专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种大螺距外螺纹加工表面形貌分布特性的检测方法-CN201610178060.1有效
  • 姜彬;张帅;李哲;吴培军 - 哈尔滨理工大学
  • 2016-03-25 - 2018-01-09 - G01B21/20
  • 本发明提供了一种大螺距外螺纹加工表面形貌分布特性的检测方法,其技术要点在于一、获取大螺距外螺纹表面形貌的检测试件;二、检测大螺距外螺纹的检测试件左右螺纹面的加工表面形貌,解算检测试件的加工表面形貌波纹指标;检测表面粗糙度指标;三、构建检测试件加工表面形貌波纹指标和表面粗糙度指标的分布序列;四、评价检测试件加工表面形貌的一致性。本发明对整条螺纹进行采样,根据大螺距外螺纹表面形貌的特点,提出了螺纹表面三维表征指标,提取螺纹表面波纹及指标,以大螺距外螺纹加工表面形貌分布一致性为评价指标,评定大螺距外螺纹车削加工表面质量,为大螺距外螺纹质量检测及工艺方案设计
  • 一种螺距螺纹加工表面形貌分布特性检测方法
  • [发明专利]芯片形貌预测方法、装置、设备及存储介质-CN202310423025.1在审
  • 季瑞安;陈岚;陈容 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-04-19 - 2023-07-14 - G06F30/398
  • 本申请公开了一种芯片形貌预测方法、装置、设备及存储介质,首先利用预先配置的形貌预测模型,对待预测芯片的版图参数进行处理,得到所述待预测芯片的形貌参数,而后根据所述待预测芯片的形貌参数,确定所述待预测芯片的形貌信息由于在相同的CMP工艺参数下,所述测试版图的化学机械抛光效果和所述待预测芯片的化学机械抛光效果一致,因此,利用所述测试版图的版图参数和所述测试版图的形貌参数,可以配置出能够表征所述待预测芯片的版图参数和对应的形貌参数之间映射关系的形貌预测模型,利用所述形貌预测模型可以确定出所述待预测芯片的化学机械抛光处理之后的形貌参数,从而实现预测化学机械抛光处理之后的芯片形貌的任务。
  • 芯片形貌预测方法装置设备存储介质
  • [发明专利]一种刻蚀方法-CN201110002838.0有效
  • 黄莉;齐龙茵;奚裴 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2011-01-07 - 2012-07-18 - H01L21/768
  • 本发明所提供的刻蚀方法,通过比较待刻蚀图案与已有刻蚀图案、测试基片形貌与标准形貌测试各基片的金属刻蚀终点时间,并观察各基片金属刻蚀终点时间是否有下降趋势的步骤、比较最后一个测试基片的形貌与标准形貌的步骤在各基片金属刻蚀终点时间有下降趋势,以及最后一个被刻蚀的测试基片的形貌测试结果与所提供的刻蚀程式适用于所提供的待刻蚀图案时的形貌不相符的情况下,可以判定所提供的刻蚀程式不适合于待刻蚀图案,从而在所提供刻蚀程式不适合于所提供的刻蚀图案的情况下可以尽早将所提供的刻蚀程式放弃
  • 一种刻蚀方法
  • [发明专利]一种沟槽形貌监控方法、结构器件-CN202110873012.5在审
  • 王万礼;李长亮;朱丽雅;陈海洋 - 天津环鑫科技发展有限公司
  • 2021-07-30 - 2021-11-12 - H01L21/66
  • 一种沟槽形貌监控方法,步骤包括:在衬底硅片上制作沟槽并在沟槽表面氧化生长一层氧化层;再在氧化层表面制作第一测试电极;在第一测试电极与预制在衬底远离沟槽一侧表面的第二测试电极之间进行电压测试,以测得氧化层的击穿电压值;将测得的氧化层的击穿电压值与氧化层的本征击穿电压值进行比对,以判断氧化层的厚度是否均匀,进而可判定与氧化层紧贴设置的沟槽的形貌是否符合标准。还提出一种采用该沟槽形貌监控方法获得的易于沟槽形貌监控的结构器件。本发明仅通过测试沟槽内氧化层的击穿电压即可间接判断沟槽形貌情况,不仅测试结果准确且可监测效率高,且再现检测率高。同时根据这一监控方法获得的沟槽形貌结构稳定,并与实际产线工艺兼容。
  • 一种沟槽形貌监控方法结构器件
  • [发明专利]根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法-CN202310423475.0在审
  • 郑鸿柱;郭纹辰;张利东 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2023-04-19 - 2023-08-18 - G03F7/20
  • 本发明提供一种根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法,提供至少一晶圆,在晶圆上形成光刻胶层,在不同的曝光区域上利用不同光刻工艺条件进行多次曝光;之后获取每个曝光区域上的光刻胶形貌图片;根据光刻胶形貌图片获取光刻胶轮廓,切割光刻胶轮廓形成多个切割段,之后计算每个切割段的形貌偏差值;以光刻工艺条件的参数及其对应的形貌偏差值进行模型训练得到机器学习模型;随机形成多组光刻工艺条件的测试参数,利用机器学习模型得到每组测试参数的形貌偏差值;选择符合判定值的形貌偏差值对应的测试参数作为最终光刻工艺条件。本发明通过生成光刻胶形貌偏差对光刻胶形貌定量描述,通过模型预测最佳工艺条件,节约了时间。
  • 根据光刻形貌快速确定工艺条件方法
  • [发明专利]高速运动物体速度和形貌测试系统-CN201210013947.7无效
  • 王高;王小燕;李仰军;周汉昌;王星河 - 中北大学
  • 2012-01-17 - 2012-07-04 - G01P3/66
  • 本发明公开了一种高速运动物体速度和形貌测试系统。该系统由高速运动物体速度测试装置、高速运动物体形貌测试装置和数据处理系统三部分组成,其中高速运动物体速度测试装置包括启动网靶、停止网靶和计时仪;高速运动物体形貌测试装置包括激光器、菲涅尔透镜、光电探测器和示波器;数据处理系统由计算机和数据处理软件组成,数据处理软件计算高速运动物体的速度和形貌并在计算机的显示器中显示结果。本系统成本低廉、可靠性高,可以用于高技术、军事及一般技术领域高速运动物体的速度和形貌测试
  • 高速运动物体速度形貌测试系统
  • [发明专利]一种基于数字全息术的物体形貌测试方法-CN202011165522.9在审
  • 张春熹;王峥;于佳;刘洪斌 - 衡阳市智谷科技发展有限公司
  • 2020-10-27 - 2021-02-02 - G01B11/24
  • 本发明公开了一种基于数字全息术的物体形貌测试方法,涉及数字全息检测技术领域。该基于数字全息术的物体形貌测试方法包括以下步骤:步骤一,将显微镜观测口与感光元件相连并将感光头和显微镜置于检测装置内部,再将待测物置于检测装置内部的检测台顶部;步骤二,将显微镜调整至最低倍状态以使得显微镜的观测口对待测物整体进行检测该基于数字全息术的物体形貌测试方法,通过显微镜和感光元件可以对待测物表面的缝隙进行深度检测,并且可以对待测物进行翻转,从而对待测物体与检测台顶部接触部分进行形貌检测,进而实现对待测物的全方位无死角形貌检测,对于一些精度要求较高的领域中的形貌测试具有极佳的表现。
  • 一种基于数字全息物体形貌测试方法
  • [发明专利]一种用于识别半导体纳米结构形貌的方法-CN201210178809.4有效
  • 刘世元;朱金龙;张传维;陈修国 - 华中科技大学
  • 2012-06-01 - 2012-10-17 - G01B11/24
  • 本发明公开了一种基于支持向量机的纳米结构形貌识别方法。首先生成训练光谱,确定支持向量机的核函数与训练方式;生成测试光谱及多种不同的支持向量机;利用测试光谱对支持向量机进行特征形貌识别准确率测试,找出识别准确率、训练光谱数目和核函数之间的关系,作为支持向量机训练的指导原则;对测试光谱添加不同量级的噪声影响,将含有不同量级噪声的测试光谱用于支持向量机中进行测试,找到在能保证正确识别率较高情形下所能添加的最大噪声量级,作为另一指导原则;利用两个指导原则,训练得到最优的支持向量机;对真实待识别结构对应的测量光谱进行映射,识别其形貌。本发明可以对半导体纳米结构的形貌特征进行快速、精确地识别。
  • 一种用于识别半导体纳米结构形貌方法

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