专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]阵列基板以及显示装置-CN202210578407.7在审
  • 胡晓斌 - 广州华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-05-25 - 2022-08-09 - G02F1/1362
  • 本申请提供了一种阵列基板以及显示装置,其中,阵列基板包括:衬底;栅极绝缘层,设置于衬底上;数据线,设置于栅极绝缘层上;第一钝化层,设置于栅极绝缘层上,且覆盖数据线;第一屏蔽电极,设置于第一钝化层上,第一屏蔽电极与直流电压信号输出端连接;第二钝化层,设置于第一钝化层上,且覆盖第一屏蔽电极;公共电极,设置于第二钝化层上,且公共电极的一部分与数据线和第一屏蔽电极重叠;像素电极,与公共电极同层设置或层叠设置,像素电极与公共电极绝缘。本申请通过将第一屏蔽电极接入直流电压信号,使得数据线上的数据电压信号不会对公共电极上的信号产生影响,避免公共电极和数据线之间存在耦合电容,有利于避免出现画面闪烁的显示不良。
  • 阵列以及显示装置
  • [发明专利]旋转谐振式三维电场传感器-CN201210071769.3有效
  • 夏善红;王宇;方东明;彭春荣 - 中国科学院电子学研究所
  • 2012-03-16 - 2013-09-18 - G01R29/12
  • 该传感器包括:衬底;Z方向电场测量单元,位于传感器的中心位置,用于测量电场强度矢量的Z方向分量,包括屏蔽电极和感应电极;X方向电场测量单元和Y方向测量单元,位于衬底上Z方向电场测量单元的外围,其对称轴相互成90°设置,分别用于测量电场强度矢量的X方向和Y方向分量,均包括屏蔽电极和感应电极;至少一组驱动机构,与X方向电场测量单元和Y方向电场测量单元其中之一的屏蔽电极匹配,用于对该屏蔽电极产生驱动力,使其相对于感应电极产生振动,并且该振动传递至除所在电场测量单元外的其他测量单元的屏蔽电极
  • 旋转谐振三维电场传感器
  • [发明专利]异型电极微型电场传感器-CN201010504163.5有效
  • 夏善红;杨鹏飞;彭春荣 - 中国科学院电子学研究所
  • 2010-09-30 - 2012-05-09 - G01R29/12
  • 本发明的一种异型电极微型电场传感器,涉及传感器技术,传感器敏感结构包括衬底、激励单元、屏蔽电极、电场感应电极、锚点等部分。其中,激励单元包括激励电极和支撑梁,对称布置在传感器敏感结构的两侧;屏蔽电极和电场感应电极交错排列,布置在传感器敏感结构中间位置区域。激励单元、屏蔽电极、电场感应电极、锚点等位于同一结构层。本发明的微型电场传感器通过采用异型结构的电场感应电极屏蔽电极,增加了传感器中电场感应电极在单位时间内电荷的改变量,从而提高了微型电场传感器的灵敏度。
  • 异型电极微型电场传感器
  • [发明专利]具有超宽带性能的多层陶瓷电容器-CN202210319518.6在审
  • J.A.霍恩;M.贝罗利尼 - 京瓷AVX元器件公司
  • 2019-03-05 - 2022-07-05 - H01G4/30
  • 公开了一种多层陶瓷电容器,其包括沿着电容器的第一端设置的第一外部端子、沿着电容器的与第一端相对的第二端设置的第二外部端子、包含交替的电介质层和有源电极层的有源电极区域、以及包括至少两个屏蔽电极屏蔽电极区域,所述至少两个屏蔽电极在纵向方向上通过屏蔽层间隙间隔开。从有源电极区域到屏蔽电极区域的距离的范围可以为电容器在顶表面和与顶表面相对的底表面之间的厚度的约4%到约20%。在顶表面或底表面中的至少一个上,屏蔽层间隙的范围可以为在纵向方向上第一外部端子和第二外部端子之间的外部端子间隙的从约3%到约60%。
  • 具有宽带性能多层陶瓷电容器
  • [发明专利]具有超宽带性能的多层陶瓷电容器-CN201980016585.7有效
  • J.A.霍恩;M.贝罗利尼 - 京瓷AVX元器件公司
  • 2019-03-05 - 2022-04-12 - H01G4/012
  • 公开了一种多层陶瓷电容器,其包括沿着电容器的第一端设置的第一外部端子、沿着电容器的与第一端相对的第二端设置的第二外部端子、包含交替的电介质层和有源电极层的有源电极区域、以及包括至少两个屏蔽电极屏蔽电极区域,所述至少两个屏蔽电极在纵向方向上通过屏蔽层间隙间隔开。从有源电极区域到屏蔽电极区域的距离的范围可以为电容器在顶表面和与顶表面相对的底表面之间的厚度的约4%到约20%。在顶表面或底表面中的至少一个上,屏蔽层间隙的范围可以为在纵向方向上第一外部端子和第二外部端子之间的外部端子间隙的从约3%到约60%。
  • 具有宽带性能多层陶瓷电容器
  • [发明专利]屏蔽栅功率器件及其制造方法-CN201610279587.3在审
  • 肖胜安;李东升;曾大杰 - 深圳尚阳通科技有限公司
  • 2016-04-29 - 2016-07-27 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种屏蔽栅功率器件,导通区原胞的栅极结构包括:形成于沟槽中的屏蔽电极和沟槽栅电极屏蔽电极和沟槽的底部表面和侧面之间的屏蔽介质膜的厚度在从沟槽的顶部到底部纵向上逐渐增加;在沿沟槽的宽度方向的剖面上,屏蔽电极呈顶角在底部的三角形结构或者呈下底边比上底边短的梯形结构;在器件反向偏置时,屏蔽电极对漂移区进行横向耗尽,从沟槽的顶部到底部方向上,屏蔽介质膜的厚度呈逐渐增加的结构使漂移区的电场强度分布的均匀性增加本发明还公开了一种屏蔽栅功率器件的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压,降低器件的比导通电阻,改善器件的性能。
  • 屏蔽功率器件及其制造方法

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