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[外观设计]带图形用户界面的光刻机-CN201930468069.0有效
发明人：施琪;卜小建 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：带图形用户界面的光刻机。;2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于光刻机交互控制。;3.本外观设计产品的设计要点：在于屏幕中的图形用户界面内容。;6.图形用户界面的用途：用于光刻机交互控制。;7.图形用户界面在产品中的区域：光刻机的主视图包括光刻机交互控制的框架界面；主视图局部放大图表示了光刻机交互控制的框架界面区域的局部放大；界面变化状态图1为光刻机交互控制的框架界面，不论按钮点击与否，;8.图形用户界面的人机交互方式：通过按钮点击。;9.图形用户界面的变化状态说明：点击左上角的登录按钮出现Log in/Log out、Close、Restart按钮，如界面变化状态图2所示；在框架界面上点击“Production”按钮，进入界面变化状态图
带图形用户界面的光刻机

[发明专利]光刻机参数状态检测方法、装置、设备及其存储介质-CN202111046088.7有效
发明人：叶小龙;侯广杰;谢超;王栋 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻机参数状态检测方法、装置、设备及其存储介质，该方法包括获取工作时的光刻机的各种工作参数；将各种工作参数转换成对应的工作图形界面并量化；对比工作图形界面与对应的正常图形界面的偏差，若偏差在预设范围内，则工作时的光刻机指标合格；若偏差超过预设范围，则工作时的光刻机出现故障。本申请提供的上述技术方案，通过将工作时的光刻机的各种工作参数转换成对应的工作图形界面，根据工作图形界面来判断光刻机的各个参数是否出现异常，更加直观的对比出设备各项参数状态的变化，解决了传统方式依靠工程师停机检查及设备仪器检测时效性低的问题
光刻参数状态检测方法装置设备及其存储介质

[发明专利]光刻版设计方法及光刻工艺中不同光刻机的匹配方法-CN201410674981.8在审
发明人：李立文;赵学锋;俞马锋;宋金伟;李志栓 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻版设计方法及光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，根据同一产品的图形层次以及空闲的不同类型光刻机的数量确定每一图形层次光刻工艺所使用的光刻机，其中，用于第一类光刻机的光刻版版图由整数倍的用于第二类光刻机的光刻版版图组成，所述第一类光刻机的曝光视场大于所述第二类光刻机的曝光视场。如此，可以在同一产品的光刻工艺中采用多种型号的光刻机，并且仍然可实现产品图形的对准，在不牺牲第一类光刻机效率的前提下，兼容第二类光刻机的效率，充分发挥在线各类型光刻机的产能。
光刻设计方法工艺不同匹配

[发明专利]一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法-CN201110349890.3无效
发明人：马兰涛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法，提供光刻图形对准标记，光刻图形对准标记位于对准图形中部第一保护带内，对准图形保护带位于切割带内，切割带两侧分别分布有第二保护带和分隔带，光刻图形对准标记为若干相互平行的矩形条，其中，所述若干相互平行的矩形条垂直于所述切割带方向地在所述对准图形中部第一保护带内依次进行排布。与已有技术相比，本发明的有益效果在于：1、在现有光刻机的设计精度下，缩短图形的宽度，把信号扫描方向的其它干扰图形去除掉，这样就减少了干扰信号避免了对准偏差；2、所有的产品都可以使用这个图形。
一种减少光刻对准偏差图形标记方法

[发明专利]一种基于等分因子的直写式光刻机曝光方法-CN201910815567.7有效
发明人：赵美云 -专利权人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种基于等分因子的直写式光刻机曝光方法，可解决当前直写式光刻机曝光技术的直写式光刻机的最小特征图形的解析能力和图形分辨能力较低的技术问题。本发明采用等分因子技术，将直写式光刻机的光刻版图进行等分，然后对数据进行栅格化并进行重组，使得DMD数字微镜在每次进行刷新时，加载不同时刻的光刻数据，从而完成曝光；取代了传统的完全依赖光刻机物镜倍率来提升最小特征图形解析的能力和图形精细度本发明通过等分因子提升了直写式光刻机的最小线宽的解析能力，同时增加了写式光刻机的产能。
一种基于等分因子直写式光刻曝光方法

[发明专利]体硅微加工工艺的定位方法-CN201410660920.6有效
发明人：荆二荣 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种体硅微加工工艺的定位方法，采用双面光刻和步进式光刻相结合的方法，通过双面光刻机找到步进式光刻机在第一基片的步进式光刻对位标记，然后直接使用步进式光刻机对第二基片进行对位。步进式光刻机的对位精度就相当于下上基片表面的图形的对位精度，因而大大提高了体硅微加工工艺的对位精度。
体硅微加工工艺定位方法

[发明专利]一种提高异机光刻混合作业对位精度的方法-CN202110101373.8有效
发明人：赵亮;吴继清;许海明 -专利权人：湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高异机光刻混合作业对位精度的方法，包括如下步骤：根据步进光刻机的曝光场个数以及每个曝光场中的对位标记图形，设计制作包含有步进光刻机对位标记和接触式/接近式光刻机对位标记的光刻版，用此光刻版在产品上面制作标记图形，即可实现步进光刻机和接触式/接近式光刻机之间的任意混合作业，再对步进光刻机的比例量、正交量、旋转量、偏移量进行测量计算并对应补偿，保证各层光刻图形与对位标记对准，便能很大程度上提高异机光刻对位精度。
一种提高光刻混合作业对位精度方法

[发明专利]控制直写式光刻机的方法和直写式光刻机-CN202111235304.2有效
发明人：赵美云 -专利权人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了控制直写式光刻机的方法和直写式光刻机，直写式光刻机包括空间光调制器件，方法包括：获取原始光刻图形；获得用于本次曝光的形变后光刻图形，并提取其中的第二特征图形数据单元；查询预存的数据仓库；确定数据仓库中存在同类型的目标形变后光刻图形；将第二特征图形数据单元与数据序列中的第三特征图形数据单元进行比对；确定存在与第二特征图形数据单元可相互替换的目标第三特征图形数据单元，将对应的空间光调制器件所需数据转换为第二特征图形数据单元对应的空间光调制器件目标数据；控制直写式光刻机的空间光调制器件。本发明的控制直写式光刻机的方法处理时间短，可通过软件实现对数据的处理，提升了直写式光刻机的产能。
控制直写式光刻方法

[发明专利]一种在GaAs圆片上实现异机匹配套刻的方法-CN201410147681.4有效
发明人：王溯源;彭劲松;高建峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是一种在GaAs圆片上实现异机匹配套刻的方法，利用标准GaAs圆片将ASML扫描式光刻机的焦平面参数校准；利用经过校准后的ASML扫描式光刻机曝光ASML和Nikon圆片对准标记图形以及用于测试套刻精度的overlay图形；腐蚀用于校准nikon步进式光刻机的标准圆片；利用nikon步进式光刻机曝光overlay图形；通过测试套刻误差，调整nikon步进式光刻机的设备参数；实现nikon步进式光刻机和ASML扫描式光刻机的套刻匹配。优点：GaAs圆片校准ASML扫描式光刻机的焦平面参数简单，操作性强；overlay图形套刻质量的测试是标准测试方法，套刻数据准确性有保障且易得；通用性强。
一种 gaas 圆片上实现异机匹配套方法

[发明专利]同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法-CN201110386793.1有效
发明人：王剑;毛智彪;戴韫青 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供的一种同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，包括设计基准晶圆和基准图形；以一系列的曝光参数下的第一光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构；以一系列的曝光参数下的第二光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构；步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻机和第二光刻机的相应的基准曝光参数。本发明简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，使不同光刻机产生的图形尺寸都能达到一致，保证了批量生产中晶圆产品的质量。
同一光刻工艺不同匹配方法

[发明专利]一种光刻机之间的工艺匹配方法-CN201110384018.2有效
发明人：王剑;毛智彪;戴韫青 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻机之间的工艺匹配方法，其步骤包括：1）在同一片掩模板上设计各种1D，2D图形；2）第一光刻机利用所述掩模板曝光一片基准晶圆；3）量测所设计的图形尺寸作为基准数据；4）第二光刻机使用同一片掩模板曝光相同参数晶圆；5）将第二光刻机量测数据与第一光刻机量测数据比较，得到数据吻合的参数；6）两台光刻机得到的尺寸一致，建立了两台光刻机的匹配基准。本发明减少了生产费用和工作时间，使不同光光刻机曝光的图形尺寸都能达到一样，保证质量，非常适于实用。
一种光刻之间工艺匹配方法

[发明专利]一种多台光刻设备校正方法-CN201210047391.3有效
发明人：戴韫青;王剑;毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种多台光刻设备校正方法，包括以下步骤：步骤1：将标准掩模板用标准光刻机曝光标准硅片，所述标准掩模板上集成检测图形；步骤2：测量标准掩模板上检测图形的尺寸，并得出标准光刻机的尺寸基准数据；测量标准硅片上缺陷的种类和数量，并得出标准光刻机的缺陷基准数据；步骤3：用标准掩模板在待校正光刻机上曝光待校正硅片；步骤4：测量待校正硅片上检测图形的尺寸数据，并得出待校正光刻机的尺寸数据，测量待校正硅片上缺陷的种类和数量，并得出待校正光刻机的缺陷数据；步骤5：比较标准光刻机和待校正光刻的尺寸基本数据和尺寸数据、缺陷基准数据和缺陷数据，根据数据比较结果调整待校正光刻机。
一种光刻设备校正方法

[发明专利]掩膜版、检测光刻机漏光程度的方法-CN201911051616.0有效
发明人：李玉华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩膜版、检测光刻机漏光程度的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一片涂有光刻胶的晶圆和一包括条宽测试图形和全遮光图形的掩膜版；利用掩膜版进行第一次曝光；平移掩膜版，令晶圆表面的部分条宽测试图形被掩膜版上的全遮光图形完全覆盖；进行第二次曝光并显影，显影后的晶圆表面包括重复曝光条宽测试图形和初始曝光条宽测试图形；获取重复曝光条宽测试图形的条宽和初始曝光条宽测试图形的条宽，确定出光刻机的漏光程度；解决了现有检测方法无法既快速又准确地得到光刻机漏光程度的问题；达到了快速准确地测定光刻机漏光程度的效果。
掩膜版检测光刻漏光程度方法

[发明专利]不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法-CN200810043687.1有效
发明人：陈福成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法，包括以下步骤：(1)在标准光刻掩模板上平行放置两排测试图形：第一排测试图形为参考光刻倍率对应的外框测试图形；第二排测试图形为对比光刻倍率对应的内框测试图形；(2)用参考光刻倍率的光刻机对准第一排测试图形，进行第一次光刻工艺，在硅片上形成外框光刻图形；(3)用对比光刻倍率的光刻机对准第二排测试图形，进行第二次光刻工艺，形成内框光刻图形；(4)测量外框光刻图形和内框光刻图形的套刻差本发明不需要标准片即可测得不同倍率光刻机之间的套刻精度偏差，避免多块标准光刻版在反复使用之后引入的套刻偏差。
不同倍率光刻之间精度测量方法

[发明专利]一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法-CN202210709200.9在审
发明人：郑怀志;施维 -专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，属于光刻机技术领域，具体包括：制作具有第一量测图形的EUV光掩模和具有第二量测图形的DUV光掩模；量测第一量测图形和第二量测图形的位置，计算两者的位置偏差值A；利用EUV光刻机通过制作的EUV光掩模对晶圆进行第一层曝光；利用DUV光刻机通过制作的DUV光掩模对晶圆进行第二层曝光；量测第一层的图形与第二层的图形的位置偏差值B；根据位置偏差值A和位置偏差值B计算光掩模的位置修正值C；将位置修正值C利用光掩模光刻机的GMC功能补偿到EUV光掩模或DUV光掩模。
一种 euv 光刻 duv 图形位置对准方法

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