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[发明专利]堆叠晶体管布置及其制造工艺-CN202211018345.0在审
发明人：黄新年;林鸿振;姚冀武;张正雄 -专利权人：虹冠电子工业股份有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：第一晶体管芯片和第二晶体管芯片的开关电极在第一晶体管芯片和第二晶体管芯片的相对两侧上是可接近的。第一晶体管芯片和第二晶体管芯片彼此叠置。晶体管芯片的相邻两侧的开关电极通过位于第一晶体管芯片和第二晶体管芯片之间的导电层耦合在一起。第一晶体管芯片和第二晶体管芯片的相邻两侧的相对两侧上的开关电极通过接合线或焊料凸块耦合到引线框架。
堆叠晶体管布置及其制造工艺

[实用新型]一种开关二极管阵列-CN201520409540.5有效
发明人：徐青青 -专利权人：常州银河世纪微电子有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种开关二极管阵列，包括六个引线、两个开关二极管芯片组、开关二极管芯片和塑封体；六个引线各自具有相应的贴片基岛；开关二极管芯片组均是由两个开关二极管芯片集成为一体的，所述第一开关二极管芯片组的背面是阳极，且表面有第一阴极和第二阴极，所述第三开关二极管芯片组的背面是阴极，且表面有第一阳极和第二阳极；开关二极管芯片组和开关二极管芯片分别焊接在相应的贴片基岛上，且其表面的极性分别通过焊线与相应的贴片基岛焊接连接；贴片基岛、开关二极管芯片和开关二极管芯片组均被封装在塑封体内。
一种开关二极管阵列

[发明专利]一种新型推土机仪表-CN201711101463.7在审
发明人：祝东营;龚纪强;朱茂杰 -专利权人：柳工常州机械有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： E02F9/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型推土机仪表，包括仪表壳体，壳体的中心区域设有显示屏；所述壳体内部设有仪表电路板，该仪表电路板上包括控制芯片U、第一开关二极管芯片U1、第二开关二极管芯片U2、第一低压侧电源开关芯片U3以及第二低压侧电源开关芯片U4，所述电路板具有一输入端和两个输出端，所述输入端与所述控制芯片U连接，第一输出端连接第一低压侧电源开关芯片U3，所述第一低压侧电源开关芯片U3连接第一开关二极管芯片U1，所述第一开关二极管芯片U1连接所述控制芯片；第二输出端连接第二低压侧电源开关芯片U4，所述第二低压侧电源开关芯片U4连接第二开关二极管芯片U2，所述第二开关二极管芯片U2连接所述控制芯片。
一种新型推土机仪表

[发明专利]半导体模块-CN201680077341.6有效
发明人： S.哈特曼恩;U.施拉普巴奇 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种半导体模块（10）包括：衬底板（14）；半导体开关芯片（22a）和二极管芯片（24a），附连到衬底板（14）上的集电极导体（16），其中二极管芯片（24a）反并联电连接到半导体开关芯片（22a）；其中半导体开关芯片（22a）经由接合线（28）电连接到衬底板（14）上的发射极导体（18），从而提供第一发射极电流路径（50a），该发射极导体（18）相对于二极管芯片（24a）与半导体开关芯片（22a）相对地布置；其中半导体开关芯片半导体开关芯片（22a）是第一半导体开关芯片，以及二极管芯片（24a）是第一二极管芯片，其布置在第一行（42a）中。半导体模块（10）还包括第二行（42b）的附连到集电极导体（16）的第二二极管芯片（24a、24b）和第二半导体开关芯片（22b），其中每个行的二极管芯片（24a、24b）反并联电连接到相同行的半导体开关芯片第一半导体开关芯片（22a）布置在第二二极管芯片（24b）旁边，以及第二半导体芯片（22b）布置在第一二极管芯片（24a）旁边。
半导体开关二极管芯片芯片衬底板半导体模块发射极导体接合线栅极电流路径发射极电流突出区域栅极导体导体电连接集电极半导体芯片栅电极延伸

[实用新型]一种新型推土机仪表-CN201721489918.2有效
发明人：祝东营;龚纪强;朱茂杰 -专利权人：柳工常州机械有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： E02F9/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型推土机仪表，包括仪表壳体，壳体的中心区域设有显示屏；所述壳体内部设有仪表电路板，该仪表电路板上包括控制芯片U、第一开关二极管芯片U1、第二开关二极管芯片U2、第一低压侧电源开关芯片U3以及第二低压侧电源开关芯片U4，所述电路板具有一输入端和两个输出端，所述输入端与所述控制芯片U连接，第一输出端连接第一低压侧电源开关芯片U3，所述第一低压侧电源开关芯片U3连接第一开关二极管芯片U1，所述第一开关二极管芯片U1连接所述控制芯片；第二输出端连接第二低压侧电源开关芯片U4，所述第二低压侧电源开关芯片U4连接第二开关二极管芯片U2，所述第二开关二极管芯片U2连接所述控制芯片。
低压侧电源开关芯片控制芯片二极管芯片开关二极管第一开关输出端连接新型推土机仪表电路板输入端芯片仪表本实用新型电路板壳体内部仪表壳体中心区域输出端壳体显示屏

[发明专利]混合动力汽车双面冷却平面高温逆变器-CN200910069440.1有效
发明人：徐连勇;陆国权;荆洪阳 -专利权人：天津大学
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明公开一种混合动力汽车双面冷却平面高温逆变器，有主动开关芯片和二极管芯片，主动开关芯片和二极管芯片并排设置于上层覆铜陶瓷基板和下层覆铜陶瓷基板之间，主动开关芯片和二极管芯片与上层覆铜陶瓷基板及下层覆铜陶瓷基板之间的界面通过烧结银接头而连接，主动开关芯片、二极管芯片、上层覆铜陶瓷基板和下层覆铜陶瓷基板之间的间隙填充有密封材料。在主动开关芯片和二极管芯片两者中相对薄的芯片下面设置金属垫片，使主动开关芯片和二极管芯片两者高度相等。
混合动力汽车双面冷却平面高温逆变器

[发明专利]带有反向二极管的半桥模块-CN202310119008.9在审
发明人：柳伟 -专利权人：采埃孚股份公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：提供一种带有反向二极管的半桥模块(10)，包括：主基板(18)；第一和第二半导体开关芯片(12a，12b)；第一和第二二极管芯片(14a，14b)；以及辅助基板(34)，其中，第一和第二半导体开关芯片以及第一和第二二极管芯片被布置在主基板与辅助基板之间主基板的金属化层(22)被划分成在隔离层上彼此电分离的DC+区域、AC区域和DC‑区域；第一半导体开关芯片通过正端子侧敷接到DC+区域；第一二极管芯片通过阳极侧敷接到AC区域；第二半导体开关芯片通过正端子侧敷接到AC区域；第二二极管芯片通过阳极侧敷接到DC‑区域；并且半导体开关芯片通过其负端子侧敷接到辅助基板，且二极管芯片通过其阴极侧敷接到辅助基板，辅助基板将半导体开关芯片和二极管芯片互连成半桥。
带有反向二极管模块

[发明专利]显示装置-CN201280017303.3有效
发明人：蒂尔曼·鲁戈海默;诺温·文马尔姆;斯特凡·伊莱克 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：本发明提出一种显示装置，所述显示装置具有：-多个像素（1），-至少一个连接载体（2），以及-多个无机的发光二极管芯片（3），其中-连接载体（2）包括多个开关（21），-每个像素（1）包含至少一个发光二极管芯片（3），-每个发光二极管芯片（3）机械固定且电连接在连接载体（2）上，-每个开关（21）建立为用于控制至少一个发光二极管芯片（3），以及-发光二极管芯片（3）是显示装置的成像元件。
显示装置

[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管-CN202221895534.1有效
发明人：高旭 -专利权人：武汉派思半导体有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片以及管壳；绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片之间三维堆叠互联，且封装于管壳内。本实用新型的有益效果是：使用绝缘栅双极型晶体管芯片和二极管芯片三维堆叠的方式，可以有效减小电路的尺寸，并有效降低芯片互连带来的寄生参数，从而提升绝缘栅双极型晶体管器件的开关波形质量，缩小器件尺寸，减小开关损耗
一种绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种升压型同步DC-DC电路-CN201810194795.2在审
发明人：王彦新 -专利权人：上海岭芯微电子有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明涉及一种升压型同步DC‑DC电路，包括同步BOOST电路，同步BOOST电路中的低位开关和高位开关连接有驱动芯片，所述的驱动芯片包括封装为一体的两个管芯，分别为用于驱动低位开关的第一管芯(1)以及用于驱动高位开关的第二管芯(2)，所述的第一管芯(1)和第二管芯(2)电气连接。与现有技术相比，本发明的驱动芯片采用两个管芯独立设置的形式，两个单独的管芯在结构上避免了高压结隔离工艺中的寄生效应，从而消除了传统的同步BOOST控制电路高压工艺中寄生效应的限制，解决了在高安全性、高可靠性要求的应用中不能使用同步
管芯驱动芯片低位开关高位开关寄生效应第二管升压型高压结隔离工艺驱动电气连接独立设置高安全性高可靠性高压工艺传统的封装应用

[发明专利]射频前端芯片集成模块和射频前端芯片集成方法-CN201610168211.5在审
发明人：陈高鹏;赵冬末;陈俊;张德林 -专利权人：宜确半导体（苏州）有限公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请提供一种射频前端芯片集成模块和射频前端芯片集成方法，其中射频前端芯片集成模块，包括第一管芯和第二管芯，其中第一管芯用于放大射频功率，第二管芯为射频开关管芯、控制器管芯或输出匹配网络管芯中的至少一个；所述第一管芯表面设置有第一管芯结合部，第二管芯表面设置有与所述第一管芯结合部相对且电气互连的第二管芯结合部，通过第一管芯结合部和第二管芯结合部电气相连，实现第一管芯与第二管芯堆叠连接，第一管芯与第二管芯的集成为三维集成，也即立体集成，相对于现有技术中管芯与管芯之间的二维集成，节省了芯片封装空间，提高了射频前端芯片的集成度。
射频前端芯片集成模块方法

[发明专利]射频开关集成模块及其集成方法、射频前端集成电路-CN201610256711.4有效
发明人：陈高鹏;路宁;赵冬末;刘海玲 -专利权人：宜确半导体（苏州）有限公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种射频开关集成模块及其集成方法、射频前端集成电路，所述射频开关集成模块包括：扇出型封装模塑料；至少一个制作有射频开关电路的第一管芯，所述第一管芯为GaAs pHEMT管芯；至少一个制作有接口电路、控制电路的第二管芯；采用扇出型封装模式，将GaAs pHEMT管芯与集成有接口电路和控制电路的第二管芯异质集成在同一个集成模块中，解决了GaAs pHEMT工艺无法集成接口电路和控制电路功能的管芯的问题，采用集成有射频开关功能的GaAs pHEMT管芯和集成有接口电路和控制电路的第二管芯的异质集成模块，代替现有技术中采用SOI工艺制造并集成了接口电路和控制电路的射频开关芯片，进而提高了射频开关芯片的性能
射频开关集成模块及其方法前端集成电路

[实用新型]功率晶体管芯片小单元和双极型NPN功率晶体管芯片-CN200520018632.7无效
发明人：程铭 -专利权人：北京富桦明电子有限公司;程铭
申请日： 2005-05-18 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种功率晶体管芯片小单元和双极型NPN功率晶体管芯片，该功率晶体管芯片小单元的特征在于：其包括基区、发射区以及集电区，发射区和集电区为N型，基区为P型，且集电区与基区之间的集电结是平面与弯曲面的结合。由上述的多个功率晶体管芯片小单元可以并联组成双极型NPN功率晶体管芯片，从而该双极型NPN功率晶体管芯片能可靠的应用于50KC以及以上的开关电路。
功率晶体管芯片单元双极型 npn

[发明专利]一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块-CN201810576056.X在审
发明人：安冰翀 -专利权人：臻驱科技(上海)有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明的功率半导体模块衬底，包括第一桥臂单元，第一桥臂单元包括沿第一方向依次设置的第一功率金属敷层、第一辅助金属敷层和第二功率金属敷层；第二功率金属敷层设有第一功率开关；其中，第一功率开关的第一开关组、第二开关组、第三开关组和第四开关组依次沿第二方向并排设置，第一开关组的晶体管芯片和第三开关组的晶体管芯片分别靠近第一辅助金属敷层设置，第二开关组的晶体管芯片和第四开关组的晶体管芯片分别远离第一辅助金属敷层设置本发明的功率半导体模块衬底及功率半导体模块，能够降低功率开关的各个芯片之间的热耦合程度、均衡功率开关的各个芯片之间的杂散参数。
功率半导体模块开关组敷层晶体管芯片衬底辅助金属功率金属第一开关功率开关桥臂单元芯片并排设置降低功率均衡功率依次设置热耦合杂散

[实用新型]一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块-CN201820870704.8有效
发明人：安冰翀 -专利权人：臻驱科技(上海)有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型的功率半导体模块衬底，包括第一桥臂单元，第一桥臂单元包括沿第一方向依次设置的第一功率金属敷层、第一辅助金属敷层和第二功率金属敷层；第二功率金属敷层设有第一功率开关；其中，第一功率开关的第一开关组、第二开关组、第三开关组和第四开关组依次沿第二方向并排设置，第一开关组的晶体管芯片和第三开关组的晶体管芯片分别靠近第一辅助金属敷层设置，第二开关组的晶体管芯片和第四开关组的晶体管芯片分别远离第一辅助金属敷层设置本实用新型的功率半导体模块衬底及功率半导体模块能够降低功率开关的各个芯片之间的热耦合程度、均衡功率开关的各个芯片之间的杂散参数。
功率半导体模块开关组敷层晶体管芯片衬底本实用新型辅助金属功率金属第一开关功率开关桥臂单元芯片并排设置降低功率均衡功率依次设置热耦合杂散

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