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[发明专利]无定形活性碳材料及其生产方法-CN201310484819.5在审
发明人： K·P·加德卡里;刘佳 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C01B31/12 文献下载
摘要：本发明涉及无定形活性碳材料及其生产方法。用于生产无定形活性碳的方法包括：将碳前体加热至足以形成部分致密的无定形碳的温度，使得所述部分致密的无定形碳活化，以生产无定形活性碳。为了促进无定形碳的高效活化，对碳化进行控制，以生产无定形碳材料，所述无定形碳材料在活化之前的密度是无定形碳的最大密度的85-99%。
无定形活性碳材料及其生产方法

[发明专利]适用于无定形节点网络中干扰抑制的半静态频率复用方法-CN201310471165.2有效
发明人：粟欣;曾捷;李泽娇;张琛;肖驰洋;方娜燕 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H04W16/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于无定形节点网络中干扰抑制的半静态频率复用方法，属于无线网络通信技术领域。无定形节点在受其他无定形节点干扰较低时，使用全部非预留频率工作，处于第一模式；多个无定形节点相遇时，无定形节点进入第二模式以避免无定形节点之间的干扰。各无定形节点通过其邻区列表来管理无定形节点工作模式，宏基站通过干扰列表为相互干扰的无定形节点分配频率以避免无定形节点间的干扰。本方法可用于无定形节点网络及其他动态变化结构的小区频率分配方案中，有效解决了无定形节点网络中，低速或游牧移动的小区之间的干扰问题，提高频谱效率的同时降低系统开销，通过避免干扰提高系统容量。
适用于无定形节点网络干扰抑制静态频率方法

[发明专利]用基于无定形聚-α-烯烃和/或改性无定形聚-α-烯烃的热熔体对人造草皮原料进行背面固定-CN200610094549.7有效
发明人： M·韦;L·明达赫;H·-D·查格夫卡 -专利权人：赢创德固赛有限责任公司
申请日： 2006-06-09 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：用基于无定形聚-α-烯烃和/或改性无定形聚-α-烯烃的热熔体对人造草皮原料进行背面固定用基于无定形聚-α-烯烃和/或改性无定形聚-α-烯烃的热熔体对人造草皮原料进行背面固定。本发明涉及用基于无定形聚-α-烯烃和/或改性无定形聚-α-烯烃的热熔体对人造草皮原料进行背面固定、它们的制备方法以及基于无定形聚-α-烯烃和/或改性无定形聚-α-烯烃的热熔体对人造草皮原料进行背面固定的用途
基于无定形烯烃改性热熔体人造草皮原料进行背面固定

[发明专利]包含无定形活性物质的稳定药物制剂-CN200380100991.0有效
发明人： A·巴斯塔德;M·萨洛比尔;R·格拉海克 -专利权人：力奇制药公司
申请日： 2003-10-10 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： A61K31/40 文献下载
摘要：本发明涉及暴露于惰性气体气氛的包含无定形活性物质的药物制剂。描述了稳定包括含有无定形活性物质的药物剂型的药物制剂的方法、稳定包含无定形活性物质的药物剂型的方法和稳定无定形活性物质的方法。无定形活性物质可以是无定形阿托伐他汀。
包含无定形活性物质稳定药物制剂

[发明专利]制备铁基无定形金属粉末的方法及用其制备软磁芯的方法-CN200310102342.6有效
发明人：宋容卨;洪载和;金希镇 -专利权人：阿莫泰克有限公司
申请日： 2003-10-24 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用铁基无定形金属粉末制备无定形软磁芯的方法。通过对利用快速凝固方法(RSP)制得的无定形薄带进行碾压可获得无定形软磁粉末。通过如下步骤得到磁芯：对由利用RSP制得的铁基无定形金属合金组成的无定形金属薄带进行预热处理；碾压该无形定金属薄带以获得无定形金属粉末；对无定形金属粉末进行分类，然后混合成具有最佳均匀组成分布的粉末颗粒；将混合的无定形金属粉末和粘结剂混合以成形为磁芯；及对成形的磁芯进行退火，然后用绝缘树脂涂布该磁芯。
制备无定形金属粉末方法软磁芯

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410325768.6有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成无定形碳层，且所述无定形碳表面具有结晶源；对所述无定形碳层表面进行氧化处理，氧化去除所述结晶源。本发明氧化去除位于无定形碳层表面的结晶源，防止所述结晶源在与外界环境接触后体积增加，从而避免无定形碳层表面的结晶现象，进而提高无定形碳层表面平坦度，提高形成的无定形碳层的质量。
半导体结构形成方法

[发明专利]无定形碳膜的处理方法，开口的形成方法-CN201110224905.3有效
发明人：张彬;鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种无定形碳膜的处理方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成无定形碳膜；对所述无定形碳膜进行退火处理；对经过退火处理的无定形碳膜进行紫外光处理。通过本发明所提供的无定形碳膜的处理方法，无定形碳膜中氢原子分布均一，使得无定形碳膜的刻蚀速度均一，有利于在不同区域刻蚀时形成平坦、均匀的刻蚀表面，从而提高半导体器件的性能。相应地，本发明还提供对经过上述处理的无定形碳膜进行刻蚀形成开口的方法。
无定形碳处理方法开口形成

[发明专利]无定形盐酸伊伐布雷定-CN200810111115.2无效
发明人：雒岗;贾炎;张金城 -专利权人：北京深蓝海生物医药科技有限公司
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C07D223/16 文献下载
摘要：本发明公开了无定形盐酸伊伐布雷定及其制备方法。本发明所指的无定形盐酸伊伐布雷定是指经粉末X-射线衍射方法检测，至少80％以上以无定形形式存在。该无定形的制备方法是将含有盐酸伊伐布雷定的溶液脱溶，得到无定形的固体。另外，本发明还涉及含有无定形盐酸伊伐布雷定的药用组合物。
无定形盐酸布雷

[发明专利]噁唑烷酮类化合物的无定形物及其制备方法和应用-CN202011591226.5在审
发明人：郭彬;杨玉社 -专利权人：中国科学院上海药物研究所
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C07D498/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种噁唑烷酮类化合物的无定形物及其制备方法和应用。本发明的噁唑烷酮类化合物的结构如式I所示，所述无定形物为无定形物II、无定形物III或无定形物IV，其中，所述无定形物II具有基本上如图1所示的X射线粉末衍射图；所述无定形物III具有基本上如图4所示的X射线粉末衍射图；所述无定形物IV具有基本上如图7所示的X射线粉末衍射图。本发明的无定形物，溶解性好、稳定性高、制备工艺方便，更适合规模工业生产。
噁唑烷酮类化合物无定形及其制备方法应用

[发明专利]无定形碳硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法-CN201110383465.6有效
发明人：张彬;邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种无定形碳硬掩膜层的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成初始无定形碳硬掩膜层，形成所述初始无定形碳硬掩膜层的反应温度为200～300摄氏度；采用含氮等离子体处理所述初始无定形碳硬掩膜层，形成无定形碳硬掩膜层。本发明无定形碳硬掩膜层的形成方法，采用低温工艺形成初始无定形碳硬掩膜层，采用含氮等离子体处理所述初始无定形碳硬掩膜层，形成致密性高的无定形碳硬掩膜层，降低了热预算，提高了器件稳定性。
无定形碳硬掩膜层形成方法刻蚀

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201210292632.0有效
发明人：郑春生 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，在衬底上依次形成第一缓冲层、第一无定形碳层、第二缓冲层以及第二无定形碳层，利用第二无定形碳层作掩膜刻蚀第一无定形碳层形成无定形碳牺牲栅极，并利用第二缓冲层覆盖在无定形碳牺牲栅极上，并在堆叠结构侧壁形成保护层，所述保护层和覆盖在无定形碳牺牲栅极上的第二缓冲层共同保护所述无定形碳牺牲栅极，防止后续进行的氧气灰化工艺中的等离子体损伤所述无定形碳牺牲栅极，确保最终形成的金属栅极的质量。
半导体器件制造方法

[发明专利]使用覆盖层的无定形材料相变方法-CN200380102493.X有效
发明人：张震;崔钟炫;金都荣;秋秉权 -专利权人：张震
申请日： 2003-11-06 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供无定形材料的相变方法，包括以下步骤：在电介质衬底上沉积无定形材料；在无定形材料上形成覆盖层；在覆盖层上沉积金属；使无定形材料结晶。根据本发明，无定形材料的表面被覆盖层所保护，从而获得洁净表面并且在热处理和样品处理期间显著降低表面粗糙度。而且，将覆盖层置于无定形材料和金属之间来扩散金属，从而显著减少由于在传统方法中金属和无定形材料直接接触所导致的金属污染。
使用覆盖层无定形材料相变方法

[发明专利]无定形碳层的处理与形成方法、半导体器件的制作方法-CN201110296697.8有效
发明人：张彬;鲍宇;邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种处理无定形碳层的方法，所述方法包括对形成的无定形碳层进行紫外线处理；其中，在300-550℃的温度条件下、氦气(He)环境中，进行所述紫外线处理。本发明还提供一种高厚度无定形碳层的形成方法，以及利用上述无定形碳层制作半导体器件的方法。本发明通过对形成的无定形碳层进行紫外线处理，以去除无定形碳层内的大颗粒惰性气体原子，从而可以改善无定形碳层质量。
无定形碳处理形成方法半导体器件制作方法

[发明专利]一种提取无定形氧化铁的方法-CN202111159348.1在审
发明人：陶亮;宋洁;温晓翠;刘冬;陈文洁;陈雯妍 -专利权人：广东省科学院生态环境与土壤研究所
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种提取无定形氧化铁的方法，对酸性草酸铵作为传统的提取无定形氧化铁的方法进行系列优化，从而提高了无定形氧化铁的提取量，尤其是土壤中无定形氧化铁的提取量，并使得检测出的土壤中无定形氧化铁的含量更加准确
一种提取无定形氧化铁方法

[发明专利]一种含准金属态锂的无定形碳基复合负极材料的制备方法和应用-CN202111032673.1有效
发明人：李念武;于乐;苏凯;金童 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种含准金属态锂的无定形碳基复合负极材料的制备方法和应用。本发明将无定形碳、粘结剂和导电剂制成无定形碳电极，以所述无定形碳电极作为负极，对无定形碳负极进行锂化，从而获得无定形碳基复合负极材料，所述无定形碳基复合负极材料中含有准金属态锂。使用本发明的无定形碳基复合负极作为储能电池负极，有极好的导电性，其内部所具备的无序碳所组成的纳米级别的孔隙为准金属态锂的可逆存储提供了特殊的限域空间，可有效减少电解液与金属锂的反应，显著提高负极的循环稳定性
一种金属无定形碳复合负极材料制备方法应用

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