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- [发明专利]晶圆表面局部处理方法-CN202210544585.8在审
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温子瑛;王致凯
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无锡华瑛微电子技术有限公司
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2022-05-19
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2022-08-16
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H01L21/306
- 本发明公开了一种晶圆表面局部处理方法，其涉及半导体技术领域，第一腔室部的表面凹陷形成有凹槽道，第一腔室部具有与凹槽道的第一位置连通的第一通孔和与凹槽道的第二位置连通的第二通孔；晶圆表面局部处理方法包括以下步骤：将待处理的晶圆的一个表面与形成有凹槽道的第一腔室部的表面相贴合；依次将第一反应液、隔离流体、第二反应液自第一通孔通入凹槽道中；向第一通孔中通入动力流体以使动力流体推动第一反应液、隔离流体和第二反应液在凹槽道中流动本发明能够对晶圆表面局部给定深度范围内的硅进行腐蚀以对硅材料中该深度范围内的污染杂质进行提取与检测。
- 表面局部处理方法
- [发明专利]局部轮胎表面异常的校正-CN201480059241.1有效
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D·D·弗雷利科
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米其林集团总公司
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2014-09-11
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2019-06-14
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B29D30/06
- 本发明提供用于改进轮胎均匀性例如以减小由局部轮胎表面异常引起的空腔噪声和其它影响的系统和方法。所述局部轮胎表面异常可以体现为所述轮胎的径向偏心的局部峰值或其它均匀性参数(例如，径向力变化)。径向偏心的所述局部峰值可以处于径向偏心的均匀性公差内，但是仍可以通过由所述局部峰值引起的高谐波效果促进空腔噪声。根据本发明的方面，可以识别局部轮胎表面异常的位置和/或其它可识别特征。切除装置可以在所述轮胎的胎面上用于在与所述局部轮胎表面异常相关联的方位角位置处清除轮胎材料以改进所述轮胎的所述均匀性。
- 局部轮胎表面异常校正
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