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- [发明专利]晶体管漏电流的测试方法-CN201310096185.6有效
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韦敏侠
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2013-03-22
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2016-04-06
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G01R1/26
- 一种晶体管漏电流的测试方法，包括：提供第一测试区域，第一测试区域包括晶体管和测试焊点，晶体管和所述测试焊点连接；对第一测试区域的测试焊点进行测试，获得晶体管的漏电流总值；提供第二测试区域，第二测试区域包括晶体管和测试焊点，第二测试区域中的晶体管、测试焊点与第一测试区域中的晶体管、测试焊点的布局和结构均相同，第二测试区域中与晶体管漏极对应的测试焊点和晶体管的漏极断开；对第二测试区域的测试焊点进行测试，获得寄生电流值；晶体管的漏电流值等于漏电流总值减去寄生电流值采用本发明的方法获得的晶体管的漏电流参数值测试结果精确，而且方法简单，不影响整个晶体管工艺的进行，对芯片没有任何损伤。
- 晶体管漏电测试方法
- [发明专利]晶体管电性测试结构及测试方法-CN201811477002.4有效
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马杰
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上海华力微电子有限公司
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2018-12-05
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2021-04-13
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G01R31/26
- 本发明公开了一种晶体管电性测试结构，利用该结构对晶体管进行测试，以获取其电性性能参数，所述的测试结构为多个晶体管组成的阵列结构，包含n*m个晶体管。晶体管全部以并联形式连接，位于阵列中外围位置的晶体管还可选择地设为冗余晶体管。本发明还公开所述的晶体管电性测试结构的测试方法，对并联的栅极、源极、漏极进行标准的电性测试，通过相对较大的测试电流来提高测试精度。将大电流测试下得到的参数值对晶体管数量来做平均值，得到单只晶体管的电性参数，同时将位于阵列边缘的外围晶体管做为冗余管不计入测试数据，可以降低测试误差。
- 晶体管测试结构方法
- [发明专利]显示基板母板及其漏电测试方法-CN202211057825.8在审
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冉营营
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昆山国显光电有限公司
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2022-08-30
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2022-12-13
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H01L21/66
- 本申请公开了一种显示基板母板及其漏电测试方法，涉及显示领域。显示基板母板具有非显示区和多个显示区，显示区之间间隔非显示区，显示基板母板包括：驱动电路，位于显示区，驱动电路包括至少一个开关晶体管；至少一个测试模块，位于非显示区，测试模块至少包括第一测试晶体管和第二测试晶体管，第一测试晶体管的沟道宽长比与开关晶体管的沟道宽长比相同；第二测试晶体管的沟道宽长比与开关晶体管的沟道宽长比不同，且第二测试晶体管的沟道宽度与开关晶体管的沟道宽度相同，或第二测试晶体管的沟道面积与开关晶体管的沟道面积相同根据本申请实施例，能够确定显示基板母板中驱动电路的开关晶体管的漏电来源。
- 显示母板及其漏电测试方法
- [发明专利]半导体测试结构及半导体测试方法-CN202211651879.7有效
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陈李萍;易文玉;李燕玲
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广州粤芯半导体技术有限公司
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2022-12-22
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2023-03-10
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H01L23/544
- 本发明涉及一种半导体测试结构及半导体测试方法。半导体测试结构包括：测试单元，测试单元包括：第一传输晶体管、第二传输晶体管、第三传输晶体管、第四传输晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第一测试焊盘、第二测试焊盘及第三测试焊盘；其中，第一测试焊盘与第一传输晶体管的第一端和第二传输晶体管的第一端均相连接；第二测试焊盘与第三传输晶体管的第一端、第四传输晶体管的第一端、第一下拉晶体管的第一端和第二下拉晶体管的第一端均相连接。通过测试各焊盘之间的漏电流的大小，从而能够确认对应的层间介质层内是否存在空洞，从而无需对半导体结构进行切片，从而能够节约成本。
- 半导体测试结构方法
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