结构

[实用新型]一种MEMS器件晶圆级封装结构-CN202023282843.5有效
发明人：苏航;李永智;吕军;赖芳奇;金科 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MEMS器件晶圆级封装结构，属于半导体技术领域。所述MEMS器件晶圆级封装结构包括MEMS晶圆、盖板基板和干膜，MEMS晶圆包括器件结构和设置在器件结构四周的金属垫；盖板基板包括至少两个分板，各个分板分别与器件结构对应设置，金属垫设置在各个分板四周，盖板基板连接在MEMS晶圆上；干膜连接在盖板基板和MEMS晶圆之间，盖板基板和所述干膜封装所述器件结构。本实用新型的MEMS器件晶圆级封装结构，通过金属垫与外部结构连接取代引线连接，工艺简单，可靠性高；干膜粘接盖板基板和MEMS晶圆，能降低封装结构的厚度。
一种 mems 器件晶圆级封装结构

[发明专利]QFN封装的晶圆级处理技术-CN201280002459.4有效
发明人： V·卡恩德卡尔;K·坦比杜赖;A·阿什拉夫扎德;A·科尔卡;H·D·阮 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明描述了例如晶圆级封装半导体器件的半导体封装器件，其具有用于提供电气的相互连接性的柱。在实施方式中，晶圆级封装器件包括集成电路芯片，其具有至少一个形成于集成电路芯片上的柱。晶圆级封装器件还包括配置成支撑该柱的包装结构。
集成电路芯片晶圆级封装器件连接性半导体封装器件半导体器件晶圆级封装包装结构晶圆级配置支撑

[发明专利]一种无源器件堆叠滤波器晶圆级封装方法-CN202210067325.6有效
发明人：朱其壮;倪飞龙;蒋海洋;金科;吕军 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种无源器件堆叠滤波器晶圆级封装方法，将集成无源器件的第二晶圆上滤波器的电极位置相对应的位置制作通孔，将第二晶圆切分成芯片后，通过贴片的方式键合到滤波器晶圆的围堰上，滤波器的围堰暴露电极及功能区域，从而实现不同尺寸无源器件芯片与滤波器晶圆的晶圆级封装，不仅提高了封装效率，晶圆的利用率，而且还能够提高良品率，降低封装损耗。
一种无源器件堆叠滤波器晶圆级封装方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条