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[发明专利]一种气体传感器件的制造、处理气氛确定方法及器件-CN202110263487.2在审
发明人：卢年端;姜文峰;李泠;耿玓;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体传感器件的制造、处理气氛确定方法及器件，其中气体传感器件的制造方法，包括：制造传感器件的气体敏感层，气体敏感层为过渡金属硫同族化合物；将气体敏感层进行预设的气氛处理，并采用气氛处理后的气体敏感层制造气体传感器件，可有效的改善过渡金属硫同族化合物作为气体敏感层的气敏性。
一种气体传感器件制造处理气氛确定方法

[发明专利]敏感器件结构及其制备方法以及半导体器件-CN202210174525.1在审
发明人：张彰;谢红梅;陈毓潇;徐军;赵佳;王俊力;宋健 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请涉及一种敏感器件结构及其制备方法以及半导体器件。其中，敏感器件结构的制备方法，包括：于衬底上敏感材料层，且于敏感材料层上形成图形化掩膜层；在第一刻蚀气体下，基于图形化掩膜层对敏感材料层进行主刻蚀，以形成器件敏感层，第一刻蚀气体包括第一氟化物气体与侧壁保护气体，第一刻蚀气体中的侧壁保护气体不超过第一氟化物气体体积占比的5％；去除图形化掩膜层；于器件敏感层上形成钝化保护层。本申请能有效减少敏感器件结构中的聚合物残渣，进而提高敏感器件性能。
敏感器件结构及其制备方法以及半导体器件

[发明专利]一种改善敏感材料传感选择性的方法-CN202210513857.8在审
发明人：王立根;杨伦伟;肖伟;杨辉;王建伟 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了属于材料科学技术领域的一种改善敏感材料传感选择性的方法，将待测目标气体输入敏感材料数据库检索出敏感材料，将实际应用中目标气体和干扰气体的各种气体及敏感材料输入专家数据库检索结构数据，据此构建材料表面‑气体分子吸附模型，通过第一原理方法模拟气体分子在材料表面的吸附过程及作用机理，确定干扰气体对敏感材料‑目标气体选择性吸附产生干扰的本质。提出表面功能化方案来调整敏感材料表面活性位点种类，从而对不同气体分子的吸附强度进行调控。构建经过表面功能化的敏感材料的纳米传感器件的传感性能。简单快速地得到吸附及传感性能数据，减少人力物力消耗与支出，节约时间，提高敏感材料研发的效率，具有大的实用价值。
一种改善敏感材料传感选择性方法

[发明专利]面向电力设备故障特征气体在线监控的气体敏感元件及其制备方法-CN202010734913.1在审
发明人：马爱军;朱雪松;王斌;段博涛;闻集群;王利民;何卫;吴昊 -专利权人：浙江泰仑电力集团有限责任公司;国网浙江省电力有限公司湖州供电公司;武汉南瑞电力工程技术装备有限公司;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向电力设备故障特征气体在线监控的气体敏感元件，其特征在于：以钯纳米粒子负载的还原氧化石墨烯作为气体敏感材料，通过刷涂的方法将所述气体敏感材料沉积在带叉指电极的陶瓷片上构成所述气体敏感元件该敏感元件对H2具有较高的选择性和响应。
面向电力设备故障特征气体在线监控敏感元件及其制备方法

[发明专利]气体敏感元件防结露方法及装置-CN201010530163.2有效
发明人：于庆;孙世岭;李军;莫志刚 -专利权人：煤炭科学研究总院重庆研究院
申请日： 2010-11-03 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本发明提供一种气体敏感元件防结露方法及装置，一种气体敏感元件防结露装置，包括气体敏感元件、安装板、外壳；其中，气体敏感元件安装在安装板上并设置在外壳的内腔中，其特征在于：在气体敏感元件的外周表面设置电热元件，电热元件通过引脚安装在安装板上，在外壳上设置有进气口，进气口与外壳的内腔相通并与气体传感元件的底面相对。使气体敏感元件能保持较高温度，从而即可避免在高湿环境下气体敏感元件内部光学表面结露，提高了检测精度及检测灵敏度，因此本发明非常适合我国煤矿井下使用，具有极大的经济效益和社会效益。
气体敏感元件防结露方法装置

[发明专利]一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法-CN201711447455.8有效
发明人：雷鸣;饶吉磊;贺方杰 -专利权人：武汉微纳传感技术有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法，包括：由下往上依次层叠的微热盘、绝缘隔离层和敏感电极，以及覆盖在敏感电极上方的气体敏感材料，敏感电极位于微热盘表面的绝缘隔离层上方，包括：第一敏感电极、第二敏感电极和悬置敏感电极，悬置敏感电极位于第一敏感电极和第二敏感电极之间。本发明提供的一种金属氧化物半导体气体传感器，通过在两敏感电极之间引入悬置敏感电极，改善了电场强度分布、微热盘发热区的温度分布、气体传感器的灵敏度和气体传感器长期稳定性，该气体传感器可以长时间承受较高的工作电压
一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法

[发明专利]气体传感器及其制备方法和调控气体传感器性能的方法-CN202010284655.1在审
发明人：宋健;李铁;郭腾飞;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本申请提供一种气体传感器及其制备方法和调控气体传感器性能的方法，该气体传感器为有机场效应晶体管气体传感器，包括：绝缘层；敏感材料层；敏感材料层设于绝缘层的上表面；源极和漏极；源极和漏极采用叉指电极制备形成；叉指电极设于敏感材料层的上表面；本申请实施例提供的有机场效应晶体管气体传感器的敏感材料层的分子排布能够通过调整敏感材料层制备工艺进行调控；通过调控敏感材料的分子排布能够优化气体传感器的性能，且不同分子排布状态的敏感材料制备成的气体传感器能够进行不同气体分子的识别
气体传感器及其制备方法调控性能

[实用新型]微型集成式气体传感器-CN201922388339.4有效
发明人：刘瑞 -专利权人：安徽芯淮电子有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微型集成式气体传感器，其包括相对设置的加热单元和气体敏感单元，其中，所述气体敏感单元包括测试电极和气体敏感结构，所述气体敏感结构直接形成在所述测试电极上；所述加热单元包括与所述测试电极相匹配的加热层，所述加热层朝向所述气体敏感结构，且所述加热层与所述气体敏感结构无直接接触。本实用新型的气体传感器可靠性高，且该气体传感器在使用环境性能要求比较高的情况下可以满足需求，而且还可以避免多层薄膜结构在高温下使用造成的热应力和热膨胀系数匹配方面产生的问题。
微型集成气体传感器

[发明专利]基于MEMS集成式的气体传感器及其制作方法-CN201911371286.3有效
发明人：刘瑞 -专利权人：安徽芯淮电子有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS集成式的气体传感器及其制作方法。该气体传感器包括相对设置的加热单元和气体敏感单元，其中，所述气体敏感单元包括测试电极和气体敏感结构，所述气体敏感结构与所述测试电极电连接；所述加热单元包括与所述测试电极相匹配的加热层，所述加热层朝向所述气体敏感结构，且所述加热层与所述气体敏感结构无直接接触。本发明的气体传感器的制作方法可靠性更高，且该气体传感器在使用环境性能要求比较高的情况下可以满足需求，而且还可以避免多层薄膜结构在高温下使用造成的热应力和热膨胀系数匹配方面产生的问题。
基于 mems 集成气体传感器及其制作方法

[发明专利]用于制造纳米晶的、气体敏感的层结构的方法，相应的纳米晶的、气体敏感的层结构和具有相应的纳米晶的、气体敏感的层结构的气体传感器-CN201880047993.4在审
发明人： A·克劳斯;E·普赖斯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造纳米晶的、气体敏感的层结构的方法，一种相应的纳米晶的、气体敏感的层结构和一种具有相应的纳米晶的、气体敏感的层结构的气体传感器。用于在衬底(101)上制造纳米晶的、气体敏感的层结构(201)的方法包括以下步骤：沉积由基础材料组成的基础层(102)，沉积由掺杂材料组成的掺杂层(103)，重复前面的步骤，并且实施温度处理步骤，由此制造所述纳米晶的、气体敏感的层结构(200)。
用于制造纳米气体敏感结构方法相应具有传感器

[发明专利]气体传感器装置和用于制造气体传感器装置的方法-CN201811010522.4在审
发明人： A·艾费特;M·M·普拉达 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种气体传感器装置(100)以及一种用于制造气体传感器装置的方法(100)。气体传感器装置(100)构造有：带有气体敏感层(120；220)的气体敏感的传感器元件(110；210)，该气体敏感层具有金属氧化物；和保护层(130；230)，该保护层部分地遮盖所述传感器元件(110；210)的所述气体敏感层(120；220)；其中，所述保护层(130；230)是疏水性的和/或与所述气体敏感层(110；210)的传感器面(120；220)共同作用地起疏水作用。
气体传感器装置气体敏感层保护层传感器元件金属氧化物传感器面疏水作用疏水性遮盖制造敏感

[发明专利]一种应用于FBAR和SAW传感器的气体敏感膜及传感器-CN201210419731.0无效
发明人：杨保和;张乾坤;曾宪顺;苏林;徐晟 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： G01N29/02 文献下载
摘要：本发明是一种应用于FBAR和SAW传感器的气体敏感膜及传感器方案。所述气体敏感膜采用杯芳烃/含氢类金刚石结构。本发明的有益效果是：相比于当前普遍使用的纳米分子筛式气体敏感膜及微孔聚合物气体敏感膜，本发明基于杯芳烃/含氢类金刚石结构的气体敏感膜具有高灵敏度、响应速度快、可重复性高、疏水性好、对温度变化不敏感、不会出现玻璃化的倾向等优点
一种应用于 fbar saw 传感器气体敏感

[实用新型]气体敏感元件防结露装置-CN201020589604.1有效
发明人：李军;孙世岭;莫志刚;于庆 -专利权人：煤炭科学研究总院重庆研究院
申请日： 2010-11-03 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种气体敏感元件防结露装置，包括气体敏感元件、安装板、外壳；其中，气体敏感元件安装在安装板上并设置在外壳的内腔中，其特征在于：在气体敏感元件的外周表面设置电热元件，电热元件通过引脚安装在安装板上，在外壳上设置有进气口，进气口与外壳的内腔相通并与气体传感元件的底面相对。使气体敏感元件能保持较高温度，从而即可避免在高湿环境下气体敏感元件内部光学表面结露，提高了检测精度及检测灵敏度，因此本实用新型非常适合我国煤矿井下使用，具有极大的经济效益和社会效益。
气体敏感元件防结露装置

[发明专利]用于检测环境中的目标气体的气体传感器-CN201880062961.1在审
发明人： N·达尔特奈尔;S·戈达德;C·纽桑姆;D·托布乔克;N·雅可比-格罗斯 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2018-09-24 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：一种气体传感器系统，其由对目标气体和第二气体均敏感的第一气体传感器(200)以及仅对目标气体敏感的第二传感器(300)制成。对两个气体传感器的响应进行处理以检测目标气体的存在或浓度。第一传感器包括半导体材料和电极，所述半导体材料对目标气体和第二气体两者的存在都敏感，所述电极对目标气体的存在敏感。第二传感器包括对目标气体和第二气体两者的存在都敏感的半导体材料，而且还包括处在所述电极中的至少一个的表面上的阻挡层，该阻挡层防止第二气体与电极相互作用。
用于检测环境中的目标气体传感器

[发明专利]气体传感器-CN201210465216.6无效
发明人：谢雷;韩杰 -专利权人：尚沃医疗电子无锡有限公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：气体传感器，由气体敏感元件、气室、气体扩散通道组成，所述气体敏感元件处在一测量气室中，所述测量气室通过至少两个不同的气体扩散通道与限流气室连通，允许限流气室内的气体通过不同的扩散通道扩散到敏感元件表面，所述扩散通道包括气体扩散阻力件。
气体传感器

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