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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]快恢复二极管-CN200920132922.2有效
发明人：廖志强;鲁跃军 -专利权人：深圳市晶导电子有限公司
申请日： 2009-06-16 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种快恢复二极管，所述快恢复二极管包括框架及焊接在框架上的至少一个芯片，所述快恢复二极管的反向恢复时间小于或等于150ns，反向击穿电压在180-300V之间。所述快恢复二极管的反向击穿电压比传统的二极管要高，反向恢复时间比传统的二极管要短，可以很好的满足实际工作的需要。
恢复二极管

[发明专利]快恢复二极管-CN202210966361.6在审
发明人：吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管包括：第一导电类型的第一电极区，第二导电类型的第二电极区和悬浮电极区。第二电极区和悬浮电极区之间间隔有第一导电类型的沟道区；第一栅极结构覆盖沟道区并形成MOS晶体管。第一电极区和第二电极区相接触形成第一二极管。第一电极区和悬浮电极区相接触形成第二二极管。第一栅极结构通过可调节电阻和第二电极相连。在反向恢复过程的反向偏压逐渐上升阶段，MOS晶体管导通，悬浮电极区和第二电极区电连接，第一二极管和第二二极管呈并联结构并都正向导通。本发明能改善并调节FRD的反向恢复软度而且能在保持FRD的结构不变时，使用户直接在电路层面调节器件的反向恢复软度，能为优化模块或系统提供更多的自由度。
恢复二极管

[发明专利]快恢复二极管-CN202210967302.0在审
发明人：吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管，包括：第一导电类型重掺杂的第一电极区、第二导电类型重掺杂的第二电极区，位于第一和第二电极区之间的第二导电类型掺杂的漂移区。在漂移区中插入有第二导电类型掺杂的电场阻滞层并将漂移区分割成第一和第二漂移子层。电场阻滞层的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度，漂移区耗尽时电场阻滞层内的电场强度的快速变化使第二漂移子层中的第二电场强度范围和第一漂移子层中的第一电场强度范围之间的差值增加，使快恢复二极管在反向恢复过程中电流随时间的变化速率减慢，改善器件的反向恢复软度并消除电压尖峰。本发明能在保证器件的开通压降和关断耐压满足要求的情况下显著的改善器件的反向恢复软度。
恢复二极管

[发明专利]快恢复二极管-CN202310800555.3在审
发明人：储金星;杨晶杰;周文杰 -专利权人：海信家电集团股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管，快恢复二极管包括：第一导电型的衬底；第一导电型的漂移层，漂移层包括第一浓度掺杂层、第二浓度掺杂层和第三浓度掺杂层，第一浓度掺杂层设置于衬底，第二浓度掺杂层设置于第一浓度掺杂层远离衬体的一侧，第三浓度掺杂层设置于第二浓度掺杂层远离衬体的一侧，第二浓度掺杂层的掺杂浓度不大于第一浓度掺杂层的掺杂浓度且小于第三浓度掺杂层的掺杂浓度，第一浓度掺杂层的掺杂浓度向远离衬底的方向逐渐减小；第二导电型的阳极层根据本发明实施例的快恢复二极管具有耐压性好、反向恢复峰值电流小和电路稳定性高等优点。
恢复二极管

[实用新型]快恢复二极管-CN201220094392.9有效
发明人：贾会霞 -专利权人：深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2012-03-11 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二上述快恢复二极管可在反向恢复时能够提供足够的载流子浓度，从而得以维持电流下降的软度。
恢复二极管

[实用新型]快恢复二极管-CN201220105064.4有效
发明人：贾会霞 -专利权人：深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2012-03-11 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二上述快恢复二极管可在反向恢复时能够提供足够的载流子浓度，从而得以维持电流下降的软度。
恢复二极管

[实用新型]快恢复二极管-CN201720094981.X有效
发明人：顾悦吉;黄示;韩健;陈琛 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请公开了快恢复二极管。所述快恢复二极管包括阴极，所述阴极包括场截止层和与所述场截止层接触的第一接触区；阴极；位于所述阴极上的漂移区；位于所述漂移区上的缓冲层；位于所述缓冲层中的阳极；从所述阳极经由所述缓冲层延伸至所述漂移区的至少一个沟槽该快恢复二极管采用缓冲层和从阳极经由缓冲层延伸至阴极的沟槽结构改善EMI兼容特性。
恢复二极管

[实用新型]快恢复二极管-CN202320518585.0有效
发明人：胡泽峰;王明辉 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：公开了一种快恢复二极管，包括：衬底，衬底具有第一掺杂类型；位于衬底上的外延层，外延层具有第一掺杂类型；位于外延层中的彼此隔离的第一阱区、第二阱区以及第三阱区，第一阱区、第二阱区以及第三阱区从外延层的表面向衬底的方向延伸，第一阱区和第二阱区具有第二掺杂类型，第三阱区具有第一掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；位于衬底中的彼此隔离的第四阱区和第五阱区，第四阱区和第五阱区从衬底远离外延层的表面向外延层的方向延伸，第四阱区具有第二掺杂类型本申请可以提升阴极区域的少子寿命以及提高快恢复二极管的正向性能。
恢复二极管

[实用新型]快恢复二极管-CN201020635121.0无效
发明人：余杰 -专利权人：东莞市百耀电子科技有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种快恢复二极管，包括二极管本体，所述二极管本体与三个引脚连接，位于二极管主体同一侧的两个引脚与二极管主体通过铜带连接，铜带与二极管主体的连接点为P/N结，P/N结采用单纯掺金，位于二极管主体另一侧的引脚是绝缘的本实用新型的有益效果为：单一P/N结一条铜带，单次点焊，生产效率高，良品率高；铜带热传导极佳，二极管PN结散热极快，产品可靠性极大提高；铜带导电性极好，动、静态阻值小，效率高，发热量小，应用中可大幅度提高效率及可靠性
恢复二极管

[实用新型]快恢复二极管-CN201120008397.0无效
发明人：张春培 -专利权人：连云港金堂福半导体器件有限公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快恢复二极管，包括晶粒和环氧模塑料，所述晶粒的外侧设置有引线装置，所述晶粒、焊片与引线装置的一端依次相连，所述环氧模塑料将所述晶粒和引线装置的一端包覆在内。本实用新型产品可广泛适用于各种需要使用快恢复二极管的场合。
恢复二极管

[外观设计]快恢复二极管-CN201730224942.2有效
发明人：俞金 -专利权人：俞金
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： 14-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称快恢复二极管。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品是一种高频开关电源上功率模块。3．本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。
恢复二极管

[实用新型]一种快恢复二极管绝缘整流电路-CN201920465112.2有效
发明人：谢凯凯;曹爱美;郭薛健;胡婷 -专利权人：深圳市豪林电子有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H02M7/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种快恢复二极管绝缘整流电路，包括快恢复二极管BD1、快恢复二极管BD2、快恢复二极管BD3和快恢复二极管BD4，所述快恢复二极管BD1、快恢复二极管BD2、快恢复二极管BD3和快恢复二极管BD4输入输出端依次相连构成全桥整流电路，快恢复二极管BD3的输入端接变压器T1的脚3，快恢复二极管BD14的输入端接变压器T1的脚4，所述快恢复二极管BD4的输出端串接电容C1接稳压器BUCK IC的输入端上述快恢复二极管绝缘整流电路具有响应速度快，输出电压稳定，工作稳定的优点。
快恢复二极管输入端接变压器整流电路输出端稳压器绝缘全桥整流电路输出电压稳定本实用新型输入输出端串接电容工作稳定依次相连接地串接响应

[实用新型]一种基于超快恢复二极管的开关模块-CN201420698632.5有效
发明人：黄赛琴;黄国灿;林勇 -专利权人：福建安特微电子有限公司
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于超快恢复二极管的开关模块，包括至少六个超快恢复二极管和一晶阀管T，所述第一超快恢复二极管F1和第二超快恢复二极管F2串联，第三超快恢复二极管F3和第四超快恢复二极管F4串联，第五超快恢复二极管F5和第六超快恢复二极管F6串联；所述六个超快恢复二极管两两串联后再进行并联连接；所述晶阀管T的正极端与第五超快恢复二极管F5连接，所述六个超快恢复二极管和一晶阀管T封装于一塑料外壳内。
一种基于恢复二极管开关模块

[发明专利]一种快恢复二极管的反向动态漏电流测试方法及测试电路-CN200810045621.6有效
发明人：潘敏智 -专利权人：潘敏智
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管的反向动态漏电流测试方法，它是在快恢复二极管应用在整机中处于正常工作状态下进行测试，该测试方法为：在应用整机中的快恢复二极管回路中串入反向动态漏电流测试电路，对所述快恢复二极管的反向动态漏电流进行测试，通过得到的反向动态漏电流数值来反映快恢复二极管的开关特性。本发明测试的电流就是反映快恢复二极管的反向动态漏电流，它的数值大小完全反映出快恢复二极管的开关特性，与单独对快恢复二极管的trr进行测试相比，这样的方法会更为直接、准确、容易。
一种恢复二极管反向动态漏电测试方法电路

[发明专利]一种快恢复二极管模块-CN201410617717.0有效
发明人：周文定 -专利权人：成都晶川电力技术有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L25/11 文献下载
摘要：本发明提供的快恢复二极管模块，包括外壳及与其配合构成腔体的底板，腔体内设有至少一快恢复二极管结构组，快恢复二极管结构组包括至少三个快恢复二极管芯片、绝缘基板、第一电极和第二电极，至少三个快恢复二极管芯片、绝缘基板和第一电极均设于底板上，第二电极设于绝缘基板上，至少三个快恢复二极管芯片相同的第一极与第一电极相连，至少三个快恢复二极管芯片相同的第二极与第二电极相连，至少三个快恢复二极管芯片的任一个芯片的中心与其它各快恢复二极管的芯片中心的距离之和相等本发明提供的快恢复二极管模块提高了各芯片之间的回路电流的均流性，提高了模块稳定性。
一种恢复二极管模块

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