专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光纤-CN201410709195.7在审
  • 坂部至;相马一之;服部知之 - 住友电气工业株式会社
  • 2014-11-28 - 2016-06-22 - G02B6/02
  • 本发明涉及一种光纤,其具有在设想为实际使用的长度中,用于将其出射端处的数值孔径抑制为较小的构造。该光纤具有纤芯部、沟槽部、以及包层部。此外,该光纤设计为,光纤长度越长,其出射端处的数值孔径越小,并且设想为实际使用的长度中的数值孔径满足特定条件。由此,将该光纤的出射端处的数值孔径抑制为较小,并显著提高该光纤和其它光学部件的耦合效率。
  • 光纤
  • [发明专利]光纤-CN200910151045.8有效
  • A·格霍拉米;D·莫兰;P·西亚尔;Y·吕米诺 - 德雷卡通信技术公司
  • 2009-07-07 - 2010-01-13 - G02B6/028
  • 本发明提供一种光纤,其具有一种折射率分布,使得对修改的DMD图执行的色散延迟(DMD)测量针对(Δλmax×D)>0.07ps/m产生的等效模式色散值小于0.11ps/m,其中sub>=ΔλmaxxDxL(rtrace/α)β,其中rtrace是对应于所述光路的光脉冲的入射中心位置,α是光纤的纤芯半径,L是光纤的长度,D是光纤在光脉冲的波长处的色度色散,β是延迟系数,而Δλmax是想要与光纤一起使用的光源的最大谱宽。修改DMD图以考虑色度色散,这使得可以保证,对于与横向光源一起使用的光纤,所计算的有效带宽EBc大于6000MHz-km。
  • 光纤
  • [发明专利]光纤-CN201210374637.8有效
  • 星野寿美夫;米泽和泰 - 住友电气工业株式会社
  • 2012-09-29 - 2013-04-10 - C03B37/018
  • 本发明涉及一种光纤,与常规结构相比,这种光纤所具有的结构使其能稳定制造并且加宽了通信带宽。光纤具有掺杂有GeO2和氯且直径为2a的芯部。芯部中沿光纤直径方向的氯浓度分布具有这样的形状,使得在芯部半径方向与芯部中心的距离在0.9a~1.0a范围内的第二测量位置处的氯浓度,高于在芯部半径方向与芯部中心的距离为a/2的第一测量位置处的氯浓度
  • 光纤
  • [发明专利]光纤-CN201410384285.3有效
  • 瓦伦丁·盖庞特瑟夫;迈克尔·弗亚特金;瓦伦丁·弗明;尼古拉·普拉特诺夫 - IPG光子公司
  • 2010-09-08 - 2017-05-31 - H01S3/067
  • 一种整体光纤被构造成具有双瓶颈形(MM)纤芯,其能够在给定波长下实质上只支持基,并具有相对的端区、从相应的端区向内延伸的锥台形状的转换器区和桥接所述转换器区的尺寸均匀的中心区。MM纤芯具有阶跃折射率分布,所述阶跃折射率分布被构造成具有居中的下凹,所述下凹具有沿光纤长度可变的宽度。下凹的宽度在MM纤芯的端区较小,以便只支持具有高斯分布的基。随着下凹沿输入转换器区变大,其逐渐使高斯分布形成为基的环分布,其沿MM纤芯的中心区被导引。下凹沿输出转变区逐渐变小,以便使环分布的形状回到从MM纤芯的输出端区辐射的基的实质上的高斯分布。折射率分布具有掺杂一种或多种稀土元素的环区域,并被构造成实质上只是放大基
  • 光纤
  • [发明专利]光纤-CN201010538952.0有效
  • D·莫兰;P·西亚尔;Y·吕米内奥 - 德雷卡通信技术公司
  • 2010-09-17 - 2011-05-25 - G02B6/028
  • 本发明涉及一种光纤,其从中心到边缘包括光学纤芯以及具有由ncladding定义的折射率的包层,其中,所述纤芯具有半径(r1)以及相对于所述包层具有渐变折射率的α折射率分布,所述纤芯的最大折射率为nmax,并且所述纤芯的最小折射率为nmin,其中,nmin-ncladding>2×10-3,所述光纤对于15mm的曲率半径呈现两圈小于0.1dB的弯曲损耗。因此,本发明可以获得具有降低的弯曲损耗的渐变折射率光纤,其中,其与标准渐变折射率光纤的耦合损耗比现有技术更有限。
  • 光纤
  • [发明专利]光纤-CN201310495549.8有效
  • 瓦伦丁·盖庞特瑟夫;迈克尔·弗亚特金;瓦伦丁·弗明;尼古拉·普拉特诺夫 - IPG光子公司
  • 2010-09-08 - 2014-03-12 - G02B6/028
  • 种整体光纤被构造成具有双瓶颈形(MM)纤芯,其能够在给定波长下实质上只支持基,并具有相对的端区、从相应的端区向内延伸的锥台形状的转换器区和桥接所述转换器区的尺寸均匀的中心区。MM纤芯具有阶跃折射率分布,所述阶跃折射率分布被构造成具有居中的下凹,所述下凹具有沿光纤长度可变的宽度。下凹的宽度在MM纤芯的端区较小,以便只支持具有高斯分布的基。随着下凹沿输入转换器区变大,其逐渐使高斯分布形成为基的环分布,其沿MM纤芯的中心区被导引。下凹沿输出转变区逐渐变小,以便使环分布的形状回到从MM纤芯的输出端区辐射的基的实质上的高斯分布。折射率分布具有掺杂一种或多种稀土元素的环区域,并被构造成实质上只是放大基
  • 光纤
  • [发明专利]光纤-CN201610059735.0有效
  • 盐崎学;米泽和泰;榎本正 - 住友电气工业株式会社
  • 2016-01-28 - 2019-04-05 - G02B6/028
  • 本发明的实施例涉及具有用于实现在更宽波长范围内扩大带宽并提高芯部中的折射率分布的制造容易性的结构的GI‑MMF。在GI‑MMF的实例中,芯部的整个区域掺杂有Ge,并且芯部的一部分掺杂有P。即,掺Ge区域与芯部的整个区域一致,并且掺Ge区域由掺杂有Ge和P的部分掺P区域和掺杂有Ge但有意未掺杂P的未掺P区域构成。
  • 光纤

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