专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种晶电镀挂具-CN202220856088.7有效
  • 何志刚;薛宽宽;刘建新 - 上海戴丰科技有限公司
  • 2022-04-13 - 2022-12-16 - C25D17/08
  • 本实用新型提供一种晶电镀挂具,包括主板体和后盖,主板体上设有开口,在主板体上设有包围所述开口的导电单元,导电单元包括至少4个弧形导电,各个弧形导电之间相隔离,每个弧形导电上设置有多个触,待电镀晶的圆周边部与各个触导电接触;所述主板体的上部不接触电镀液的区域设置有数量与所述弧形导电数量相一致的导电挂钩,每个所述弧形导电经导线与一个导电挂钩电连接。在晶安装到挂具上之后,可借助于导电性检测仪,对晶与各导电挂钩之间的导电性进行检测,判定各个弧形导电的触是否与晶充分接触,在电镀前测量导电性,确认晶是否放平,确保电镀过程中保持可靠的电导通性能,提升晶电镀效果。
  • 一种电镀
  • [实用新型]一种适配小尺寸晶的辅助电镀治具-CN202122574363.4有效
  • 罗立辉;方梁洪;李春阳;任超;彭祎;刘凤;刘明明 - 宁波芯健半导体有限公司
  • 2021-10-26 - 2022-08-16 - C25D17/00
  • 本实用新型提供一种适配小尺寸晶的辅助电镀治具,包括导电导电呈圆环形,导电的外圈的尺寸与电镀设备的晶承座适配,导电正面的最外圈设置有用于与晶承座的阴极电极电接触的阴极电连接区,导电正面的其余部位设置为绝缘层区,绝缘层区对外绝缘,导电的内圈设置为用于搭载待电镀晶的晶搭载区,晶搭载区的最外圈设置有晶电连接区,晶电连接区用于与待电镀晶的电镀面的最外圈电接触,使待电镀晶的电镀面从导电正面的内圈中露出,导电的外圈的尺寸大于待电镀晶的尺寸。采用本实用新型的适配小尺寸晶的辅助电镀治具,能解决现有的先进电镀设备不兼容比晶承座尺寸小的晶的问题。
  • 一种适配小尺寸辅助电镀
  • [实用新型]串接式电连接结构-CN202122314998.0有效
  • 陈正晨 - 邑点设计有限公司
  • 2021-09-24 - 2022-05-24 - H01R13/648
  • 本实用新型提供一种串接式电连接结构,包括管连接器及轴连接器;管连接器包括第一探针、第二探针及本体,本体上具有两贯穿孔使第一探针及第二探针穿设于本体上;轴连接器具有中心导电、外导电及基座,中心导电设置于基座中心位置,外导电环绕中心导电而设置;第一探针设置于本体的中心处,第一探针与中心导电对接,第二探针与该外导电对接。
  • 串接式电连接结构
  • [实用新型]夹具的分节式导电-CN201921367383.0有效
  • 邱晓明 - 邱晓明
  • 2019-08-22 - 2020-09-29 - C25D17/06
  • 本实用新型为一种晶夹具的分节式导电,适用于晶夹具,所述晶夹具具有夹具内盖,以夹持晶,包含:多个导电,设于所述夹具内盖上并与所述晶电性连接,所述夹具内盖具有内面,所述内面凹设多个组设槽,各所述组设槽内分别固定一个所述导电,所述夹具内盖为环型,各所述组设槽为弯弧型,且各所述导电为弯弧片状。由于各所述导电为分节式,不仅在制作上较圆环型更为容易,也能更容易地组设于所述夹具内盖中。更佳的是,晶夹具在长时间使用导致O‑ring老化变形,而让电镀液渗入晶夹具内造成金属不当附着于导电片时,能直接将附着金属的导电换新,而能够继续使用的导电则不进行更换,由此,降低整体更换材料的成本
  • 夹具分节导电
  • [发明专利]级裸堆叠结构和方法、裸堆叠封装结构和方法-CN202110350813.3有效
  • 胡顺;胡思平 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-03-31 - 2022-01-25 - H01L25/065
  • 本发明提供了一种晶级裸堆叠结构和方法、裸堆叠封装结构和方法。堆叠结构包括依次电耦合堆叠的多个晶组和顶部互连层,晶组各自独立地包括第一晶和第二晶,各第一晶的表面具有第一连接结构以及延伸至第一晶内且表面裸露的第一导电结构,各第二晶的表面具有第二连接结构以及贯穿至第二晶的第二导电结构,各晶组的第三连接结构为相互独立的CMOS电路,第一晶的第一连接结构和第二晶的第二连接结构一一对应地通过第三连接结构电耦合,第一导电结构和第二导电结构通过第三连接结构电耦合,第一导电结构之间电耦合或第二导电结构之间电耦合解决了现有技术中裸堆叠成本高、体积大的问题。
  • 晶圆级裸片堆叠结构方法封装
  • [发明专利]超薄形级封装制造方法-CN201410033740.5有效
  • 施建根 - 南通富士通微电子股份有限公司
  • 2014-01-24 - 2014-05-21 - H01L21/50
  • 本发明提供一种超薄形级封装制造方法,包括:提供,所述的一面阵列分布有多个芯片;在所述芯片远离所述的表面形成导电凸点;在形成有导电凸点的一面贴一层保护膜;将形成有导电凸点的一面向下,放置在载台上,在未形成所述芯片的一面选择性环状减薄,形成周边厚中间薄的环状结构;将选择性环状减薄后的翻转,放置在载台上;撕去形成于上的保护膜;对去除保护膜的进行测试,测试之后进行切割本发明提供的超薄形级封装制造方法,实现了同样功能的半导体器件封装的单体芯片厚度越来越薄的目标,并且实现了背部减薄后只有微小翘曲的目标。
  • 超薄形圆片级封装制造方法
  • [发明专利]真空镀膜的方法-CN201610959307.3有效
  • 尚金堂;吉宇;潘智华;鹿麟 - 东南大学
  • 2016-11-03 - 2019-06-21 - C23C14/32
  • 本发明提供了一种真空镀膜的方法,涉及一种类金刚石薄膜以及金属薄膜的制备技术,包括以下步骤:第一步,通过激光切割或者刻蚀导电(1),在导电(1)上得到通孔(2);第二步,将靶材(3)、导电(1)、衬底(4)依次叠放,并置于真空中加热至温度稳定;第三步,在靶材(3)和衬底(4)上施加电压,其中靶材(3)接正电极,衬底(4)接负电极,在电压作用下衬底(4)上镀有靶材薄膜本发明可精确控制衬底上需要镀上类金刚石薄膜或者金属薄膜的区域,可制备尺寸为毫米级别甚至亚毫米级别的类金刚石薄膜或者金属薄膜。
  • 真空镀膜方法
  • [发明专利]一种抗静电LED芯片晶的制备方法及晶-CN202310644302.1在审
  • 李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-06-02 - 2023-07-04 - H01L33/38
  • 本发明提供了一种抗静电LED芯片晶的制备方法及晶,制备方法包括:在衬底上沉积外延层得到晶;在晶的表面涂覆正性光刻胶,去除离晶边缘预设距离的环形表面的正性光刻胶;等离子体刻蚀去除环形区域的外延层,将晶的表面分隔成目标区域和抗静电区域;去除剩余的正性光刻胶,并在晶表面涂覆负性光刻胶,对抗静电区域的表面进行曝光、显影,部分去除抗静电区域表面的负性光刻胶,以使在抗静电区域表面形成若干断开的预设导电区域,若干预设导电区域的两端均为尖端;在晶的表面蒸镀导电层,并去除剩余的负性光刻胶表面的导电层及剩余的负性光刻胶,保留抗静电区域表面的导电层,得到抗静电LED芯片晶
  • 一种抗静电led芯片制备方法
  • [发明专利]级转接板的制备方法-CN201110033791.4有效
  • 张黎;赖志明;陈栋;陈锦辉 - 江阴长电先进封装有限公司
  • 2011-01-31 - 2011-08-17 - H01L21/768
  • 本发明涉及一种晶级转接板的制备方法,属于集成电路或分立器件封装技术领域。所述方法包括以下工艺步骤:取载体;在载体上上溅射或者化学镀上金属导电层;在金属导电层上形成掩膜图形开口;在掩膜图形开口内填充金属;在载体表面形成金属柱阵列;将转接板基体材料填满整个载体的金属柱阵列,形成带有金属柱阵列的;将的与载体脱离;腐蚀掉上的金属导电层;在的二表面形成金属再布线图形,并加以保护和形成金属再布线保护层及开口图形。本发明晶级转接板的制备方法,可极大程度的降低工艺难度和工艺成本,可实现高密度转接板技术的规模化生产。
  • 晶圆级转接制备方法

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