专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种激光和频晶体光面的保护结构及保护方法-CN201710562559.7在审
  • 吕锋;李康;唐瑞雷 - 武汉华日精密激光股份有限公司
  • 2017-07-11 - 2017-09-12 - H01S3/02
  • 本发明提供了一种激光和频晶体光面的保护结构及保护方法,所述和频晶体具有入光面和出光面,所述出光面上贴合有一层薄片。本发明通过在和频晶体的出光面增加具有保护效果的薄片,避免高能量光子对暴露在空气中的和频晶体的出光面造成损伤,有效的提高和频晶体的使用寿命;外界颗粒以及高能量光子分解的环境中污染物会吸附在薄片表面,不会直接吸附在和频晶体光面上,当薄片表面的污染物严重影响输出特性时,简单更换薄片就能够恢复和频晶体的正常使用;本发明设计简单,易于实施,针对不同类型及不同形状的和频晶体通用性强。
  • 一种激光晶体光面保护结构方法
  • [发明专利]检测元件-CN202011084117.4在审
  • 丁景隆;曾名骏;陈厚典;郭拱辰 - 群创光电股份有限公司
  • 2020-10-12 - 2022-04-12 - G01D5/26
  • 本发明提供一种检测元件,包括第一检测单元、第二检测单元及驱动晶体管。第一检测单元包括第一晶体管及第一感应单元。第一晶体管及第一感应单元电性连接。第二检测单元和第一检测单元电性连接。第二检测单元包括第二感应单元及第二晶体管。第二感应单元及第二晶体管电性连接。驱动晶体管具有栅极端。栅极端电性连接至第一感应单元及述第二感应单元。在一时间区间,第一晶体管不导,且第二晶体管导
  • 检测元件
  • [实用新型]一种晶体起偏器-CN200920139188.2有效
  • 吴砺;凌吉武;贺坤;余洪瑞;孙朝阳 - 福州高意通讯有限公司
  • 2009-06-24 - 2010-05-26 - G02B5/30
  • 本实用新型涉及光学领域,尤其涉及晶体光学起偏器领域。本实用新型的晶体起偏器,包括第一晶体棱镜片和第二晶体棱镜片,两者的光面平行,胶的斜面与光面呈一定起偏角。所述的第一晶体棱镜片和第二晶体棱镜片的斜面均镀胶膜层,通过胶或深化胶构成一整体。此胶膜的折射率与双折射晶体棱镜片的o与e折射率较小值或较大值相同或相近,从而利用全内反射将o与e分开。本实用新型采用如上技术方案,具有结构简单的优势,降低了原有光学晶体起偏器的成本,且改善了入射的损耗较大、透过率较低的不足。
  • 一种晶体起偏器
  • [实用新型]一种阵列式声光调制器-CN201620234901.1有效
  • 李建东;余洪瑞;王启平;江山 - 福州腾景光电科技有限公司
  • 2016-03-25 - 2016-08-17 - G02F1/125
  • 包括一声晶体、多个输入光纤准直器、多个输出光纤准直器和至少一换能器,所述输入光纤准直器设置于声光晶体一侧光面处,输入光纤准直器输出的信号经声光晶体一侧光面进入声光晶体,所述输出光纤准直器设置于声光晶体另一侧光面处,用于接收经声光晶体衍射后的信号,所述换能器键合于声光晶体上与两侧光面相邻的一侧面上。本实用新型实现了同一声晶体中的多路控制,大大提高了晶体的利用率,且阵列式结构对于对产品集成化与小型化都有重要的意义,同时由于晶体利用率大大提高,在产品成本上非常有优势。
  • 一种阵列声光调制器
  • [实用新型]复合退偏器-CN201320418510.1有效
  • 肖志全;张勇 - 武汉优光科技有限责任公司
  • 2013-07-15 - 2013-12-25 - G02B27/28
  • 本实用新型提供了一种不会引起路偏离的复合退偏器,包括三块石英晶体,第一块石英晶体的第一面为入射光通光面,所述第一块石英晶体的第二面为倾斜面,与截面交线沿水平或竖直方向;所述第一块石英晶体的光轴平行于入射光通光面,且与水平面成45度夹角;第二块石英晶体和第三块石英晶体分别为楔角匹配的左旋晶体和右旋晶体,且第二块石英晶体和第三块石英晶体的光轴与方向平行;所述第三块石英晶体的第一面为倾斜面,与截面交线沿水平或竖直方向,所述第三块石英晶体的第二面为出射光面。本实用新型对入射偏振方向敏感度较低,具有结构简单、退偏效果好的优势。
  • 复合退偏器
  • [实用新型]半导体二极管端面泵浦模块和具有其的激光器-CN201420213925.X有效
  • 赵裕兴;李立卫 - 苏州德龙激光股份有限公司
  • 2014-04-29 - 2014-09-03 - H01S3/0941
  • 本实用新型提供一种半导体二极管端面泵浦模块,包括:半导体二极管泵浦源,用于产生泵浦;准直聚焦单元,所述准直聚焦单元用于将所述泵浦准直并聚焦至一激光晶体内;晶体安装座,其上设置有用于安装所述激光晶体孔,所述孔内壁镀有反射层,其中,自所述激光晶体内发散的泵浦可被所述反射层反射回所述激光晶体内再次吸收。与现有技术相比,本实用新型通过在晶体安装座的孔内壁上度反射层,使得经过反射的泵浦光在整个晶体内部完成多次吸收,大大增加了泵浦与基膜震荡的重叠率,提升了泵浦的利用效率。
  • 半导体二极管端面模块具有激光器
  • [实用新型]一种光斑位置可调的四激光放大系统-CN202022982940.9有效
  • 陈政;孟婷;张吉生;罗薇;傅立斌 - 精快激光科技(苏州)有限公司
  • 2020-12-11 - 2021-07-30 - H01S3/08
  • 本实用新型公开了一种光斑位置可调的四激光放大系统,包括激光生成装置、放大路;放大路中包括偏振组件、激光晶体以及屋脊棱镜反射镜;LD泵浦激光器向激光晶体发出泵浦,激励激光晶体的增益介质,对种子/激光进行增益放大;通过旋转屋脊棱镜反射镜调节双激光晶体的激光光路的分离距离,以控制屋脊棱镜反射镜反射的激光与泵浦重叠的模体积;激光生成装置将输出的种子注入偏振组件,通过偏振组件改变激光的偏振方向,以使激光两次双激光晶体,实现四激光晶体后,出射放大的激光。本申请通过旋转屋脊棱镜反射镜来控制激光在激光晶体里的位置,得到不同泵浦光斑大小下最佳匹配条件,实现充分利用泵浦,确保保证光斑质量。
  • 一种光斑位置可调四通激光放大系统
  • [发明专利]激光晶体抗热畸变的冷却装置及实现方法-CN200910070422.5无效
  • 柴路;葛文琦;闫杰;胡明列;王清月 - 天津大学
  • 2009-09-11 - 2010-02-24 - H01S3/042
  • 本发明目的是提供一种激光晶体抗热畸变的冷却装置及实现方法。本发明包括环绕式水冷套,制冷池,半导体制冷器和排气风扇,制冷池的顶面与半导体制冷器的制冷端相连接,制冷池的下端安装排气风扇,制冷池的侧面有窗口;激光晶体安装在环绕式水冷套中间;环绕式水冷套内以温度可调的循环水,环绕式水冷套与冷却池隔热密封连接;环绕式水冷套置于制冷池中间;晶体方向对准制冷池的窗口。本发明采用冷却水必须采用环绕方式和通过适当“升温”来减小晶体侧向边界与晶体中心的温差已经以及采用环绕冷气对晶体进行整体散热,降低了激光晶体中的横向温差,大大减小了晶体的“热畸变”,从而可以明显改善激光的光束质量
  • 激光晶体抗热畸变冷却装置实现方法
  • [实用新型]一种腔内倍频微片激光器-CN201320310819.9有效
  • 陈建林 - 福建华科光电有限公司
  • 2013-05-31 - 2013-12-25 - H01S3/08
  • 本实用新型提供一种腔内倍频微片激光器,包括按方向上依次排列半导体泵浦激光器、耦合透镜、激光晶体及倍频晶体,所述激光晶体前端面镀制基频及倍频的高反射率的薄膜,作为激光腔前腔镜,所述倍频晶体后端面镀制对基频高反射率,对倍频高透过率的薄膜,作为激光腔的后腔镜,所述激光晶体的后端面和倍频晶体的前端面镀制对基频的增透膜,所述激光晶体和倍频晶体之间且位于口径外的两侧区域分别设有一根去除涂覆层后的裸纤,该两裸纤将激光晶体及倍频晶体两平面等间距隔离开,从而使激光晶体与倍频晶体形成分立的平平腔结构。本实用新型在实现小尺寸的同时,还能极大程度地提高出功率及改善光斑质量,且成本低。
  • 一种倍频激光器

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