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[发明专利]一种存储设备及其控制方法和控制装置-CN201911257879.7在审
发明人：贺元魁;潘荣华 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储设备及其控制方法和控制装置，控制方法包括：接收第一编程指令，并对第一编程指令中的编程数据进行校验；如果检测到第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据，执行编程操作。本发明实施例中，在执行编程操作之前先对编程数据进行校验，只有包含有效编程数据时，才执行编程操作；反之，只有无效编程数据时，不执行编程操作。因此，在用户输入的原始数据都是无效编程数据即FFh，不做编程操作，如此避免空做一次编程操作，降低对存储单元造成编程妨碍影响，提高了编程效率。
一种存储设备及其控制方法装置

[发明专利]非易失性存储器及其编程方法、计算机系统-CN202210185454.5在审
发明人：金龙云 -专利权人：东芯半导体股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供非易失性存储器及其编程方法、计算机系统。非易失性存储器的编程方法包括：对目标编程页面的存储单元施加编程脉冲的编程步骤；对施加编程脉冲后的存储单元进行编程验证，判断存储单元是否被编程的编程验证步骤；及对目标编程页面进行逐列扫描，判断对目标编程页面的编程操作是否成功的数据扫描步骤，重复编程步骤、编程验证步骤及数据扫描步骤，直至对目标编程页面的编程操作成功，该编程方法中，将目标编程页面的存储单元按列划分为多个数据块，在数据扫描步骤中，对各数据块依次进行扫描以判断数据块是否编程成功，在判断为数据块编程成功时，进行下一数据块的扫描，在判断为数据块编程失败时，停止数据扫描。
非易失性存储器及其编程方法计算机系统

[发明专利]在非易失性存储设备中编程数据的方法和装置-CN201310176746.3在审
发明人：李准祐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了用于编程数据的方法和装置、以及设定用于编程数据的数据编程模式的方法和装置。在非易失性存储器件中编程数据的方法包括：基于设定的模式信息，在至少两个编程模式中确定要用于数据编程的编程模式，所述至少两个编程模式针对要编程的单元规定了不同验证电压；以及根据确定的编程模式来编程数据。由此，防止了SMD回流工艺期间所编程数据的丢失。
非易失性存储设备编程数据方法装置

[发明专利]一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端-CN202110672609.3在审
发明人：王明;冯鹏亮;陈纬荣;陈慧 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端，每次读取至少一个锁存器内缓存编程数据，将芯片内与编程数据对应的地址中需要编程的数据位数与编程带宽比较，若小于编程带宽，将对芯片内对应的地址执行一次编程，而不管这些缓存数据中需要编程的地址的分布是集中还是分散，极大缩短整个编程时间，提升编程效率的效果明显；若大于编程带宽，则将编程数据按照编程带宽分成多段，根据分段逐一对芯片内对应的地址执行编程；因为芯片的编程能力只是受限于每次执行编程时实际需要编程的数据位数而不是每次执行编程时跨越的数据位数，只要每次执行编程时实际需要编程地址的位数在编程带宽内即可，既保证芯片编程正常进行，还提高编程效率。
一种提高编程效率方法装置存储介质终端

[发明专利]用于数据更新的方法及装置、电子设备、存储介质-CN202210103934.2有效
发明人：武晓伟;马继荣;刘家齐 -专利权人：北京紫光青藤微系统有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及数据加密技术领域，公开一种用于数据更新的方法，该方法包括：获取第一编程数据和存储阵列中的目标地址；获取第一编程数据的数据长度；在数据长度小于预设的长度阈值的情况下，根据目标地址获取备选数据；将第一编程数据与备选数据进行组合，获得第二编程数据，并对目标地址对应的数据进行数据擦除操作；将第二编程数据编程到目标地址中。这样，通过将第一编程数据与备选数据进行组合，使得组合后的第二编程数据的长度满足最小编程单元的长度要求，将第二编程数据编程到目标地址中，从而实现对任意数据长度的秘钥数据的更新。本申请还公开一种用于数据更新的装置及电子设备、存储介质。
用于数据更新方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置-CN201910356956.8在审
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置。NOR flash存储器包括：数据锁存器、地址锁存器、编程验证单元以及存储单元，所述方法包括：NOR flash存储器接收编程操作指令和待编程数据，将待编程数据输入到数据锁存器，控制编程验证单元对数据锁存器中多个地址中每个地址对应的待编程数据分别执行第一次编程验证操作，并将验证未通过的待编程数据对应的地址锁存到地址锁存器中，读取锁存的验证未通过的待编程数据对应的地址，NOR flash存储器控制编程验证单元对验证未通过的待编程数据执行第二次编程验证操作。本发明只对没有通过编程验证操作的待编程数据执行编程验证操作，由此缩短了NOR flash存储器编程操作的时间，提高NOR flash存储器的编程性能。
一种控制 nor flash 存储器编程验证方法装置

[发明专利]数据编程技术-CN202110710652.4有效
发明人： G·卡列洛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本申请案涉及数据编程技术。可使用与高于第一编程模式的错误率相关联的第二编程模式来将数据编程到存储器系统。所述第二编程模式可包含跳过包含在所述第一编程模式中的一或多个电压校准程序，以及一旦对所述数据的较大集进行编程，就执行一或多个数据验证程序。所述第二编程模式还可包含使用较高编程电压脉冲来对数据进行编程且所述编程脉冲可持续长于所述第一编程模式的编程脉冲的时间段。存储器系统可接收数据，确定使用所述第二编程模式来将所述数据写入到存储器装置，使用所述第二编程模式来写入所述数据，且验证所述数据是否满足错误阈值。
数据编程技术

[发明专利]一种一次性可编程只读存储器数据烧录方法-CN201510060629.X有效
发明人：刘尚林 -专利权人：深圳芯邦科技股份有限公司
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种一次性可编程只读存储器数据烧录方法，包括烧录工具获取编程数据；当被烧录芯片中的RAM和烧录接口之间初始化完成，编程数据传输通道准备就绪时，烧录工具向RAM发送编程数据；判断编程数据是否正确写入RAM，如果是，则再将编程数据从RAM中写入OTP ROM中；否则，结束本次OTP ROM的数据烧录。本发明提供的数据烧录方法，将编程数据先写入到RAM中并对写到RAM中的编程数据进行校验，当校验得到编程数据写入正确时再将编程数据写入OTP ROM中，另外，本发明把编程数据单方向的从烧录工具搬移到被烧录芯片中，并直接利用校验码进行校验，不提供编程数据回读的功能，保证了被烧录芯片的编程数据不被泄露，极大地提高了烧录的准确性和安全性。
一种一次性可编程只读存储器数据方法

[发明专利]数据编程管理方法、存储器及其控制器，以及计算机系统-CN202110655575.7有效
发明人：陈正亮;刘双;蔡全;王琛銮;蔡勤世 -专利权人：联芸科技（杭州）股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种数据编程管理方法、存储器及其控制器，以及计算机系统，该数据编程管理方法包括：在存储器写数据时获取该写数据的数据类型；根据写数据的数据类型从预设的多个数据编程描述表中选择目标数据编程描述表，每个数据编程描述表包括某一数据类型的写数据进行编程时对应的编程地址信息；将该目标数据编程描述表中的编程地址信息转换为存储地址信息，并将前述的写数据按照该存储地址信息写入存储介质。由此可以只考虑数据的写入类型，不仅能有效降低数据的复杂度，同时对不同的NAND flash也更加友好，改善了数据写入的易操作性，提高了编程的性能。
数据编程管理方法存储器及其控制器以及计算机系统

[发明专利]闪存编程方法和闪存接口电路-CN202211599034.8有效
发明人：周明;曾宪光;胡建国;郭子江;邓兰青;王德明 -专利权人：杰创智能科技股份有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明涉及电路设计技术领域，提供一种闪存编程方法和闪存接口电路，该方法包括：接收闪存的编程请求，以获取编程地址的数据状态；若编程地址的数据状态为第一设定状态，则确定编程擦除控制模块的编程状态，编程状态包括片选建立阶段，编程阶段和片选保持阶段；若编程状态为编程擦除控制模块完成片选建立阶段且处于编程阶段，则获取目标编程数据；在编程阶段结束后，直接进入编程阶段，以对目标编程数据进行编程。本发明在编程阶段结束后直接进行新数据的编程，而不需要先完成片选保持阶段再重新进入片选建立阶段最后再进行编程，实现了连续编程操作，节省了闪存编程时间，从而提高了系统访问闪存的效率。
闪存编程方法接口电路

[发明专利]可编程器件、标识信息、编程数据流的配置方法及装置-CN201510875108.X有效
发明人：包朝伟;黄波;汤阿龙;张勇 -专利权人：深圳市国微电子有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G06F21/12 文献下载
摘要：本发明公开的可编程器件、标识信息、编程数据流的配置方法及装置，可编程器件的配置方法包括：导入编程数据流，读取所述编程数据流携带的标识信息，并从可编程器件内嵌或外接的存储单元中读取可编程器件的标识信息；将所述编程数据流携带的标识信息与所述可编程器件的标识信息进行比较；若两者相匹配，则根据所述编程数据流配置所述可编程器件。本发明解决现有技术中无法实现编程数据流和可编程器件的对应问题。
可编程器件标识信息编程数据流配置方法装置

[发明专利]可编程器件、标识信息、编程数据流的配置方法及装置-CN201510872455.7有效
发明人：包朝伟;汤阿龙 -专利权人：深圳市紫光同创电子有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H04L12/24 文献下载
摘要：本发明公开的可编程器件、标识信息、编程数据流的配置方法及装置，可编程器件的配置方法包括：导入编程数据流，读取所述编程数据流携带的标识信息，并从可编程器件内嵌或外接的非易失性存储单元中读取可编程器件的标识信息；将所述编程数据流携带的标识信息与所述可编程器件的标识信息进行比较；若两者相匹配，则根据所述编程数据流配置所述可编程器件。本发明解决现有技术中无法实现编程数据流和可编程器件的对应问题。
可编程器件标识信息编程数据流配置方法装置

[发明专利]基于存储在待编程存储单元中的数据来编码编程数据-CN201310503112.4有效
发明人：刘永健;孔骏镇;薛昶圭;孙弘乐;刘炫硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种在非易失性存储器件中编程数据的方法包括：接收将要在非易失性存储器件的选择的存储单元中进行编程的编程数据；从选择的存储单元读取数据；使用根据编程数据与读取数据的比较从多个编码方案当中选择的至少一个编码方案对编程数据进行编码；产生包括编码信息的标志数据；以及在选择的存储单元中编程已编码的编程数据和标志数据。
基于存储编程单元中的数据编码

[发明专利]一种非易失性存储器的编程方法及控制装置-CN201910406216.0有效
发明人：薛子恒;苏如伟;潘荣华 -专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器的编程方法及控制装置。所述方法包括：获取待编程数据，其中所述待编程数据的位数小于目标编程数量；对待编程数据进行编程校验；如果编程失败，则根据编程次数选取对应的编程模式进行编程。利用该方法，能够提升非易失性存储器的编程效率。
一种非易失性存储器编程方法控制装置

[发明专利]DRAMLess SSD NAND编程出错的优化方法、装置及介质-CN202210060609.2在审
发明人：王猛;徐伟华;韩道静 -专利权人：苏州忆联信息系统有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种DRAMLess SSD NAND编程出错的优化方法、装置及介质，其中方法包括：将待编程数据写入SSD的写缓存区；从写缓存区将待编程数据发送至NAND的缓冲寄存器中；将NAND的缓冲寄存器中的待编程数据发送至NAND的存储数据的物理阵列中进行编程；当待编程数据发送至NAND的缓冲寄存器后立即释放SSD的写缓存区中的待编程数据；当NAND的存储数据的物理阵列编程完成后反馈编程是否成功的状态；当NAND物理阵列编程出错时将NAND的缓冲寄存器中的待编程数据重新发送至NAND的存储数据的物理阵列中进行编程。本发明针对DRAMLess的SSD，通过NAND的缓冲寄存器作为编程出错时的数据备份恢复区，既保障了DRAMLess这类SSD的写性能要求，又保障了数据可靠性。
dramless ssd nand 编程出错优化方法装置介质

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