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[发明专利]自对准分裂栅极闪速存储器-CN201510738904.9有效
发明人：曾元泰;吴常明;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种自对准分裂栅极存储单元和相关的方法。自对准分裂栅极存储单元具有存储栅极，存储栅极具有平坦的顶面。存储栅极间隔件直接布置在存储栅极之上，存储栅极间隔件的横向尺寸小于存储栅极的横向尺寸。存储栅极间隔件具有沿着电荷捕获层的上部设置的内侧壁和相对于存储栅极的外侧壁横向地向回凹进的外侧壁。在一些实施例中，介电衬垫连续地内衬于存储栅极的外侧壁、在未被存储栅极间隔件覆盖的存储栅极的顶面的部分上延伸以及沿着存储栅极间隔件的外侧壁向上延伸。
对准分裂栅极存储器

[发明专利]闪存器件及其制造方法-CN200910266068.3无效
发明人：权永俊 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：闪存器件可以包括：第一存储栅极和第二存储栅极，位于衬底上；氧化物层，位于所述第一存储栅极和所述第二存储栅极的侧面，并且位于所述第一存储栅极和所述第二存储栅极外侧的所述衬底上；源极多层接触，在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极之间；第一选择栅极和第二选择栅极，在所述第一存储栅极和所述第二存储栅极外侧；漏极区域，在所述第一选择栅极和所述第二选择栅极外侧；以及金属接触，位于所述漏极区域和所述源极多层接触上。
闪存器件及其制造方法

[发明专利]自对准的分裂栅极闪存-CN201510114776.0有效
发明人：杨宗学;闵仲强;吴常明;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及自对准的分裂栅极存储单元以及相关的方法。自对准的分裂栅极存储单元具有长方体形的存储栅极以及选择栅极，其中，存储栅极以及选择栅极的上表面被一些间隔件覆盖。因此，存储栅极和选择栅极被保护以免受到硅化物的影响。通过所述间隔件限定自对准的存储栅极和选择栅极。通过回蚀刻未被间隔件覆盖的相应的导电材料而非凹进工艺形成存储栅极和选择栅极。因此，存储栅极和选择栅极具有平坦的上表面并且被良好地限定。由于减少了光刻工艺，所公开的器件和方法也能够进一步缩放。本发明涉及自对准的分裂栅极闪存。
对准分裂栅极闪存

[发明专利]存储器及其形成方法-CN201710897809.2有效
发明人：冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种存储器及其形成方法，其中，所述形成方法包括：衬底，所述衬底包括存储区；位于所述存储区衬底上分立的选择栅极和存储栅极，所述存储栅极的厚度大于所述选择栅极的厚度；位于所述选择栅极两侧存储区衬底中的第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区，所述第二源漏掺杂区位于所述选择栅极和存储栅极之间。所述存储栅极的厚度较大，能够增加存储栅极侧壁的面积，从而增加存储栅极与第二源漏插塞之间介质层的击穿概率，进而降低所形成存储器的编程电压，降低存储器的功耗；所述选择栅极的厚度较小，能够减小选择栅极侧壁的面积，从而降低选择栅极与第一源漏插塞之间介质层的击穿概率，进而改善所形成存储的性能。
存储器及其形成方法

[发明专利]包括双扩散结区的非易失性存储器件及其制造方法-CN200710181854.4有效
发明人：吴东妍;宋在爀;李昌燮;李昌炫;金铉宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：非易失性存储器件包括在半导体衬底上的串选择栅极和地选择栅极，以及在串选择栅极和地选择栅极之间的衬底上的多个存储单元栅极。在多个存储单元栅极中的各个存储单元栅极之间，第一杂质区延伸到衬底中直至第一深度。在串选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的第一个存储单元栅极之间、以及地选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的最后一个存储单元栅极之间，第二杂质区延伸到衬底中直至大于第一深度的第二深度。
包括扩散非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710419201.9在审
发明人：绪方完 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：在具有非易失性存储器的半导体器件的性能方面实现了改进。第一存储单元包括在半导体衬底之上形成为彼此相邻的第一控制栅极电极和第一存储栅极电极。第二存储单元包括在半导体衬底之上形成为彼此相邻的第二控制栅极电极和第二存储栅极电极。形成在第二存储栅极电极的与第二存储栅极电极的其中第二存储栅极电极与第二控制栅极电极相邻的侧相对的侧上的侧壁间隔件的宽度小于形成在第一存储栅极电极的与第一存储栅极电极的其中第一存储栅极电极与第一控制栅极电极相邻的侧相对的侧上的另侧面壁间隔件的宽度包括处于中性状态下的第一存储器栅极电极的第一存储晶体管的阈值电压不同于包括处于中性状态下的第二存储栅极电极的第二存储晶体管的阈值电压。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]图像传感器-CN201811325849.0在审
发明人：郑庆鸿;张凯峯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括感光元件、存储元件及驱动电路。存储元件相邻于感光元件且包括存储节点、栅极介电层、存储栅极电极、刻蚀终止层、屏蔽层、以及保护层。栅极介电层位于存储节点上。存储栅极电极位于栅极介电层上。刻蚀终止层覆盖栅极介电层及存储栅极电极。屏蔽层位于存储栅极电极上。保护层夹置在刻蚀终止层与屏蔽层之间。驱动电路与存储元件相邻。
栅极介电层存储栅极电极刻蚀终止层存储元件屏蔽层图像传感器存储节点感光元件驱动电路保护层夹置覆盖

[发明专利]一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法-CN201911100281.7在审
发明人：唐小亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法，P型阱和位于其一侧的存储阱；位于P型阱上的选择管栅极；位于存储阱上的存储管栅极；选择管栅极的高度低于存储管栅极的高度，并且存储管栅极远离选择管栅极的侧壁呈斜坡，该斜坡上设有金属硅化物；选择管栅极与存储管栅极之间设有ONO叠层，该ONO叠层高度与存储管栅极高度一致；选择管栅极的顶部设有依靠ONO叠层的第一侧墙；选择管栅极顶部的其余部分设有金属硅化物；选择管栅极远离所述存储管栅极的侧壁设有第二侧墙本发明通过改造传统的1.5T SONOS工艺，加强选择管和存储管的栅极隔绝，降低选择管和存储管栅极漏电的风险，同时能让选择管的栅极也能生长金属硅化物,降低选择管的电阻，提高器件性能。
一种 1.5 sonos 存储器结构制造方法

[发明专利]多阶分离栅极快闪存储器-CN200410092212.3无效
发明人：洪至伟;郭辉宏 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-11-03 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种多阶分离栅极快闪存储器，此快闪存储器由基底、存储单元列、拟选择栅极、源极区与漏极区所构成。而且，此存储单元列由多个存储单元串连而成，且各个存储单元至少包括堆栈栅极结构与选择栅极。各个存储单元的堆栈栅极结构配置于基底上。选择栅极配置于堆栈栅极结构的一侧壁。拟选择栅极配置于存储单元列的一侧，且与存储单元列最末端的存储单元的堆栈栅极结构侧壁邻接。源极区与漏极区分别配置于拟选择栅极与存储单元列侧边的基底中。
分离栅极闪存

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201610131660.2有效
发明人：三原龙善 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：对具有分离栅极型MONOS存储器的半导体器件的可靠性做出了改进。形成覆盖控制栅极电极的ONO膜和虚设存储器电极栅极，并且然后跨虚设存储器电极栅极形成在所制造的存储器的源极区域侧的扩散区域。随后，去除虚设存储器栅极电极，并且然后形成存储器栅极电极，该存储器栅极电极的栅极长度小于虚设存储器电极栅极。之后，形成在存储器的源极区域侧的延伸区域。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510122287.X在审
发明人：有金刚;久本大;冈田大介 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：存储器栅极由第一存储器栅极和第二存储器栅极形成，该第一存储器栅极包括由第二绝缘膜和第一存储器栅极电极制成的第二栅极绝缘膜，该第二存储器栅极包括由第三绝缘膜和第二存储器栅极电极制成的第三栅极绝缘膜。此外，第二存储器栅极电极的下表面在水平高度上位于低于第一存储器栅极电极的下表面。结果，在擦除操作期间，电场集中在第一存储器栅极电极的定位更靠近选择栅极和半导体衬底的角部上，并且集中在第二存储器栅极电极的定位更靠近第一存储器栅极和半导体衬底的角部上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]存储器单元、半导体集成电路装置及半导体集成电路装置的制造方法-CN201680041451.7有效
发明人：吉田省史;大和田福夫;冈田大介;川嶋泰彦;吉田信司;柳泽一正;谷口泰弘 -专利权人：株式会社佛罗迪亚
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在本发明的存储器单元(1)中，通过设置依次层叠形成下部存储器栅极绝缘膜(10)、电荷存储层(EC)、上部存储器栅极绝缘膜(11)及金属存储器栅极(MG)的存储器栅极构造体(2)、和沿着设置在存储器栅极构造体(2)的侧壁的一侧壁隔板(8a)具有金属第一选择栅极(DG)的第一选择栅极构造体(3)、和沿着设置在存储器栅极构造体(2)的侧壁的另一侧壁隔板(8b)具有金属第二选择栅极(SG)的第二选择栅极构造体(4)，能够由与金属逻辑栅极(LG1)相同的金属材料形成金属存储器栅极(MG)、金属第一选择栅极(DG)及金属第二选择栅极(SG)，从而在半导体基板上形成由金属材料构成的金属逻辑栅极(LG1)的一系列的制造工序中能够形成存储器单元
存储器单元半导体集成电路装置制造方法

[发明专利]一种SONOS存储结构及其制造方法-CN201811444528.2有效
发明人：唐小亮;陈广龙;辻直树;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明提供了一种SONOS存储结构及其制造方法，SONOS存储结构包括衬底和形成在衬底上的选择管栅极和存储管栅极，其中，衬底为复合衬底，包括具有硅基体层、掩埋氧化物层和硅表面层，硅基体层的上部为存储管阱区；选择管栅极和存储管栅极形成在硅表面层上；选择管栅极包括选择管第一栅极和选择管第二栅极，选择管第一栅极和选择管第二栅极分别位于存储管栅极两侧，并与存储管栅极通过存储管栅极两侧的第一侧墙电性隔离；以及选择管第一栅极和选择管第二栅极外侧的硅表面层上表面分别形成有与选择管第一栅极和选择管第二栅极毗邻的硅外延层本发明提供的制造方法能够兼容现有的FDSOI工艺，能够制造出结构更小，性能更优的上述SONOS存储单元。
一种 sonos 存储结构及其制造方法

[发明专利]使用栅极优先方法集成非易失性存储器和高K及金属栅极-CN201410331841.0有效
发明人： A·H·佩雷拉 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及使用栅极优先方法集成非易失性存储器和高K及金属栅极。制作半导体器件的方法包括在衬底(12)的存储器区域(11)上形成分离栅极存储器栅极结构(30,32)，以及通过在包括存储器栅极结构的存储器区域上以及衬底的逻辑区域(13)上沉积保护层(34‑38)来保护分离栅极存储器栅极结构保护层保留在存储器区域上，同时在逻辑区域内形成逻辑栅极(46)。逻辑栅极包括高k电介质层(40)和金属层(42)。间隔物材料在逻辑栅极上沉积。间隔物在存储器栅极结构和逻辑栅极上形成。逻辑栅极上的间隔物由间隔物材料形成，而存储器栅极结构上的间隔物由保护层之一形成。
使用栅极优先方法集成非易失性存储器金属

[发明专利]减少非易失性存储器单元阵列中的编程干扰的方法和设备-CN201780035720.3有效
发明人：阿米凯·吉万特 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：公开了一种存储器设备，包括：(a)目标存储器单元，其具有第一选择栅极、目标存储器栅极和第一源极线，其中在编程操作期间，第一选择栅极、目标存储器栅极和第一源极线处于编程状态电平，以及(b)邻近存储器单元，其具有第二选择栅极、第一源极线和未连接到目标存储器栅极的邻近存储器栅极。在编程操作期间，邻近选择栅极处于低态以禁止对邻近单元的编程干扰，并且邻近存储器栅极处于低态。
选择栅极目标存储器源极线邻近编程操作期间存储器栅极编程干扰低态非易失性存储器单元阵列邻近存储器单元目标存储器单元存储器设备方法和设备编程状态未连接

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