专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种LED照明驱动系统-CN201510999630.9在审
  • 乔明;于亮亮;李成州;方冬;何逸涛;张波 - 电子科技大学
  • 2015-12-25 - 2016-03-23 - H05B33/08
  • 包括变压器和驱动芯片,变压器包括第一交流输入端、第二交流输入端、第一交流输出端和第二交流输出端;驱动芯片包括第一器件、第二器件、第三器件、第四器件;第一器件的阳极与第四器件的阴极相连接形成第一节点,第一器件的阴极与第二器件的阴极相连接形成第二节点,第二器件的阳极与第三器件的阴极相连接形成第三节点,第三器件的阳极与第四器件的阳极相连接形成第四节点;所述第一交流输出端与第一节点相连接
  • 一种led照明驱动系统
  • [发明专利]一种桥式LED驱动芯片-CN201510512992.0有效
  • 乔明;于亮亮;何逸涛;代刚;张康;张波 - 电子科技大学
  • 2015-08-20 - 2017-12-15 - H05B37/02
  • 一种桥式LED驱动芯片,属于半导体技术领域。包括4个高反向耐压器件,第一高反向耐压器件阳极与第四高反向耐压器件阴极连接形成第一节点,第一高反向耐压器件阴极与第二高反向耐压器件阴极连接形成第二节点,第二高反向耐压器件阳极与第三高反向耐压器件阴极连接形成第三节点,第三高反向耐压器件阳极与第四高反向耐压器件阳极连接形成第四节点;第一节点和第三节点分别连接第一交流输入端和第二交流输入端,第二节点和第四节点分别连接第一直流输出端和第二直流输出端。本发明驱动芯片将整流和功能结合在一起,简化了驱动电路的结构,可实现驱动系统的小型化,且进一步降低了成本。
  • 一种led驱动芯片
  • [发明专利]三端自带防护功能的垂直型器件及其制造方法-CN201610604715.7在审
  • 乔明;方冬;于亮亮;李成州;李路;张波 - 电子科技大学
  • 2016-07-27 - 2016-12-07 - H01L29/861
  • 本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型器件及其制造方法,器件包括集成在同一硅基片上的器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构;器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用N型掺杂衬底、第三P型重掺杂区、阳极,器件结构还包括:第一扩散P型阱区、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、N型沟道区、第一氧化层、第一金属阴极,双向瞬态电压抑制二极管结构还包括:第二P型重掺杂区、第二氧化层、第二金属阴极,本发明将双向瞬态电压抑制二极管和器件集成在一起,使得器件具备了一定的抗浪涌能力,增强了器件以及由其组成的系统的可靠性,大大缩减了面积。
  • 防护功能垂直型恒流器件及其制造方法
  • [发明专利]三端自带防护功能的垂直型器件及其制造方法-CN201610602029.6在审
  • 乔明;方冬;于亮亮;李成州;李路;张波 - 电子科技大学
  • 2016-07-27 - 2016-12-21 - H01L29/861
  • 本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型器件及其制造方法,器件包括集成在同一硅基片上的器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构;器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用P型掺杂衬底、阳极、N型掺杂外延层,器件结构还包括:第一扩散P型阱区、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、N型沟道区、第一氧化层、第一金属阴极,双向瞬态电压抑制二极管结构还包括:第二P型重掺杂区、第二氧化层、第二金属阴极,本发明将双向瞬态电压抑制二极管和器件集成在一起,使得器件具备了一定的抗浪涌能力,增强了器件以及由其组成的系统的可靠性,大大缩减了面积。
  • 防护功能垂直型恒流器件及其制造方法
  • [实用新型]一种弱电流开关式LED驱动电路-CN201520891962.0有效
  • 陈爱华;马宏 - 杭州意聚电子技术有限公司
  • 2015-11-10 - 2016-03-09 - H05B37/02
  • 本实用新型公开了一种弱电流开关式LED驱动电路,它是由限流器件、反馈器件开关和控制器组成。其中电源电压通过所述的限流器件接入LED,所述开关又连接LED,并通过所述的反馈器件接地,所述控制器连接开关并输入控制电压以控制所述的开关驱动上述LED。本实用新型电路可以方便地采用弱电流信号来控制电路的开启和关闭,使用开关方式输出较弱电流的开关控制信号,并与供电电源共同控制LED的导通和关断。
  • 一种电流开关led驱动电路
  • [发明专利]一种深紫外LED器件及其制作方法-CN202010112840.2在审
  • 宓超 - 宁波升谱光电股份有限公司
  • 2020-02-24 - 2020-06-16 - H05B45/345
  • 本申请公开了一种深紫外LED器件及其制作方法,包括:陶瓷基板,位于陶瓷基板上方的UVC LED和UVA LED;UVC LED位于整体器件的中心区域,UVA LED位于UVC LED的一侧;还包括:位于陶瓷基板上方且与UVC LED串联的第一二极管;和/或,位于陶瓷基板上方且与UVA LED串联的第二二极管。这样在LED器件中加入了二极管,在实现同样功能前提下,无需IC芯片等高价值器件,在应用端极大简化驱动电路的设计,减少高价元器件的种类,大大降低成本,而不同功率的LED器件可搭配不同规格的二极管,相同工艺下可实现不同的条件,十分便利,使产品更具竞争力。
  • 一种深紫led器件及其制作方法
  • [实用新型]一种深紫外LED器件-CN202020200840.3有效
  • 宓超 - 宁波升谱光电股份有限公司
  • 2020-02-24 - 2020-11-03 - A61L2/10
  • 本申请公开了一种深紫外LED器件,包括:陶瓷基板,位于陶瓷基板上方的UVC LED和UVA LED;UVC LED位于整体器件的中心区域,UVA LED位于UVC LED的一侧;还包括:位于陶瓷基板上方且与UVC LED串联的第一二极管;和/或,位于陶瓷基板上方且与UVA LED串联的第二二极管。这样在LED器件中加入了二极管,在实现同样功能前提下,无需IC芯片等高价值器件,在应用端极大简化驱动电路的设计,减少高价元器件的种类,大大降低成本,而不同功率的LED器件可搭配不同规格的二极管,相同工艺下可实现不同的条件,十分便利,使产品更具竞争力。
  • 一种深紫led器件
  • [发明专利]光纤激光器线性驱动源-CN202210170248.7有效
  • 童小龙;闫大鹏;施建宏;卢昆忠 - 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司
  • 2022-02-24 - 2022-05-27 - H01S3/091
  • 本发明实施例公开了一种光纤激光器线性驱动源,其包括:泵浦源负载;均单元,包括多个并联的高压功率器件。所述均单元连接所述泵浦源负载以形成线性驱动源的主功率回路,并用于将所述线性驱动源的整体损耗均匀分布到所述高压功率器件中。本发明采用均技术以在驱动源中形成均单元,同时在均单元中并联多个高压功率器件,进而使得线性驱动源的输入电压和负载电流增加后,均单元可以将线性驱动源的整体损耗均匀分配到各个高压功率器件中,从而降低单个功率器件的发热功率,提高器件的可靠性,极大的提高了线性驱动源的带负载能力,同时提高了光纤激光器的功率密度,进而可进一步提升光纤激光器的小型化程度。
  • 光纤激光器线性驱动
  • [实用新型]一种新型的集成电路光源-CN201620410497.9有效
  • 陈艳黎;刘三妹;陈刚 - 陈艳黎;刘三妹;陈刚
  • 2016-04-19 - 2016-11-30 - H05B33/08
  • 本实用新型提出一种新型的集成电路光源,包括电路基板、安装在电路基板上的至少一个驱动温控集成电路和至少一个发光组件集合体,驱动温控集成电路与发光组件集合体连接,驱动温控集成电路的输出端为发光组件集合体供电,电路基板上固定有零线焊盘和火线焊盘,所述驱动温控集成电路包括至少一个插件型的保护器件、至少一个贴片结构的交直流转换器件、至少一个贴片结构的滤波器件和一个集成电路,所述保护器件、交直流转换器件、滤波器件集成电路连接,其结构简单。
  • 一种新型集成电路光源
  • [发明专利]三端自带防护功能的垂直型器件及其制造方法-CN201610604546.7在审
  • 乔明;方冬;于亮亮;李成州;李路;张波 - 电子科技大学
  • 2016-07-27 - 2016-12-07 - H01L29/861
  • 本发明提供一种三端自带防护功能的垂直型器件及其制造方法,器件包括集成在同一硅基片上的器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构;器件结构和双向瞬态电压抑制二极管结构共用N型掺杂衬底、第三P型重掺杂区、阳极、N型掺杂外延层;器件结构还包括:第一扩散P型阱区、N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、N型沟道区、第一氧化层、第一金属阴极,双向瞬态电压抑制二极管结构还包括:第二P型重掺杂区、第二氧化层、第二金属阴极,本发明将双向瞬态电压抑制二极管和器件集成在一起,使得器件具备了一定的抗浪涌能力,增强了器件以及由其组成的系统的可靠性,大大缩减了面积。
  • 防护功能垂直型恒流器件及其制造方法
  • [发明专利]器件及其制造方法-CN201711442225.2有效
  • 乔明;肖家木;赖春兰;方冬;李路;张波 - 电子科技大学
  • 2017-12-27 - 2021-04-02 - H01L29/73
  • 本发明提供一种器件及其制造方法,包括元胞区和终端区两个部分,元胞区包括多个结构相同并依次连接的元胞,每个元胞包括P型掺杂衬底、N型倒掺杂阱区、扩散P型阱区,终端区包括N型倒掺杂阱区外侧的P型掺杂外延区,本发明器件在P型衬底有源区注入与衬底掺杂类型相反的半导体材料,再通过外延和推阱使得有源区上下对通,使得倒掺杂阱与正掺杂阱相连,如此器件有源区与终端区自然形成PN结隔离,从而避免了衬底PN结边缘缺陷所导致的反向不耐压问题,本发明器件为双极型器件,相比单极型器件,本发明器件有更大的电流密度,可节省芯片面积;且采用双沟道设计,使器件有较强的能力,且时的电流值更加稳定。
  • 器件及其制造方法

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