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[发明专利]掩模板图形OPC方法、掩模板图形、掩模板和终端设备-CN202011562977.4在审
发明人：夏明;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模板图形OPC方法，包括：定义联通图形规则；根据所述规则通过设计规则检测在掩模板GDS图形标记出所有需要联通的图形；根据当前层设计规则和掩模等级定义需要联通图形的联通方式和联通尺寸；在掩模板GDS图形中加入联通图形；仅对掩模板GDS图形进行OPC修正，不修正联通图形，使联通图形不会被曝光；对加入联通图形的掩模板GDS图形进行OPC仿真检查，获得最终联通图形。本发明还公开一种通过所述掩模板图形OPC方法获得的掩模板图形，一种通过所述掩模板图形制造的掩模板以及一种用于执行所述掩模板图形OPC方法的终端设备。本发明制造的掩模板能消除静电对掩模板影响，从而使得掩模板上电荷不产生聚集现象，延长掩模板使用年限。
模板图形 opc 方法终端设备

[发明专利]一种掩模图形修正方法-CN202210044740.X在审
发明人：介浩宇;丁明;闫歌 -专利权人：深圳晶源信息技术有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明涉及光刻友好技术领域，特别涉及一种掩模图形修正方法，包括以下步骤：提供初始掩模图形，所述初始掩模图形中包括多个图形点，每个图形点具有对应的图形点信息；将所述初始掩模图形中图形点信息与预设掩模图形匹配库中坏点信息进行匹配，该匹配库包括掩模图形坏点信息及与所述掩模图形坏点对应的修正点信息；若有坏点信息与初始掩模图形中某图形点信息匹配，则使用所述掩模图形坏点对应的所述修正点信息对所述初始掩模图形进行修正。为了解决现有的掩模图形修正方法需耗费巨大的计算资源的问题，本发明提供一种掩模图形修复方法。
一种图形修正方法

[发明专利]制造液晶显示器的曝光掩模及利用该掩模制造液晶显示器时曝光基板的方法-CN02802928.3有效
发明人：卓英美;朴云用;洪雯杓;李庭镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-03-04 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于利用基板制造液晶显示器的掩模，包括具有中心线的位于基板中心的第一掩模图形，以对基板中心进行曝光。第二掩模图形位于第一掩模图形左侧，以对基板左侧进行曝光。该第二掩模图形与第一掩模图形相距第一距离。第三掩模图形位于第一掩模图形右侧，以对基板右侧进行曝光。第三掩模图形与第一掩模图形相距第二距离。
制造液晶显示器曝光利用方法

[发明专利]电路图形曝光方法和在其中使用的掩模-CN200710001414.6有效
发明人：小佐信惠;安里直生 -专利权人：尔必达存储器株式会社
申请日： 2007-01-05 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种电路图形曝光方法，用于向掩模辐射照光以将在所述掩模中形成的掩模图形转移(偏移)到半导体基片上，其中：所述掩模包括以预定节距布置的多个主掩模图形和在最外侧主掩模图形外布置的且不转移至所述半导体基片的辅助掩模图形；所述辅助掩模图形设有与最外侧主掩模图形相邻布置的第一辅助掩模行以及与第一辅助掩模行相邻布置的第二辅助掩模行；并且以比布置所述主掩模图形的节距窄的节距布置所述第一和第二辅助掩模行。
电路图形曝光方法其中使用

[发明专利]一种应用于产生掩模图形的方法、应用于产生掩模图形的装置及电子设备-CN202210035463.6在审
发明人：王航宇 -专利权人：深圳晶源信息技术有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及一种应用于产生掩模图形的方法、应用于产生掩模图形的装置及电子设备，该方法包括步骤：提供一个或者多个初始掩模图形的初始掩模版图，基于每个初始掩模图形对应的坐标信息建立关于初始位置信息矩阵对每个初始掩模图形进行标定；选出待修正掩模图形，提供关于每个待修正掩模图形的修正规则，将每个修正规则和初始位置信息矩阵关联以将修正规则匹配到对应位置信息处的该待修正掩模图形；基于待修正掩模图形的位置信息应用匹配的修正规则对初始掩模版图进行修正；输出修正后的掩模版图，通过该方法修正初始掩模图形速度快，准确找到待修正的待修正掩模图形，修正后获得的掩模版图具有较宽的工艺窗口。
一种应用于产生图形方法装置电子设备

[发明专利]导电孔阵列图形的形成方法-CN201310739672.X在审
发明人：李天慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种导电孔阵列图形的形成方法，包括以原始导电孔阵列图形为基础，形成具有多个辅助导电孔图形的新导电孔阵列图形，在新导电孔阵列图形中，每一原始导电孔图形均具有相同的光强信息分布；以新导电孔阵列图形为基础，制作第一掩模板和第二掩模板，其中，第一掩模板用于曝光形成新导电孔阵列图形，第二掩模板用于曝光形成第二掩模层；以第二掩模板为掩模曝光形成第二掩模层，第二掩模层覆盖晶圆用于形成辅助导电孔图形的区域，并暴露出晶圆用于形成原始导电孔阵列图形的区域；形成第二掩模层后，以第一掩模板为掩模曝光形成第一掩模层；以第一掩模层和第二掩模层为掩模，刻蚀晶圆形成实际的导电孔阵列图形。形成的实际的导电孔图形的质量好。
导电阵列图形形成方法

[发明专利]显示装置的沉积掩模及其制造方法-CN200410003872.X有效
发明人：金利坤;金泰亨 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-02-06 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示装置的沉积掩模及其制造方法。其易于保证定位精度和图形尺寸精度，并适用于高分辨率显示装置。本发明的沉积掩模具有至少一个图形掩模，其具有与将形成在衬底上的图形相同的图形；以及边框掩模，其具有至少一个开口。图形掩模在对应于开口的边框掩模区域被分别固定到边框掩模。沉积掩模通过制备具有与将形成在衬底上的图形相同的图形的至少一个图形掩模和具有至少一个开口的边框掩模制作而成。该方法还包括将图形掩模与边框掩模的开口对准并将与开口对准的图形掩模固定到边框掩模上。
显示装置沉积及其制造方法

[发明专利]一种修正模型的建立方法及装置、掩模优化方法及装置-CN202010419225.6在审
发明人：马乐;韦亚一;张利斌;陈睿 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种修正模型的建立方法及装置、掩模图形优化方法及装置，预先基于历史掩模图形的图形参数、历史掩模图形曝光得到的历史曝光图形的实际参数和历史掩模图形对应的历史权重建立修正模型，历史权重基于历史掩模图形的图形参数和/或历史曝光图形的实际参数，以及历史掩模图形的初始权重确定，在获取待修正掩模图形后，可以利用修正模型，得到待修正掩模图形对应的待修正曝光图形的预测参数，基于预测参数以及待修正曝光图形的目标参数，对待修正掩模图形进行修正这样确定的历史权重是具有针对性的，据此建立的修正模型也是较为准确的，对待修正掩模图形的修正也更加具有针对性。
一种修正模型建立方法装置优化

[发明专利]掩模及其形成方法-CN201510131864.1有效
发明人：邢滨;张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：一种掩模及其形成方法，所述形成方法包括：提供基板；在基板上形成图形化的掩模层；在掩模层的侧壁形成收缩层，收缩层和掩模层共同构成掩模图形。本发明通过在掩模层侧壁设置收缩层，收缩层与掩模层共同构成掩模图形。掩模图形中的所述收缩层也遮挡部分基板，与掩模层相比，最终形成的掩模图形的临界尺寸更小，避免了现有技术中所形成掩模图形临界尺寸过大的问题。
及其形成方法

[发明专利]掩模版的修复方法-CN200810034381.X无效
发明人：钱芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种掩模版的修复方法，包括如下步骤：提供待修复掩模版，包括存在缺陷的掩模图形；提供副本掩模版，包括未被刻蚀的遮光层，遮光层的面积大于所述待修复掩模版中存在缺陷的掩模图形的面积；采用副本掩模版制作掩模图形副本；利用掩模图形副本的数据，修复待修复掩模版中存在缺陷的掩模图形。本发明的优点在于，解决了可以在待修复掩模版表面无可复制图形的情况下修复掩模版的技术问题。
模版修复方法

[发明专利]一种掩模装置、曝光设备及曝光方法-CN201810785237.3有效
发明人：张家锦;杨向超 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模装置、曝光设备及曝光方法，掩模装置包括：掩模版组，包括至少两个子掩模版，每个子掩模版上形成有子掩模图形；掩模固定机构，用于固持所述至少两个子掩模版，且将所述至少两个子掩模版层叠设置，所述层叠设置的至少两个子掩模版的子掩模图形构成所述掩模版组的掩模图形；位置调整机构，用于调整掩模固定机构上至少一个子掩膜版的位置，以调整所述掩模版组的掩模图形。本发明提供的掩模装置，多个子掩模版层叠设置，形成掩模版组，通过调整子掩模版的位置，进而调整掩模组的掩模图形的位置，使掩模组的掩模图形在基板上形成的多个曝光图形的位置姿态与一个曝光场内的多个单元芯片的位置姿态对应匹配
一种装置曝光设备方法

[发明专利]光掩模版和使用所述光掩模版的测试方法-CN201010123603.2有效
发明人：洪齐元;张斌;邓泽希;张立国 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种光掩模版和使用所述光掩模版的测试方法，所述光掩模版包括第一掩模结构和第二掩模结构，所述第一掩模结构用于形成电路图形，所述第二掩模结构用于形成测试图形；所述第二掩模结构中的图形类型涵盖第一掩模结构中图形的所有图形类型在使用所述光掩模版的测试方法中，只要测试第二掩模结构在硅晶圆上所形成的测试图形即可，无需再去查找位于电路图形不同位置的图形类型，从而节省时间、提高效率。
模版使用述光掩测试方法

[发明专利]光掩模制造方法和半导体器件制造方法-CN200310115276.6有效
发明人：野岛茂树;三本木省次;田中聪;小谷敏也;长谷部茂;桥本耕治;井上壮一;池永修 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-11-26 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种能够适当选取判定光掩模好坏时所用管理部位的光掩模制造方法。该方法具备：准备在掩模基板上应形成的掩模图形的数据的工序；按照数据，分别对所述掩模图形中包括的多个图形变动图形边缘时，计算与应该设定曝光量的适宜曝光量的偏移量对应的边缘移动灵敏度的工序；按照计算的边缘移动灵敏度，特定在掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序；在掩模基板上实际形成掩模图形的工序；取得与掩模基板上形成掩模图形的管理部位对应的区域中包括的图形尺寸的工序；以及按照取得的尺寸，判定掩模基板上形成的掩模图形是否满足规定条件的工序
光掩模制造方法半导体器件

[发明专利]使用自对准双构图方法形成焊盘图形的方法、使用其所形成的焊盘图形布局、以及使用自对准双构图方法形成接触孔的方法-CN200710088603.1有效
发明人：李芝英;张大铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于形成图形的自对准构图方法，包括：在衬底上形成第一层；在第一层上形成多个第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形的顶表面和侧壁上形成牺牲层，由此在第一硬掩模图形的侧壁上形成牺牲层的各个面对部分之间的间隙；在该间隙中形成第二硬掩模图形；使用第二硬掩模图形作为掩模，蚀刻牺牲层，以露出第一硬掩模图形；使用所露出的第一硬掩模图形和第二硬掩模图形，露出第一层；以及使用第一和第二硬掩模图形蚀刻露出的第一层。
使用对准构图方法形成图形布局以及接触

[发明专利]掩模版和半导体器件的形成方法-CN201410604099.6有效
发明人：沈满华;祖延雷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：一种掩模版和半导体器件的形成方法。其中，所述掩模版包括：基板；位于所述基板上的遮光层；主图形，位于所述遮光层内；还包括：辅助图形，位于所述遮光层内；所述辅助图形位于所述主图形内部或者所述主图形外围，所述辅助图形用于增大掩模版的透光率。所述掩模版通过设置辅助图形，增大了掩模版的透光率，掩模版接收曝光光线照射的面积减小，因此吸收的光线减少，掩模版自加热效应降低，减小掩模版自身的变形，从而防止利用掩模版形成的器件图形发生偏差，提高采用此掩模版形成的半导体器件的图形准确性
模版半导体器件形成方法

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