“寄生效应”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果200364个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种改善栅源寄生效应的功率放大器-CN201710563660.4有效
发明人：程知群;徐雷;冯瀚;刘国华;董志华;陈瑾 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善栅源寄生效应的功率放大器，包括输入匹配电路、栅源寄生补偿电路、输出匹配电路和偏置电路，其中，栅源寄生补偿电路用于补偿GaN HEMT自身的栅源寄生效应，使得栅源寄生效应对电路的影响达到最小相对于现有技术，本发明通过改善GaN HEMT栅源寄生效应的方法来设计功率放大器，减少由于栅源寄生效应产生的输入谐波对于功率放大器的影响，提高整体电路的输出功率和效率。
一种改善寄生效应功率放大器

[发明专利]一种亚阈值电路后仿真加速方法和装置-CN202111263672.8在审
发明人：吴玉平;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明提供一种亚阈值电路后仿真加速方法和装置，该方法，包括：读入包含连线寄生效应的亚阈值电路网表；其中，亚阈值电路网表中的仿真激励包括工作电压；对仿真激励中的信号流进行分析，确定信号流线网；对信号流线网的连线寄生效应进行约简；其中，连线寄生效应与工作电压相关；对约简后的亚阈值电路网表对应的电路进行电路仿真，从而实现对亚阈值电路的后仿真；也就是说，工作电压作为连线寄生效应的计算因素，因此在对连寄生效应进行约简时，将可以约简的连线寄生效应均精准约简
一种阈值电路仿真加速方法装置

[发明专利]射频前端模组自动版图布局的方法、系统及相关设备-CN202211149266.3有效
发明人：杨睿智;胡锦钊;李帅;张磊;陈柔筱;常林森;赵宇霆;郭嘉帅 -专利权人：深圳飞骧科技股份有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明属于无线通信领域，尤其涉及一种射频前端模组自动版图布局的方法、系统及相关设备，所述方法包括：获取初始版图和电路原理图；以初始版图和电路原理图为预设神经网络的输入，对寄生效应指标进行计算；判断寄生效应指标是否满足预设寄生效应阈值，若是，则根据预设强化学习方法对所述初始版图采用随机动作对电路元器件进行移动，得到调整版图，计算所述调整版图的寄生效应指标；判断寄生效应指标是否满足预设优化阈值，其中：若否，则进行版图调整后重新计算寄生效应指标
射频前端模组自动版图布局方法系统相关设备

[发明专利]用于射频开关应用的寄生补偿-CN201580040626.8有效
发明人： J·李 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：用于射频(RF)开关应用的寄生补偿。在一些实施例中，开关结构可包括具有一个或多个可开关RF信号路径的开关网络，其中每个路径贡献于与该开关网络相关联的寄生效应。该开关结构还可包括耦接到该开关网络的节点的寄生补偿电路。该寄生补偿电路可被配置为补偿该开关网络的寄生效应。在一些实施例中，该寄生补偿电路可被配置为提供用于该开关网络的寄生效应的可调补偿。
用于射频开关应用寄生补偿

[发明专利]可去除测试结构上寄生效应的射频片上电感测量方法-CN200610030965.0有效
发明人：曾令海;李平梁;徐向明 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种可去除测试结构上寄生效应的射频片上电感测量方法，可同时去除电感测试结构中焊盘和引线的寄生效应，从而实现对电感的准确测量。通过增加一种通路测试结构，即在接有信号的两个焊盘之间连接一条与测试电感引线宽度相同的连线，对电感测量值在使用开路结构去除焊盘的寄生效应的基础上，再使用通路结构去除引线的寄生效应，从而可得到准确的电感测试值
去除测试结构寄生效应射频电感测量方法

[发明专利]一种寄生效应低品质因数高的差分开关电容结构-CN201210433084.9有效
发明人：郭斌 -专利权人：长沙景嘉微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H03K17/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种寄生效应低、品质因数高的差分开关电容结构。相对于传统差分开关电容结构，本差分开关电容结构主要进行了以下两点改进：第一，去掉了PMOS管P1和P2，消除了二者引入的寄生效应；第二，在数字信号D的输入端和开关射频管的漏极之间串一个反相器和电阻，降低开关管的寄生效应改进后的差分开关电容结构具有寄生效应低、品质因数高以及调谐范围宽的特性。
一种寄生效应品质因数开关电容结构

[发明专利]一种化合物半导体器件的去嵌入方法-CN201510050561.7在审
发明人：刘洪刚;刘桂明;常虎东;周佳辉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：该方法包括：分析化合物半导体器件的在片测试结构，确定化合物半导体器件产生的寄生效应；以及根据产生的寄生效应，从外至内逐级去除寄生效应。本发明提供合理分析了在片测试的版图结构，具有实际物理意义，完整地地表征和去除了可能的寄生影响；改进了传统去嵌方法的缺点，提高了去嵌入带宽，保证了更高频范围的去嵌精确度和高频器件模型和电路应用的有效性。另外，本发明从物理来源上充分考虑和表征所有可能的寄生效应，提高了去嵌入的精度和带宽，具有实际的应用价值。
一种化合物半导体器件嵌入方法

[发明专利]三维垂直型存储器读出电路及其读出方法-CN201710891378.9有效
发明人：雷宇;陈后鹏;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G11C8/14 文献下载
摘要：本发明提供一种三维垂直型存储器读出电路及其读出方法，通过在所述读参考电流中引入位线寄生参数和位线上的漏电、字线上的漏电、垂直晶体管寄生参数、及读传输门寄生参数，以分别抵消所述半选通存储单元的位线寄生效应和位线上的漏电、字线上的漏电、第一垂直晶体管寄生效应及第一读传输门寄生效应，使所述读参考电流的瞬态值介于读低阻态电流和读高阻态电流之间，以实现消除伪读取现象，减小信号读出时间，减少误读取。
三维垂直存储器读出电路及其方法

[发明专利]基于集总元件及其寄生效应实现的小型化微波整流电路-CN202210791394.1在审
发明人：冯纪航;孙昊;翟浩;赵德双 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H02J50/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于集总元件及其寄生效应实现的小型化微波整流电路，属于无线能量传输领域中的微波整流电路。包含介质基板、设置于介质基板上表面的电路结构、设置于介质基板下表面的金属地板。本发明利用集总参数匹配替代分布式微带枝节匹配，实现了整流电路的小型化设计；同时，为了解决集总元件因其寄生参数影响而在微波频段表现不佳的问题，本发明利用村田电容电感模型在微波频段的寄生效应，实现了电路的高阶谐波抑制功能，不仅减小了寄生效应所带来的负面影响，还改善了整流二极管的电压、电流时域波形，提升了电路的整流效率。
基于元件及其寄生效应实现小型化微波整流电路

[发明专利]新型忆阻器交叉阵列单元等效电路-CN202310393071.1在审
发明人：高仁佳楠;方丽丹;李燕 -专利权人：李燕
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：为了弥补现有发明中缺乏完整的忆阻器交叉阵列等效电路，本发明的等效电路包括两条位线、两条字线以及忆阻器，所述忆阻器用于连接相互垂直的两条信号线；所述等效电路考虑相邻信号线与上下垂直信号线之间产生的寄生效应，所述寄生效应包含线电阻、耦合电容和耦合电感。本发明结构直接明了，包含了完整的寄生效应。且为单元结构可以适用于任意维度的交叉阵列。
新型忆阻器交叉阵列单元等效电路

[发明专利]带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路及仿真方法-CN201310726976.2有效
发明人：王正楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明公开了一种带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路，包含基于标准BSIM3的LDMOS管，以及分别接在LDMOS源、漏端端的源端电阻、漏端电阻，另外增加一寄生MOS管，其源漏端分别于源端电阻、漏端电阻的剩余一端相连，并引出作为整个等效电路的源极及漏极，LDMOS管得栅极直接引出作为整个等效电路的栅极，寄生MOS管的栅极接一电压控制电压源的正极，电压控制电压源的负极接等效电路的漏极。本发明还公开了所述带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路的仿真方法。
等效电路场效应管寄生效应圆形高压电压控制电压源源端电阻寄生电阻漏端漏极正极源漏端负极接源漏端源极

[发明专利]抗信号失真的印刷电路板和方法-CN200710162300.X有效
发明人： B·A·巴克尔;T·D·小帕赫尔;C·L·普里恩格托恩;J·E·休斯;P·帕特尔;C·C·韦斯特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-10-09 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于抗信号失真的印刷电路板，所述印刷电路板包括：印刷电路板上的发送器与接收器之间的传导路径，所述传导路径包括连接在一起以便将信号从所述发送器传导性地传输到所述接收器的迹线和通路；所述印刷电路板上的寄生元件，所述寄生元件具有使所述信号失真的寄生效应；以及一个或多个无源元件，所述无源元件安装在所述传导路径附近而不连接到所述传导路径，所述无源元件具有校正效应以降低由所述寄生效应导致的所述信号失真。
信号失真印刷电路板方法

[发明专利]一种微波键合线寄生效应自适应消除系统-CN201910124618.1有效
发明人：张钰英;王魁松 -专利权人：昆山微电子技术研究院
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波键合线寄生效应自适应消除系统，包括：测试基板、压控调谐电容、调谐信号控制模块；其中，所述调谐信号控制模块分别连接所述压控调谐电容和测试基板；被测芯片通过键合线与所述测试基板连接；所述调谐信号控制模块根据寄生感抗拟合模型产生调谐控制信号，以消除键合线寄生效应。
一种微波键合线寄生效应自适应消除系统

[发明专利]一种寄生效应低品质因子高的改进型开关电容结构-CN201210433676.0无效
发明人：郭斌 -专利权人：长沙景嘉微电子股份有限公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种寄生效应低、品质因子高的改进型开关电容结构。相对于由一个NMOS管和一个电容实现的传统开关电容结构，本开关电容结构主要进行了如下改进：将NMOS管的栅极电压通过一个反相器和一个电阻连接到NMOS管的漏极，降低了开关管开启时的等效寄生电阻，减小了开关管关闭时的等效寄生电容改进后的开关电容结构具有寄生效应低，品质因子高以及有效容差大的特性。
一种寄生效应品质因子改进型开关电容结构

[实用新型]医用红外体温计红外探测器散热片-CN201020219019.2无效
发明人：王应军 -专利权人：山东长运光电科技有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本实用新型医用红外体温计红外探测器散热片，针对医用红外体温计测量体温过程中会产生热冲击的寄生效应，及增大红外探测器封装表面的热梯度会产生测量误差，影响医用红外体温计测量精度，提供一种消除体温测量中热冲击的寄生效应
医用红外体温计红外探测器散热片

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top