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- [发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202080092801.9在审
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程凯;张丽旸
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苏州晶湛半导体有限公司
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2020-04-26
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2022-12-02
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H01L21/02
- 一种半导体结构的制作方法及半导体结构,所述制作方法包括:提供衬底(1);在所述衬底(1)上形成无定形层(2),所述无定形层(2)包括多个图形(21),使部分衬底(1)暴露;在所述无定形层(2)上形成金属氮化物层(3);去除所述无定形层(2),所述衬底(1)与所述金属氮化物层(3)之间形成多个空腔(30);去除所述衬底(1)。在衬底(1)上形成无定形层(2),并在无定形层(2)上形成金属氮化物层(3),无定形层(2)可抑制外延生长时产生滑移或位错,从而提高金属氮化物层(3)的质量,改善半导体结构的性能,同时金属氮化物层(3)
- 半导体结构制作方法
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