专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]激光加工方法及半导体芯片-CN200680049819.0有效
  • 坂本刚志;村松宪一 - 浜松光子学株式会社
  • 2006-12-26 - 2009-01-21 - H01L21/301
  • 在具备基板(14)、和形成在基板(14)的表面的多个功能元件(15)的加工对象物(1)的基板(4)内部,对准聚光点(P)并照射激光(L),而对于1条切断预定线(5),形成至少1列分割区域(72),位于分割区域(72)和基板(4)的表面(3)之间的至少1列的品质区域(71),及位于分割区域(72)和基板(4)的背面(21)之间的至少1列的HC区域(73)。此时,在沿着切断预定线的方向上,分割区域(72)的形成密度,比品质区域(71)的形成密度及HC区域(73)的形成密度低。
  • 激光加工方法半导体芯片
  • [发明专利]激光加工方法及芯片-CN201080037144.4有效
  • 中川爱湖;坂本刚志 - 浜松光子学株式会社
  • 2010-08-17 - 2012-05-30 - B23K26/40
  • 将激光(L)照射于加工对象物(1),将沿着切断预定线(5)延伸且在厚度方向上排列的区域(17、27、37、47)形成于加工对象物(1)。在此,以区域形成部分(17a)与区域非形成部分(17b)沿着切断预定线交替地存在的方式形成区域(17),以区域形成部分(47a)与区域非形成部分(47b)沿着切断预定线交替地存在的方式形成区域因此,在进行切断而得到的芯片中,可抑制起因于所形成的区域(7)而使背面(21)侧及表面(3)侧的强度降低的情况。另一方面,由于从切断预定线(5)的一端侧遍及另一端侧而连续地形成位于区域(17、47)间的区域(27、37),所以可可靠地确保加工对象物(1)的切断性。
  • 激光加工方法芯片
  • [发明专利]一种激光剥离碳化硅晶锭的方法及装置-CN202211322500.8在审
  • 侯煜;李曼;张喆;石海燕;张昆鹏;文志东;张紫辰 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-10-26 - 2023-01-03 - B23K26/38
  • 本发明提供了一种激光剥离碳化硅晶锭的方法及装置,该方法先将超短脉冲激光光束透过碳化硅晶锭的第一端面后聚焦在碳化硅晶锭的设定深度层,在设定深度层的上方分别产生空洞形成区域和裂纹形成区域,并扫描形成空洞层和裂纹层再将短脉冲激光光束透过碳化硅晶锭的第二端面后聚焦在空洞形成区域,在空洞形成区域散射传播,使短脉冲激光光束的热量作用于空洞形成区域,使裂纹形成区域内的裂纹横向向外生长,并扫描使空洞层中相邻的空洞形成区域内的裂纹通过横向生长连接在一起减少层内的裂纹沿碳化硅晶锭纵向扩展的量和长度,增加横向裂纹生长的数量和裂纹生长长度,减少切割损耗厚度,减少浪费。
  • 一种激光剥离碳化硅方法装置
  • [发明专利]激光加工装置及激光加工方法-CN201480019047.0有效
  • 河口大祐;广瀬翼;荒木佳祐 - 浜松光子学株式会社
  • 2014-03-13 - 2017-05-17 - B23K26/53
  • 激光加工装置具备将激光(L)射出的激光光源(202)、调制由激光光源(202)射出的激光(L)的空间光调制器(203)、及将通过空间光调制器(203)调制后的激光聚光在加工对象物(1)的聚光光学系统(204),多列的区域(7)至少包含位于激光入射面侧的入射面侧区域、位于激光入射面的相反面侧的相反面侧区域、及位于入射面侧区域与相反面侧区域之间的中间区域。空间光调制器(203)在形成中间区域的情况下,通过将轴棱锥透镜图案作为调制图案显示,从而以在沿着激光照射方向接近排列的多个位置形成聚光点的方式使激光聚光,并且在形成入射面侧区域及相反面侧区域的情况下
  • 激光加工装置方法
  • [发明专利]激光加工装置及激光加工方法-CN202180026088.2在审
  • 佐野育;坂本刚志;是松克洋 - 浜松光子学株式会社
  • 2021-03-31 - 2022-11-29 - H01L21/301
  • 一种激光加工装置,其中,具备控制部,控制部执行下述处理:第一处理,以第一加工条件来控制激光照射单元,该第一加工条件被设定为:在晶圆的内部形成区域区域;第二处理,确定有关区域的状态,并判断第一加工条件是否适当;第三处理,以第二加工条件来控制激光照射单元,该第二加工条件被设定为:在晶圆的内部形成区域,并且在晶圆的厚度方向上的区域之间形成区域;以及,第四处理,确定有关区域的状态,并判断第二加工条件是否适当
  • 激光加工装置方法
  • [发明专利]激光加工方法-CN200780025390.6无效
  • 筬岛哲也 - 浜松光子学株式会社
  • 2007-06-06 - 2009-07-15 - B23K26/38
  • 当沿着切断预定线在加工对象物的厚度方向上形成多列区域时,精度良好地形成最接近第1面的第1区域、以及最接近第2面的第2区域。本实施方式的激光加工方法中,将聚光点对准于加工对象物(1)的内部并照射激光,沿着加工对象物(1)的切断预定线(5),在加工对象物(1)的厚度方向上形成作为切断的起点的区域(M1~M6)。该区域(M1~M6)中,最接近背面(21)的区域(M6)以背面(21)的位置为基准而形成,最接近表面(11a)的区域(M1)以表面(11a)的位置为基准而形成。于是,即使加工对象物(1)的厚度产生偏差,发生变化,也抑制了区域(M6)的位置及区域(M1)的位置因加工对象物(1)的厚度的变化而发生偏移。
  • 激光加工方法
  • [发明专利]加工对象物切断方法-CN200880118283.2有效
  • 内山直己 - 浜松光子学株式会社
  • 2008-11-18 - 2010-11-03 - B23K26/38
  • 通过使聚光点对准加工对象物(1)并照射激光,沿着从加工对象物(1)的外缘(E)向规定的距离的内侧并沿着外缘而被设定的区域形成线(15),在加工对象物(1)形成区域,并沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)形成切断用区域,从而以切断用区域为起点,沿着切断预定线(5)将加工对象物(1)切断。这样,沿着从加工对象物(1)的外缘(E)向规定的距离的内侧而被设定的区域形成线(15),在加工对象物(1)形成区域,从而即使在将加工对象物(1)切断时对加工对象物(1)施加切断应力,利用所形成的区域或从区域延伸的龟裂
  • 加工对象切断方法
  • [发明专利]激光加工方法-CN201180036018.1有效
  • 下井英树;久嶋浩之;荒木佳祐 - 浜松光子学株式会社
  • 2011-07-19 - 2013-04-03 - B23K26/38
  • 一种激光加工方法,具备:区域形成工序,通过将激光(L)聚光于由硅形成的板状的加工对象物(1),沿着相对于加工对象物(1)的厚度方向朝向一个侧方侧倾斜的区域形成预定线(5b),在加工对象物(1)的内部形成多个质点(10),通过这些多个质点(10)形成区域(7);以及蚀刻处理工序,在区域形成工序之后,对加工对象物(1)实施各向异性蚀刻处理,由此沿着区域(7)使蚀刻选择性地进展,在加工对象物(1)形成相对于厚度方向倾斜延伸的空间,在区域形成工序中,以邻接的质点(10)的至少一部分从一个侧方方向看互相重叠的方式,形成多个质点(10)。
  • 激光加工方法
  • [发明专利]激光加工方法-CN201180036345.7有效
  • 下井英树;久嶋浩之;荒木佳祐 - 浜松光子学株式会社
  • 2011-07-19 - 2013-04-03 - B23K26/38
  • ,是用来在由硅形成的板状的加工对象物(1)上形成孔(24)的激光加工方法,其具备:凹部形成工序,在加工对象物(1)的激光入射面侧,将在该激光入射面(3)开口的凹部(10)形成在与孔(24)对应的部分;区域形成工序,在凹部形成工序之后,通过使激光(L)聚光于加工对象物(1),沿着加工对象物(1)的与孔(24)对应的部分形成区域(7);以及蚀刻处理工序,在区域形成工序之后,通过对加工对象物(1)实施各向异性蚀刻处理,沿着区域(7)使蚀刻选择性地进展,并在加工对象物(1)形成孔(24),在区域形成工序中,使区域(7)或从该区域(7)延伸的龟裂(C)露出于凹部的内面。
  • 激光加工方法
  • [发明专利]一种碳化硅晶锭的激光剥离方法及其装置-CN202211322498.4在审
  • 张紫辰;侯煜;文志东;张喆;石海燕;张昆鹏;李曼 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-10-26 - 2023-01-03 - B23K26/38
  • 本发明提供了一种碳化硅晶锭的激光剥离方法及其装置,该激光剥离方法先将超短脉冲激光光束的焦点聚焦在碳化硅晶锭的设定深度层位置,在设定深度层位置的上方分别产生空洞形成区域和裂纹形成区域,并扫描形成空洞层和裂纹层之后将短脉冲激光光束的焦点向设定深度层之上的位置移动一定范围,使短脉冲激光光束的焦点聚焦在裂纹形成区域,产生垂直于短脉冲激光光束方向的散射,使裂纹形成区域内的裂纹横向向外生长,并扫描使相邻的裂纹形成区域内的裂纹通过横向生长连接在一起减少层内的裂纹沿碳化硅晶锭纵向扩展的量和长度,增加横向裂纹生长的数量和裂纹生长长度,减少切割损耗厚度,减少浪费。
  • 一种碳化硅激光剥离方法及其装置

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