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[发明专利]可擦写存储器及其制造方法-CN202111525709.X在审
发明人：朱宝;尹睿;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明提供了一种可擦写存储器，包括衬底、阻挡层、第一异质结、第二异质结、隧穿层、沟道层、源极和漏极，所述阻挡层设置于所述衬底的顶面；第一异质结和第二异质结具有单向导通电荷特性，第一异质结和第二异质结分别用于可擦写存储器的数据写入操作和数据擦除操作；隧穿层包括水平部和竖直部，竖直部用于隔断第一异质结和第二异质结，以避免第一异质结和第二异质结的横向电荷导通；沟道层用于电荷的迁移。采用两个异质结分别作为可擦写存储器的数据写入和数据擦除通道，使得可擦写存储器的数据写入和数据擦除更加稳定和对称，提高了数据擦除和数据写入速度，降低了动态功耗。
擦写存储器及其制造方法

[实用新型]一种叠瓦组件和异质结太阳能电池片-CN202221643051.2有效
发明人：林宏达 -专利权人：成都中浦科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种叠瓦组件和异质结太阳能电池片，包括叠瓦机构和防溢出组件，叠瓦机构包括至少一个第一异质结太阳能电池片和一个第二异质结太阳能电池片，其中，第一异质结太阳能电池片的下端右侧与第二异质结太阳能电池片上端左侧相贴合，第一异质结太阳能电池片的下端右侧设置有正电极，第二异质结太阳能电池片的上端左侧设置有背电极，防溢出组件包括开设在第一异质结太阳能电池片下端右侧的第一开槽。该种叠瓦组件和异质结太阳能电池片，通过开设在第二异质结太阳能电池片上的第二开槽对导电胶进行放置，通过垂直固定在第二异质结太阳能电池片上的凸块对导电胶进行阻挡，从而避免过多的导电胶溢出到异质结太阳能电池片上
一种组件异质结太阳能电池

[发明专利]一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法-CN202111555010.8在审
发明人：吴宏荣;赵军华;李娜;童品森 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明公开了一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法，涉及二维/三维材料共形异质结测量表征技术领域，该方法包括：获取待识别二维/三维材料异质结的光学图像；从颜色厚度对应关系中确定与二维/三维材料异质结的颜色信息对应的二维/三维材料异质结厚度，从待识别二维/三维材料异质结的厚度对应的计算图谱中，得到二维/三维材料异质结的颜色随二维材料层数变化的计算图谱，将待识别二维/三维材料异质结光学图像与计算图谱进行比对，确定二维/三维材料异质结中二维材料的层数本发明基于光学图像与对应关系的比对，可以方便快捷有效的识别光学显微镜观测的二维/三维材料异质结中二维材料层数。
一种识别二维三维材料异质结中层数光学方法

[发明专利]一种异质结电池的处理方法-CN202210250868.1在审
发明人：程尚之;周肃;龚道仁;符欣 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结电池的处理方法。所述的异质结电池的处理方法包括：提供异质结电池，所述异质结电池包括单晶半导体层和非晶半导体层；将所述异质结电池置于暗态环境中，在暗态环境中对所述异质结电池进行静置处理，直至所述异质结电池的效率稳定至第一效率；进行所述静置处理之后，对所述异质结电池进行光照处理，使所述异质结电池的效率上升至第二效率，所述第二效率大于所述第一效率。所述异质结电池的处理方法实现了对非晶半导体层内的缺陷以及潜在缺陷的钝化修复，避免了异质结电池因非晶半导体层内的缺陷和潜在缺陷的存在发生效率衰减。
一种异质结电池处理方法

[发明专利]半导体器件制备方法及半导体器件-CN202011461968.6有效
发明人：李马惠;师宇晨;张海超;穆瑶 -专利权人：陕西源杰半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述半导体器件制备方法包括如下步骤：提供衬底，并在所述衬底的表面生长第一包覆层；在所述第一包覆层远离所述衬底的表面生长第一限制异质结层；在所述第一限制异质结层远离所述第一包覆层的表面生长有源层；在所述有源层远离所述第一限制异质结层的表面生长第二限制异质结层；其中，沿所述第一包覆层至所述第二限制异质结层方向上，所述第一限制异质结层的禁带宽度逐渐变小，所述第二限制异质结层的禁带宽度逐渐变大。在第一限制异质结层与第二限制异质结层之间形成了禁带宽度梯度差，可以加快载流子在异质结中移动，从而降低了载流子在异质结中的渡越时间，提高了载流子注入效率。
半导体器件制备方法

[发明专利]异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法-CN201780005921.9有效
发明人：李伟;徐挽杰;徐慧龙;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法，包括：第一绝缘层覆盖在衬底的上表面，第一异质结材料层覆盖在第一绝缘层的上表面上用于设置源极的一端，源极设置在第一异质结材料层的一端，第一异质结材料层另一端周围设置有第二绝缘层，隔离层设置在异质结层上，隔离层覆盖在源极的内侧；第二异质结材料层覆盖在第一异质结材料层的另一端、第二绝缘层以及第二绝缘层上，与第一异质结材料层形成异质结，漏极设置在第二异质结层上与源极相对的另一端；栅介质层覆盖在第二异质结材料层上位于源极和漏极之间的位置通过设置第二绝缘层进行隔离，显著减小边缘态导致的泄露电流，并利用二维材料形成异质结，避免了因晶格不匹配导致的界面缺陷。
异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]基于天线直接匹配的锗硅异质结双极晶体管探测器-CN201811094111.8有效
发明人：孙鹏林;傅海鹏;张齐军;马建国 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01D5/40 文献下载
摘要：一种基于天线直接匹配的锗硅异质结双极晶体管探测器，有第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管，第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管的基极分别连接天线，第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管的发射极均接地，第一锗硅异质结双极晶体管的集电极通过第一四分之一波长微带线至输出端，第二锗硅异质结双极晶体管的集电极通过第二四分之一波长微带线至输出端，第一锗硅异质结双极晶体管的基极和第二锗硅异质结双极晶体管的集电极之间连接第电容，第二锗硅异质结双极晶体管的基极和第一锗硅异质结双极晶体管的集电极之间连接第电容，天线中的直流偏置走线连接直流偏置电压。
基于天线直接匹配锗硅异质结双极晶体管探测器

[发明专利]一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法-CN202210049787.5在审
发明人：徐杨;宁浩;吴少雄;吕建杭;刘粒祥;陈丽;汪晓晨;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法，包括组成阵列的若干异质结单元。异质结单元为二维材料/硅的垂直异质结，阵列是异质结单元的面阵阵列。制备方法为在绝缘层上硅衬底上通过刻蚀顶硅的方式形成图形化的顶硅条带，再依次沉积绝缘层、制作电极、刻蚀出硅窗口及硅接触孔，再将二维材料转移至硅窗口并图形化。本发明通过二维材料与硅的垂直异质结拓宽吸收波段、增强光吸收。本发明的异质结阵列中，每一列/行异质结共用同一条顶硅条带，每一行/列异质结的二维材料接触电极相互连接，组成一条该行/列的顶电极布线。本发明实现了二维材料/硅异质结器件的阵列制作，为二维材料和硅的大规模集成提供了方案。
一种基于绝缘层上硅衬底二维材料硅异质结阵列及其制备方法

[发明专利]一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法-CN201910188032.1在审
发明人：黄江;董怀远;何磊;侯思辉 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池依次包括衬底、第一电极层、功能层、第二电极层，其特征在于：所述功能层包括第一有机体异质结层和第二有机体异质结层，并在第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间插入钙钛矿修饰层，所述第一有机体异质结层靠近第一电极层，第二有机体异质结层靠近第二电极层。本发明通过将钙钛矿能级修饰层引入双体异质结有机太阳能电池中，有效的解决了传统双体异质结有机太阳能电池开路电压较低的问题，提升电池效率，简化了制备工艺。
有机体异质结层有机太阳能电池钙钛矿修饰层异质结双体能级第二电极第一电极功能层制备太阳能电池电池效率开路电压制备工艺衬底引入

[发明专利]一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用-CN202011003961.X有效
发明人：王琦;徐际宇;刘昊;袁学光;柴昭尔;刘凯;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用，结构包括：微管式半导体二维材料三维异质结、内壁电极、外壁电极和衬底；内壁电极只与微管式三维异质结的内壁材料形成电接触；外壁电极只与微管式三维异质结的外壁材料形成电接触；内壁电极和外壁电极均与衬底绝缘；微管式半导体二维材料三维异质结为由处于衬底上的半导体二维材料平面异质结自卷曲形成的管状三维异质结。本发明解决了管状三维异质结器件无法制备的问题，工艺简单，可同时实现微管式三维异质结的制备和外壁材料与外壁电极间的电接触，还保证电流只沿径向通过微管式三维异质结而不通过平面异质结，可广泛用于光电探测、光伏
一种微管三维异质结器件结构及其制备方法应用

[发明专利]二维材料异质结热电器件及其制备方法-CN202210158039.0在审
发明人：易典;王荣福 -专利权人：深圳市汉嵙新材料技术有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料异质结热电器件的制备方法及二维材料异质结热电器件。该二维材料异质结热电器件的制备方法包括如下步骤：在基材上形成二维材料异质结，二维材料异质结由包括两种不同的二维层状材料的原料经层叠形成；在基材上形成遮蔽二维材料异质结的光刻胶，光刻胶为电子束敏感的光刻胶；采用电子束照射光刻胶的预设区域，形成暴露部分二维材料异质结的蚀刻开口；通过蚀刻开口对二维材料异质结进行刻蚀；过蚀刻开口制备金属电极；及去除光刻胶。上述制备方法能够实现在尺寸较小的二维材料异质结之间形成金属电极，该金属电极可以用作触点并进一步通过引线电连接于外部的测试电路。
二维材料异质结热电器件及其制备方法

[发明专利]基于垂直沟道的异质结场效应管器件及其制备方法-CN201710086528.9在审
发明人：董志华;蔡勇;程知群;刘国华;柯华杰;周涛 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于垂直沟道的异质结场效应管器件(VC‑HFET)及其制备方法。所述异质结场效应管器件包括源极、漏极、栅极以及至少一异质结沟道，所述异质结沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述异质结沟道位于异质结构内，所述异质结构包括第二半导体和环绕第二半导体设置的第一半导体，第一半导体的禁带宽度大于第二半导体，且所述异质结沟道内形成有二维电子气或二维空穴气，所述源极与漏极经所述二维电子气或二维空穴气电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的异质结场效应管器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。
基于垂直沟道异质结场效应器件及其制备方法

[实用新型]高效异质结光伏组件-CN202021449809.X有效
发明人：邓士锋;夏正月;许涛 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效异质结光伏组件，其包括异质结太阳能电池片、连接至所述异质结太阳能电池片受光面的第一焊带以及连接至所述异质结太阳能电池片背光面的第二焊带、覆于所述第一焊带外侧且粘接至所述异质结太阳能电池片受光面的第一粘合膜以及覆于所述第二焊带外侧且粘接至所述异质结太阳能电池片背光面的第二粘合膜；基于本实用新型所提供高效异质结光伏组件的具体结构，可大幅降低水汽、Na+直接进入到异质结太阳能电池片内部的概率，能够保证异质结太阳能电池片具有较为稳定的电池性能；还可以确保第一焊带、第二焊带与异质结太阳能电池片之间具有紧密的电性接触，避免了由于焊接不牢导致高效异质结光伏组件串联电阻增大的问题。
高效异质结光伏组件

[发明专利]半导体装置-CN201210458371.5有效
发明人：胜野高志;树神雅人;市川正;石井荣子 -专利权人：株式会社丰田中央研究所
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：在半导体装置（1）中，漏极（21）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电连接，源极（29）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电绝缘且构成为可与形成于第二异质结面（34）的二维电子气层电连接，栅极部（28）与第二异质结面（34）相向，导通电极（25）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层及形成于第二异质结面（34）的二维电子气层这两者电连接。形成于第一异质结面（32）的二维电子气层的电子浓度比形成于第二异质结面（34）的二维电子气层的电子浓度大。
半导体装置

[发明专利]一种单层二硫化钼能谷协调的单极型自旋二极管-CN201911029141.5有效
发明人：翟学超;刘永强;闻睿 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了自旋电子学元器件技术领域的一种单层二硫化钼能谷协调的单极型自旋二极管，旨在解决现有技术中的微电子产业受制于器件功耗增大和制造成本增加，导致其集成度遭遇瓶颈的技术问题。所述自旋二极管包括由掺杂半导体材料与衬底材料融合形成的第一异质结和第二异质结，第一异质结与第二异质结相接触构成PN结，融合形成第一异质结或/和第二异质结的衬底材料为铁磁绝缘体，所述半导体为单层二硫化钼。
一种单层二硫化钼协调单极自旋二极管

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