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[发明专利]一种可重构3D芯片及其集成方法-CN202310104167.1在审
发明人：于义;欧阳鹏 -专利权人：北京清微智能科技有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种可重构3D芯片及其集成方法。其中，方法包括：设计可重构3D芯片的架构；对可重构3D芯片的可重构计算逻辑芯片进行半导体制造，得到未经切割的可重构逻辑晶圆；根据可重构3D芯片的架构，将可重构逻辑晶圆与存储器晶圆采用混合技术面对面键合在一起，并将可重构逻辑晶圆的信号IO和存储器晶圆的信号IO连接在一起；将键合堆叠后的芯片进行切割，得到独立的堆叠晶片；将堆叠晶片进行封装，得到可重构3D芯片。
一种可重构芯片及其集成方法

[发明专利]一种晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法-CN202210093602.0在审
发明人：单光宝;杨子锋;郑彦文;杨银堂;李国良;饶子为;孟宝平 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请属于半导体封装技术领域，具体提供了一种晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法，该方法包括如下步骤：S1，在晶圆上制备可重构拓扑网络，并在其上覆盖绝缘层；S2，在晶圆上制备凹槽，并进行钝化；S3，将Chiplet放入凹槽中，并进行化学机械抛光，连接Chiplet和可重构拓扑网络；S4，在晶圆上制备硅通孔和微凸点，并进行减薄；S5，多层晶圆进行堆叠键合；S6，将键合后的多层晶圆进行划片、封装。本发明方法制备的晶圆级可重构Chiplet集成结构具有可重构特性；多层晶圆堆叠工艺能够避免了子模块失效引起的稳定性较差的问题；垂直堆叠结构使得水平布线的面积和长度减小，缩小集成结构的面积开销；因此，发明方法制备的集成结构的适用性和稳定性较强
一种晶圆级可重构 chiplet 集成结构制备方法

[发明专利]一种增强散热的扇出封装方法-CN202210932120.X在审
发明人：姚大平 -专利权人：江苏中科智芯集成科技有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/54 文献下载
摘要：本发明提出了采用预先特制的塑封模具，制备成表面有深槽的重构环氧树脂晶圆，后续通过空气或其他流体增强镶嵌在环氧树脂里芯片的热对流；也可在树脂晶圆背面的深槽里填充高导热材料，增强镶嵌在树脂里芯片的热传导。本发明制备的带深槽树脂晶圆，通过预先设置的散热槽尺寸还可以调节重构塑封晶圆的应力状态，从而改善晶圆翘曲状况，保证重构晶圆的封装工艺质量。
一种增强散热封装方法

[发明专利]一种带有可重构数据加权平均的多模过采样模数转换器-CN201911143612.5有效
发明人：幸新鹏;王泽;冯海刚;李冬梅;王志华 -专利权人：清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H03M1/54 文献下载
摘要：一种带有可重构数据加权平均的多模过采样模数转换器，包括可重构环路滤波器、可重构量化器、带DWA通道、不带DWA通道、带分区DWA通道以及可重构DAC，所述带DWA通道、所述不带DWA通道、所述带分区DWA通道在所述可重构量化器和所述可重构DAC之间组成可重构DWA通道，其中，根据不同的模式选择所述带DWA、所述不带DWA通道和所述带分区DWA通道中任一者的开关导通，其中，在高速低精度模式下，控制所述不带DWA通道的开关导通，在低速高精度模式下，控制所述带DWA的开关导通，在介于两者之间的模式下，控制所述带分区DWA通道的开关导通。
一种带有可重构数据加权平均采样转换器

[发明专利]一种晶圆级可重构Chiplet集成结构-CN202210093584.6在审
发明人：单光宝;郑彦文;杨子锋;朱樟明;李国良;饶子为;孟宝平 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本申请属于半导体封装技术领域，具体涉及一种晶圆级可重构Chiplet集成结构，该集成结构包括管壳、第一基板、RDL、第二基板、腔室、功能Chiplet、可重构拓扑网络、通孔、第三基板、Chiplet通信网络该集成结构从上到下依次为第三基板和第四基板和Chiplet通信网络、第二基板和腔室和功能Chiplet和可重构拓扑网络和通孔、微凸点、第一基板和RDL、焊球。采用晶圆级可重构Chiplet集成结构，可实现由传统的基于SoC的集成技术高成本、低良率、设计难度大向的设计范式向基于晶圆级更大规模、更高效率、更低设计难度的Chiplet集成方向转变，通过可重构技术进一步增晶圆级
一种晶圆级可重构 chiplet 集成结构

[发明专利]基于Chiplet的微系统可重构网络拓扑结构及实现方法-CN202210474339.X有效
发明人：单光宝;郑彦文;李国良;杨银堂;朱樟明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种可重构网络拓扑结构及实现方法，主要解决现有基于大SoC的微系统功能固化、扩展性差、设计周期长、成本高的问题。其包括可重构网络拓扑控制单元(1)、焊盘(2)、锥形硅通孔(3)、重新布线层(4)、微凸点(5)、Chiplet(6)、开关矩阵(7)及多个晶圆(8)；可重构网络拓扑控制单元、开关矩阵集成在第一层晶圆上，Chiplet集成在第二层晶圆上；焊盘、锥形硅通孔、重新布线层、微凸点用于实现微系统电气互连，可重构控制单元用于对Chiplet进行灵活配置，实现一套硬件快速构建多种功能的一个或多个微系统。本发明具有高度的功能重构能力与扩展能力，可用于微系统设计。
基于 chiplet 系统可重构网络拓扑结构实现方法

[发明专利]工作模式可重构的纯水短背射天线-CN202011210369.7有效
发明人：齐世山;吴文;任禛 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01Q15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种工作模式可重构纯水短背射天线，包括：主反射器、副反射器、纯水内边环、外边环、同轴探针、阻抗匹配用金属锥、轴向匹配用水柱、法向匹配用水柱；主反射器、内边环、外边环为设有夹层的透明树脂圆片与圆环，整体形如同轴嵌套在一起，共用一个底面的两个直径不同的圆波导；副反射器为一设有夹层的透明树脂圆片，置于圆波导开口上方，中心与主反射器正对；同轴探针设置于透明树脂储水容器底部，主反射器中心，用于进行同轴馈电；金属锥设置在同轴探针上；轴向匹配用水柱与法向匹配用水柱为互相垂直的透明树脂水管，设置在金属锥上；本发明具有工作模式可重构、方向图可重构、频率可重构、高透明性能，且设计简单、易于加工。
工作模式可重构纯水短背射天线

[发明专利]双通带到三通带到四通带的通带可重构滤波器-CN201710299410.4在审
发明人：邱枫;黄健全;雷大军;唐政华;姚敏 -专利权人：湘南学院;邱枫
申请日： 2017-04-30 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于微带线的双通带到三通带到四通带的通带可重构滤波器，主要解决通带可重构滤波器的通带可重构数量少，尺寸大和插损大的问题。通过调节二极管上的加载电压，可以获得双通带，三通带和四通带的带通滤波效果，从而实现双通带到三通带到四通带的通带可重构滤波功能。本发明提高了通带可重构滤波器的通带可重构的数量，并实现尺寸的小型化和通带的低插入损耗。可用于多通道的无线通信系统。
通带可重构滤波器四通可重构三通双通无线通信系统二极管单元金属接地板微波谐振器二极管插入损耗带通滤波加载电压介质基板开路枝节滤波功能输出馈线输入馈线多通道微带线插损可用

[发明专利]一种多芯片集成封装方法及封装结构-CN202010806238.9在审
发明人：徐成;曹立强;孙鹏 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯片集成封装方法，包括：将第一芯片的正面键合到第一载片上；进行第一塑封，将第一芯片包裹在第一塑封材料中，从而将所述第一芯片重构为晶圆；对重构晶圆的第一塑封材料进行减薄，露出第一芯片背面的导电通孔，减薄后的第一芯片背面所在的重构晶圆的表面为重构晶圆的背面，在重构晶圆的背面上形成第一导电互连结构；将重构晶圆的背面键合到第二载片上；拆除第一芯片正面的键合，第一芯片正面所在的重构晶圆的表面为重构晶圆的正面，在重构晶圆的正面上形成第二导电互连结构；将第二芯片附连到第二导电互连结构；进行第二塑封，将第二芯片包裹在第二塑封材料中；对第二塑封材料进行减薄；以及拆除重构晶圆背面的键合。
一种芯片集成封装方法结构

[发明专利]一种双层金属片加载的宽带多线极化可重构天线-CN202111562549.6有效
发明人：刘颜回;郭攀;任潜;杨仕文;胡俊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开一种双层金属片加载的宽带多线极化可重构天线，包括介质基板、金属地板、上下层馈电圆片、上下层辐射贴片、上下层方形焊盘、上下层PIN二极管、直流铜柱、顶层金属片、底层金属片、同轴馈线，双层馈电圆片分别位于介质基板两面，上下层辐射贴片均为7组且等角度分布于上下层馈电圆片的周边，上下层辐射贴片与馈电圆片之间设置PIN二极管，顶层金属片位于介质基板上方，由金属连接柱与上层馈电圆片连接，下层金属片位于介质基板下方，直接焊接在同轴馈线外皮通过控制PIN的通断，可实现7种线极化可重构；通过特殊的辐射层形状设计及双层金属片加载，能极大拓展工作带宽。该天线具有体积小、频带宽、极化可重构数目多等特点。
一种双层金属片加载宽带极化可重构天线

[发明专利]晶圆级处理器及其供电系统-CN202211581589.X在审
发明人：刘军;郝沁汾;缪富军 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F15/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级处理器及其供电系统，涉及处理器领域，其技术方案要点是：括重构晶圆基板，重构晶圆基板包括重布线结构；重构晶圆基板上设置有连接区和功能区，功能区位于重构晶圆基板的中部，若干连接区分布于功能区的外周其特点是芯片可灵活布局，丰富晶圆级处理器的功能。
晶圆级处理器及其供电系统

[发明专利]模块化封装结构及方法-CN202011557307.3在审
发明人：曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种模块化封装结构及方法，堆叠布置的多个重构晶圆模块，每个重构晶圆模块与其他重构晶圆模块的相对面中至少一面具有光刻胶导电连接体；所述光刻胶导电连接体包括最外侧的光刻胶层及第一重新布线层；所述第一重新布线层将各个重构晶圆模块的电性引出至与光刻胶层位于同一平面的凸点；各个重构晶圆模块的光刻胶层通过晶圆级键合融合为一体，各个重构晶圆模块的凸点通过晶圆级键合形成电连接；至少一个重构晶圆模块的电性通过第三重新布线层引出。
模块化封装结构方法

[发明专利]一种中心频率及带宽皆可重构功率放大器-CN202310566748.7在审
发明人：胡巍;游长江;蒋迪;卢能武;盛家郡;李亲语;刘鑫豪 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明涉及射频无线通信技术领域，具体涉及一种中心频率及带宽皆可重构功率放大器，包括输入端口、输入匹配网络、稳定网络、晶体管、动态阻抗匹配网络、变容二极管直流偏置、可重构带通滤波网络和输出端口，通过对输出匹配网络进行设计，利用变容二极管结电容可调特性来实现可重构带通滤波网络通带中心频率与带宽的连续可调以及可重构带通滤波网络与晶体管漏极之间的动态阻抗匹配，从而实现功率放大器的中心频率与带宽的连续可重构，满足通信系统多频段工作的需求，提高了频率可调灵活度，增加了连续可调频带范围，提高了频率选择性和功放效率，系统复杂度降低，降低了重构成本。
一种中心频率带宽皆可功率放大器

[发明专利]一种基于WLP封装形式的可重构算子阵列结构的规模扩展方法-CN201110357644.2在审
发明人：雍珊珊;王新安;蓝晶;吴承昊;龙晓波;高国华 -专利权人：北京大学深圳研究生院;南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于WLP封装形式的可重构算子阵列结构的规模扩展方法，所述方法即通过在晶圆级将多个可重构算子阵列结构芯片的临近IO相连，未连接IO引出，经过切割和封装，从而形成多种规模的阵列结构芯片。步骤包括：光刻，在晶圆上所有芯片的IO处形成连接通孔，在需要连接的IO之间形成通道；蒸铝，填充IO的连接通孔以及IO之间的通道，形成第一层金属层；光刻，在需要连接出的IO处形成连接通孔；蒸铝，填充IO的连接通孔，露出电性端子；在每个电性端子处生长凸点；切割，得到不同规模的可重构算子阵列结构芯片；单个独立芯片的外围覆盖一层封装材料，提供保护。本发明提供一种基于WLP封装形式的可重构算子阵列结构的规模扩展方法，使得同一种设计可适应不同规模的应用需求。
一种基于 wlp 封装形式可重构算子阵列结构规模扩展方法

[发明专利]一种可重构放大器芯片-CN202310220912.9有效
发明人：叶珍;杨聪聪;钟丹;罗丰廷;白杨;彭宇;童伟;王测天 -专利权人：成都嘉纳海威科技有限责任公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本发明公开了一种可重构放大器芯片，包括依次连接的可重构输入匹配网络、共源共栅网络以及可重构增益网络，可重构输入匹配网络作为所述可重构放大器芯片的射频输入端，可重构增益网络的输出端作为所述可重构放大器芯片的射频输出端本发明通过开关调整可选择不同的通道工作，可实现直通、放大、衰减多种工作状态，从而可完成放大器放大能力的重构；本发明通过多个二极管工作状态的调整，实现了匹配网络的可重构性，从而不仅可完成不同的噪声匹配，更可实现不同的工作中心频率，甚至对不同的带外信号也具有一定的抑制能力。
一种可重构放大器芯片

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