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[发明专利]薄膜晶体管阵列基板-CN201610812483.4有效
发明人：施博理;高逸群;林欣桦;李志隆;张炜炽;陆一民 -专利权人：鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，其第二导电层为多层结构，所述第二导电层形成为间隔设置的源极和漏极，多层结构的第二导电层包含：第一子层；第二子层，其位于所述第一子层上；第三子层，其位于所述第二子层上；至少一个附加子层，该至少一个附加子层位于所述第一子层和所述第二子层之间；所述第一子层、第三子层和附加子层均包含含有铟和锌的金属氧化物材料；所述第二导电层中形成有一凹槽位于所述源极和所述漏极之间，所述凹槽贯穿第一子层、第二子层、第三子层和附加子层。
薄膜晶体管阵列

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201710889138.5有效
发明人：从颖;姚振;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，多量子阱层包括多个第一子层，各个第一子层包括量子阱层和量子垒层，最靠近电子阻挡层的量子垒层包括多个第二子层和第三子层，各个第二子层包括第四子层、第五子层和第六子层，各个第四子层为铝镓氮层，各个第五子层为同时掺杂镁和铟的氮化镓层，且各个第五子层中铟的掺杂位置靠近第六子层，各个第六子层为氮化镓层，第三子层为同时掺杂镁和铟的氮化镓层，第三子层中镁和铟的掺杂浓度高于各个第五子层。
一种发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]发光二极管外延片及其生长方法-CN201910085722.4有效
发明人：姚振;从颖;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、插入层、有源层和P型半导体层，插入层包括第一超晶格结构、第二超晶格结构和第三超晶格结构，第一超晶格结构的叠层结构包括第一子层和第二子层，第二超晶格结构的叠层结构包括第三子层和第四子层，第三超晶格结构的叠层结构包括第五子层、第六子层和第七子层，第一子层的材料采用氮化铝，第二子层、第三子层和第六子层的材料采用氮化镓，第四子层、第五子层和第七子层的材料采用氮化铝镓，第五子层中铝组分的含量等于第四子层中铝组分的含量，第七子层中铝组分的含量大于第五子层中铝组分的含量。
发光二极管外延及其生长方法

[发明专利]一种掺入量子点的多结叠层太阳电池设计-CN201210305808.1无效
发明人：屈晓升;张思思;熊丽玲;包鸿音 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能光伏发电领域，具体公开了一种掺入量子点的多结叠层太阳电池的设计，该电池包括前电极、子层A减反射层、子层B顶电池层、子层C背场层1、子层D隧穿结1、子层E中间层1、子层F背场层2、子层G隧穿结2、子层H中间层2、子层I隧穿结3、子层J底电池层、子层K衬底层和后电极，是在GaInP/GaAs/GaInAs/Ge四结叠层电池的GaAs子层引入量子点超晶格结构，利用量子点的带隙可调性，改善叠层电池整体的电流匹配和光谱利用率，并在子层B顶电池层和子层E中间层1中加入窗口层和背场结构，使得短波长光被充分吸收，电池各子层的带隙基本满足1.8eV、1.4eV、1.0eV、0.7eV，以充分吸收各波段的太阳光谱。
一种掺入量子多结叠层太阳电池设计

[发明专利]双模通信装置、双模通信方法及存储介质-CN202210369804.3有效
发明人：王祥;武占侠;洪海敏;占兆武;李龙 -专利权人：深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H04L5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双模通信装置、双模通信方法及存储介质，该装置包括：数据链路层，包括融合网络管理子层、第一MAC子层和第二MAC子层；物理层，包括第一物理子层和第二物理子层，第一物理子层分别与第一MAC子层、融合网络管理子层连接，第二物理子层分别与第二MAC子层、融合网络管理子层连接；其中，第一MAC子层、第一物理子层设在第一信道中，第二MAC子层、第二物理子层设在第二信道中，融合网络管理子层用于在第一信道和第二信道同时发送业务报文时
双模通信装置方法存储介质

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板-CN202211684012.1在审
发明人：刘念;陈钦盛 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板；阵列基板包括基板、栅极层、有源层，栅极层包括第一栅级子层和第二栅极子层；第一栅极子层和第二栅极子层不完全重叠，有源层在基板上的正投影位于第一栅级子层在基板上的正投影内，第一栅级子层的熔点高于第二栅极子层的熔点；本申请通过将栅极层设置为第一栅极子层和第二栅极子层，有源层在基板上的正投影位于第一栅级子层在基板上的正投影内，第二栅极子层在基板上的正投影与有源层在基板上的正投影不重叠，由于第一栅极子层的熔点高于第二栅极子层的熔点，从而在对有源层进行高温结晶工艺时，高温不会造成第一栅极子层熔融或断线。
一种阵列及其制作方法显示面板

[发明专利]显示基板及其制造方法和显示装置-CN201710631769.7在审
发明人：杨昕 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：该显示基板包括衬底基板和位于衬底基板之上的缓冲层，缓冲层包括第一子缓冲层和第二子缓冲层，第一子缓冲层位于衬底基板之上，第二子缓冲层上设置有薄膜晶体管；缓冲层还包括位于第一子缓冲层和第二子缓冲层之间的至少一层第三子缓冲层和/或至少一层第四子缓冲层，一层第三子缓冲层与第一子缓冲层相邻层设置，一层第四子缓冲层与第二子缓冲层相邻层设置，第三子缓冲层的导热系数小于第一子缓冲层的导热系数，第四子缓冲层的导热系数小于第二子缓冲层的导热系数
显示及其制造方法显示装置

[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法-CN202310684422.4在审
发明人：董雪振;毕京锋;李森林;高默然;丘金金;王亚宏;薛龙;赖玉财;廖寅生 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种LED外延结构及其制备方法，LED外延结构包括由下至上依次形成于衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层由下至上依次包括空穴注入层、电流扩展层和欧姆接触层，所述空穴注入层为第一预设周期数的由下至上依次设置的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层交替层叠的周期性结构，所述第一子层和第二子层均为氮极性层，第三子层和第四子层均为镓极性层。本发明通过第一子层和第二子层均为氮极性层利于获得尖锐的掺杂界面，防止P型掺杂原子进入发光层，且所述第二子层可以保护所述第一子层的高浓度掺杂；通过第三子层和第四子层均为镓极性层，可以提高晶体质量。
一种 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法-CN201710890571.0有效
发明人：从颖;姚振;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，多量子阱层包括多个第一子层，各个第一子层包括阱层、盖层和垒层，各个阱层为铟镓氮层，各个垒层为氮化镓层，各个盖层包括第二子层至第七子层，第二子层和第三子层均为铟镓氮层，第三子层中铟的组分含量、第二子层中铟的组分含量、阱层中铟的组分含量逐层增多；第四子层为氮化镓层，第五子层至第七子层均为铝镓氮层，第六子层中铝的组分含量、第五子层中铝的组分含量、第七子层中铝的组分含量、电子阻挡层中铝的组分含量逐层增多。
一种发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种复合隔音夹胶玻璃-CN202210630415.1有效
发明人：何磊;刘文体;陈建;曾敏俊;孙元春;刘俊 -专利权人：中建材（内江）玻璃高新技术有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B32B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合隔音夹胶玻璃，复合隔音夹胶玻璃由外至内依次包括外玻璃层、PVB复合层A、PVB复合层B、PVB复合层C以及内玻璃层，其中，PVB复合层A由外至内依次至少包括PVB复合层A的子层A以及PVB复合层A的子层B，其中，PVB复合层B由外至内依次至少包括PVB复合层B的子层A以及PVB复合层B的子层B，其中，PVB复合层C由外至内依次至少包括PVB复合层C的子层A以及PVB复合层C的子层B，其中，PVB复合层A的子层A以及PVB复合层A的子层B具有不同的玻璃化转变温度，PVB复合层B的子层A以及PVB复合层B的子层B具有不同的玻璃化转变温度，PVB复合层C的子层A以及PVB复合层C的子层
一种复合隔音玻璃

[发明专利]一种GaN基发光二极管的外延片的制作方法-CN201610454900.2有效
发明人：乔楠;李昱桦;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述制作方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型层、多量子阱层和P型层；多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；最后生长的量子垒层包括量子垒子层，量子垒子层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，第一子层为InGaN层，第三子层为AlGaN层，第二子层和第四子层均为GaN层，第一子层的生长温度低于量子阱层的生长温度，第三子层的生长温度高于第一子层的生长温度；其它的量子垒层为GaN层，其它的量子垒层为多量子阱层中，除最后生长的量子垒层之外的所有量子垒层。
一种 gan 发光二极管外延制作方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN201911251295.9有效
发明人：吴真龙;何胜;邢永禄;郭文辉;李俊承 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池包括：依次层叠设置的第一子电池、第二子电池和第三子电池；位于第一子电池与第二子电池之间的第一隧穿结；位于第一隧穿结与第二子电池之间的变质缓冲层；位于第二子电池与第三子电池之间的第二隧穿结；变质缓冲层包括至少一层窗口层、一层过冲层和至少一层第一子缓冲层；每层子缓冲层均位于第一子电池和过冲层之间，沿第一子电池至第二子电池的方向，每层子缓冲层的晶格常数递增；过冲层位于最接近第二子电池的子缓冲层和最接近第一子电池的窗口层之间，过冲层的晶格常数大于第二子电池的晶格常数；每层窗口层均位于过冲层和第二子电池之间。
一种太阳能电池及其制作方法

[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制造方法-CN201910471121.7有效
发明人：刘浪;陆香花;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：所述GaN基发光二极管外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述电子阻挡层由依次层叠的多个第一复合结构组成，每个所述第一复合结构由依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层组成；所述第一子层和所述第五子层均为未掺杂的AlGaN层，所述第一子层中Al组分的含量小于所述第五子层中Al组分的含量，所述第二子层为未掺杂的InGaN层，所述第三子层为未掺杂的MgN层，所述第四子层为未掺杂的GaN层，所述第三子层中的Mg扩散到所述第四子层中。
gan 发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法-CN201610814409.6有效
发明人：林欣桦;施博理;高逸群;万昌峻;张炜炽;吴逸蔚 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：在通道层上形成包含铟和锌的金属氧化物的第一子层；形成包含金属的第二子层覆盖于所述第一子层上；形成包含铟和锌的金属氧化物的第三子层覆盖于所述第二子层上；所述第一子层、第二子层和第三子层蚀刻形成一凹槽贯穿所述第一子层、第二子层和第三子层,以形成通过凹槽得以间隔的源极与漏极；沿第三子层指向第一子层的方向，该凹槽的尺寸逐渐变小。
薄膜晶体管阵列制造方法

[发明专利]一种外延片、外延片制备方法及高电子迁移率晶体管-CN202210607801.9在审
发明人：刘春杨;胡加辉;吕蒙普;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种外延片、外延片制备方法及高电子迁移率晶体管，所述外延片包括盖帽层，所述盖帽层包括依次层叠的第一子层、第二子层以及第三子层，所述第一子层与所述第三子层均为GaN层，所述第二子层为InGaN层；其中，所述第一子层的生长厚度与所述第三子层的生长厚度均小于或等于所述第二子层的生长厚度，所述第一子层的生长温度与所述第三子层的生长温度均高于或等于所述第二子层的生长温度。
一种外延制备方法电子迁移率晶体管

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