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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光掩模布局图-CN200710146825.4有效
发明人：周国耀 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2007-08-24 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种光掩模布局图案。该光掩模布局图案包含有H型图案，其包括第一直线图案、第二直线图案以及连接该第一直线图案与该第二直线图案的中间区域，其中该第一直线图案与该第二直线图案互相平行，该中间区域内设有多条类斑马线的密集线条及间隔图案
光掩模布局

[发明专利]谱图掩模触发-CN200510088243.6有效
发明人： J·D·厄尔斯 -专利权人：特克特朗尼克公司
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： G01R23/16 文献下载
摘要：产生谱图掩模触发以响应在被监控的信号内多或复杂频率事件。按照频率径迹、跳频或在信号中所期望的其他复杂频率事件，产生在时间段上的频率掩模序列，以形成谱图掩模。然后，给信号的多谱或谱图应用谱图掩模，以确定在时间段内是否已经发生反常频率事件，或者在信号内识别特定的频率模式。依据谱图掩模应用的结果，产生谱图掩模触发，用于存储来自围绕触发事件的信号的数据块供进一步分析。
谱图掩模触发

[发明专利]曝光设备正交性检测方法-CN202111044702.6有效
发明人：侯广杰;叶小龙;黄执祥;王栋 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明属于曝光设备正交性检测领域，尤其涉及一种掩模版以及用于曝光设备正交性检测方法，其中，包括：掩模基板，由透光材料制成；铬层，设于掩模基板的一侧板面，并具有四个镂空状的掩模图案，其中，掩模图案具有掩模指针图以及掩模刻度图案，掩模指针图呈线状，且在X方向延伸设置，掩模指针图的宽度为指针参照宽度，而长度为指针参照长度，掩模刻度图案整体呈矩形，且长度方向为X方向，掩模刻度图案包括标数图、一级刻度图、二级刻度图、三级刻度图和四级刻度图，一级刻度图、二级刻度图、三级刻度图以及四级刻度图在Y方向上依次设置。
曝光设备正交检测方法

[发明专利]掩模的布图方法-CN200710185129.4无效
发明人：李相熙;曹甲焕 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种掩模的布图方法，包括为一层建立虚设图案抑制区域和单一类型的虚设图案。形成其中形成有第一主图案的单元。在主芯片布图中形成第二主图案，并且将该单元插入该主芯片中。本发明的掩模布图方法能够简化设计、减少设计过程的数据负担以及提高半导体制造工艺的速度和精确性。
方法

[发明专利]一种掩模形貌图处理方法、装置以及计算机设备-CN202210085792.1在审
发明人：兰涛明 -专利权人：东方晶源微电子科技(北京)有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种掩模形貌图处理方法，包含以下步骤：获取待处理掩模设计版图以及所述待处理掩模设计版图对应的掩模形貌图；将所述掩模形貌图输入预设的已训练形貌图映射模型得到所述掩模形貌图对应的光刻胶形貌图本发明提供的一种掩模形貌图处理方法、装置和计算机设备解决了对于掩模形貌图进行处理时间成本高的技术问题。
一种形貌处理方法装置以及计算机设备

[发明专利]用于多中间掩模处理的中间掩模对准和覆盖-CN200680015841.3有效
发明人： S·M·R·萨贾迪;尼古拉斯·布赖特 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-05-02 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供了一种用于生成多个中间掩模布图的方法。接收带有特征布图节距的特征布图。从特征布图生成多个中间掩模布图，其中多个中间掩模布图中的每个中间掩模布图具有中间掩模布图节距，并且每个中间掩模布图节距是特征布图节距的至少两倍。
用于中间处理对准覆盖

[发明专利]图像处理方法及装置、存储介质、终端-CN202011205216.3有效
发明人：李怀东;宋利伟;陈亚光;董晓霞 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：一种图像处理方法及装置、存储介质、终端，所述图像处理方法包括：根据待处理的深度信息图中各个像素的深度信息值，确定每个像素的初始掩模类别，并根据所述每个像素的初始掩模类别得到所述深度信息图对应的初始掩模图像，掩模类别包括确定前景掩模、可能前景掩模、可能背景掩模以及确定背景掩模，深度信息图包括以下至少一种：深度图及视差图，所述深度信息值用于表示像素的深度；对深度信息图进行边缘检测；根据深度信息图的边缘检测结果以及深度信息图中各个像素的深度信息值，对所述初始掩模图像进行调整，得到目标掩模图像；根据所述目标掩模图像对所述深度信息图进行处理，得到处理后的深度信息图。
图像处理方法装置存储介质终端

[发明专利]一种图像处理方法、装置、设备及介质-CN202310086534.X在审
发明人：严萌 -专利权人：北京字跳网络技术有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06T3/00 文献下载
摘要：本公开公开了一种图像处理方法、装置、设备及介质，获取待处理图像以及该待处理图像对应的掩模图，该掩模图为待处理图像中所包括的目标对象所对应的掩模图。利用第一处理方式对掩模图进行处理，获得第一掩模图，以及利用第二处理方式对第一掩模图进行扭曲处理，获得第二掩模图。利用第一掩模图以及第二掩模图对待处理图像进行处理，获得目标图像，该目标图像中目标对象的边缘的第一侧呈现第一掩模图对应的纹理，目标对象的边缘的第二侧呈现第二掩模图对应的纹理。
一种图像处理方法装置设备介质

[发明专利]光刻掩模版以及掩模版图案成型方法-CN202110300142.X在审
发明人：孟祥鹏;孙延涛;陈庆煌;刘志成 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本申请提供一种光刻掩模版以及掩模版图案成型方法，涉及半导体制程技术领域。本申请提供包括多个间隔排列的掩模条形图的原始掩模图案，并在每个掩模条形图的两侧分别添加至少一个与该掩模条形图间隔设置的散射条纹，使散射条纹的条纹延伸方向与对应掩模条形图的长度延伸方向平行，接着在每个掩模条形图的两个端部位置附近添加与该掩模条形图间隔设置的辅助散射纹路，形成待曝光的目标掩模版图案，使具有目标掩模版图案的光刻掩模版在进行曝光处理时，可通过辅助散射纹路提升由掩模条形图曝光得到的曝光图形的端部边缘平缓度，从而在提升光刻工艺窗口的同时，改善与有效掩模图案对应的曝光图案的边缘内缩状况
光刻模版以及图案成型方法

[发明专利]一种图像数据增强方法及装置-CN202211006323.2在审
发明人：孙立奋;杨珉;刘金铭;罗远辉;李敬昭 -专利权人：天翼数字生活科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G06T5/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种图像数据增强方法及装置，方法包括：将预置目标图像的背景图调整到与前景图的大小一致，预置目标图像包括前景图和背景图；采用预设掩模对前景图进行掩模计算，得到掩模前景图；采用取反后的预设掩模对背景图进行掩模计算，得到掩模背景图；将掩模前景图与掩模背景图相加，得到融合图像；根据前景图对应的前景标签为融合图像配置融合标签。
一种图像数据增强方法装置

[发明专利]图像处理方法、装置、存储介质和电子装置-CN202011504100.X在审
发明人：郑亮 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：该方法包括：从原始图像中分离出待增强区域的掩模图；获取所述掩模图的边界图；以所述边界图为导向对所述掩模图进行滤波处理获得权重掩模图；从所述原始图像中分离出与所述掩模图对应的子图像，并对所述子图像进行增强处理；按照所述权重掩模图中各像素点的权重值将所述原始图像和增强后的所述子图像进行融合。在本发明中，从原始图像中分离出掩模图，通过掩模图对原始图像进行增强，再将增强后的图像按照掩模图的权重及边界信息进行图像融合，从而有效地解决了由于受摄像设备的硬件限制所导致拍摄的一些场景效果较差的问题。
图像处理方法装置存储介质电子

[发明专利]图像处理方法、装置、设备及其存储介质-CN202310723463.X在审
发明人：林义闽;黄建峰;廉士国 -专利权人：中国联合网络通信集团有限公司;联通数字科技有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：该方法包括：获取第一掩模图和第二掩模图；根据第一掩模图的拍摄视角，对第二掩模图进行投影变化处理，得到第一比对掩模图；根据第一比对掩模图，对第一掩模图中的第一目标像素点进行删除处理，得到第一目标掩模图，第一目标像素点为第一掩模图中表征为待测桶内异物的像素；从第一目标掩膜图中提取第一局部掩膜图，第一局部掩膜图为根据第一目标掩模图中像素点的分布情况确定，第一局部掩膜图表征目标区域中非轮廓线部分的局部掩模图；根据第一局部掩膜图和第一图像，得到第一桶身图像。
图像处理方法装置设备及其存储介质

[发明专利]超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置-CN202210453660.X在审
发明人：黄执祥;王栋;侯广杰 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明属于掩模版制作领域，尤其涉及一种超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置，其中，超结MOS器件OPC掩模版制作方法包括以下步骤：对掩模图形进行光学临近效应修正分析获得辅助图形；获得光刻机可识别的主图曝光数据，获得所述光刻机可识别的辅图曝光数据；将所述主图曝光数据和所述辅图曝光数据导入所述光刻机；所述光刻机先根据所述主图曝光数据对掩模版坯料进行曝光，再根据所述辅图曝光数据对所述掩模版坯料进行曝光；对完成曝光之后的所述掩模版坯料依次进行显影、刻蚀、去胶，获得OPC掩模版。减少图形转换时间，缩短了OPC掩模版制作所需时间，提高了OPC掩模版制作效率。
mos 器件 opc 模版制作方法装置

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201911074748.5在审
发明人：李洙龙;姜奉秀;具教一;金相兑;郑刚珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：设计布局；基于所述布局形成光掩模；校正所述光掩模的透光率；以及使用具有校正后的透光率的光掩模来执行光刻工艺以在衬底上形成图案。校正所述光掩模的透光率包括：通过捕获穿过所述光掩模的光来创建强度图；对所述布局进行仿真以创建虚拟强度图；以及基于所述强度图和所述虚拟强度图来校正所述光掩模的掩模衬底的透光率。
制造半导体器件方法

[发明专利]一种实现交互式图像分割的方法、装置及终端-CN201710005314.4有效
发明人：梁舟 -专利权人：努比亚技术有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G06T7/194 文献下载
摘要：所述方法包括：获取彩色图、深度图和对所述彩色图标记了前景点和背景点的掩模图；根据所述彩色图和掩模图确定所述掩模图上各个像素的第一分割参数，根据所述深度图和掩模图确定所述掩模图上各个像素的第二分割参数，对两种分割参数进行融合；构建无向图，将掩模图中的每一个像素的融合后的分割参数映射到所述无向图中，根据最小割‑最大流算法对所述无向图进行处理，获得精细分割后的掩模图；从彩色图中分割出精细分割后的掩模图中前景点对应的图像。
一种实现交互式图像分割方法装置终端

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