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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种碳化硅MOSFET结构-CN202120154151.8有效
发明人：金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅MOSFET结构，其在P型体上方设置N+型多晶体和P+型多晶体，并通过N+型多晶体和P+型多晶体形成N+源区和P+带区，由于N+型多晶体和P+型多晶体为多晶体结构，其在形成N+源区和P+带区时不需要过高的温度，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶体结构，由此改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。此外，由于N+型多晶体和P+型多晶体的设置，改善源极金属和N+源区和P+带区的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
一种碳化硅 mosfet 结构

[发明专利]耐等离子体性构件-CN201580033596.8有效
发明人：岩泽顺一 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种耐等离子体性构件，其特征在于，具备基材及层状结构物，层状结构物含有用气溶胶沉积法在前述基材表面形成的三氧化二钇多晶体并具有耐等离子体性，构成前述层状结构物的三氧化二钇多晶体具有立方晶和单斜晶混合存在的晶体结构，在构成前述层状结构物的三氧化二钇多晶体中，单斜晶相对于立方晶的比例为0％以上、60％以下，构成前述层状结构物的三氧化二钇多晶体的微晶尺寸为8nm以上、50nm以下。
等离子体性构件

[实用新型]一种碳化硅MPS二极管结构-CN202121941689.X有效
发明人：金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅MPS二极管结构，其在外延层上方设置多晶SiC层，并通过多晶SiC层形成P型网格和P型防护结，由于多晶SiC层为多晶体结构，其在形成P型网格和P型防护结时不需同时施加高压和高温，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶体结构，由此改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。此外，由于多晶体SiC层的设置，改善了阳极金属和P网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
一种碳化硅 mps 二极管结构

[实用新型]一种沟槽式碳化硅MPS二极管结构-CN202121941707.4有效
发明人：金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：北京利宝生科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟槽式碳化硅MPS二极管结构，其在外延层上形成沟槽，并在沟槽内设置多晶SiC层，并通过多晶SiC层形成P型网格和P型防护结，由于多晶SiC层为多晶体结构，其在形成P型网格和P型防护结时不需同时施加高压和高温，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶体结构，由此改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。此外，由于多晶体SiC层的设置，改善了阳极金属和P网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
一种沟槽碳化硅 mps 二极管结构

[其他]致密表层陶瓷结构及其制造方法-CN87106040无效
发明人：斯坦利·J·卢兹克兹;哈利·R·兹威克尔 -专利权人：兰克西敦技术公司
申请日： 1987-09-01 - 公布日： 1988-04-27 - 主分类号： C22C29/12 文献下载
摘要：本发明涉及自支承陶瓷结构及其制造方法，该自支承陶瓷结构包括埋有填料的陶瓷复合结构。该陶瓷结构包括由熔融的母金属体与氧化剂的氧化形成的多晶体材料。该多晶体材料具有一个始区基体，其上覆盖有终区薄层，该终区薄层与始区构成整体。该终区薄层比起区基体更硬并具有更致密的、更细的晶体结构，而且是在多晶体的起区形成的反应阶段之后的反应阶段中形成的。在尽管留下或保留足够可氧化的熔融母金属去形成终区的多晶体材料的条件下，第一阶段的生长通过削弱或中断熔融母金属向第一区的输送来完成。
致密表层陶瓷结构及其制造方法

[实用新型]一种基于液晶可控双折射的周期多晶体-CN201721298493.7有效
发明人：张留洋;程广真 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于液晶可控双折射的周期多晶体，涉及超快光学技术领域，具体涉及一种基于液晶可控双折射的周期多晶体结构。本实用新型是为了解决传统的多晶结构需要仔细的选择非线性晶体层和补偿层的厚度过薄，结构加工困难，两种晶体粘连复杂，并且需要仔细的选择非线性层和补偿层的光轴取向的问题。本实用新型包括β‑硼酸盐（β‑BBO）晶体骨架、MLC‑9200‑100液晶、电压输入端口，其中MLC‑9200‑100液晶填充于β‑硼酸盐（β‑BBO）晶体骨架中，然后作为LC盒密封，电压输入端口连接到
本实用新型液晶双折射可控电压输入端口晶体骨架补偿层多晶体硼酸盐光学技术领域多晶体结构非线性晶体多晶结构非线性层光轴取向结构加工液晶填充传统的盒密封粘连

[发明专利]一种具有优异膜下耐蚀性的镀锌钢板及其制备方法-CN202110187814.0有效
发明人：蒋光锐;黎敏;商婷;滕华湘;李研;王保勇;王松涛;刘广会;徐呈亮 -专利权人：首钢集团有限公司;首钢京唐钢铁联合有限责任公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C2/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有优异膜下耐蚀性的镀锌钢板及其制备方法，所述镀锌钢板包括钢基体和镀锌层；所述镀锌层的化学成分质量分数为：Zn≥60％，其余为合金元素和不可避免的杂质；所述镀锌层表面形成有凸点和凹坑；所述镀锌层为多晶体结构，所述多晶体结构包括晶粒和晶界，所述晶界将所述晶粒分隔成多个部分，所述晶界的表面积占所述镀锌层的表面积的1％～10％。
一种具有优异膜下耐蚀性镀锌钢板及其制备方法

[发明专利]热电转换材料及使用其的热电转换模块以及其制造方法-CN201380028168.7有效
发明人：泽孝雄 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L35/20 文献下载
摘要：本发明的热电转换材料，其由下述组成式(1)表示且包含具有MgAgAs型晶体结构的多晶体，其特征在于，在上述多晶体内具备具有Ti浓度不同的区域的MgAgAs型晶粒。
热电转换材料使用模块及其制造方法

[发明专利]热电转换材料及使用其的热电转换模块以及其制造方法-CN201380028161.5有效
发明人：泽孝雄 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L35/20 文献下载
摘要：根据实施方式，提供热电转换材料，其由下述组成式(1)表示，且包含具有MgAgAs型晶体结构的多晶体。在多晶体的至少一面上设有绝缘被膜。
热电转换材料使用模块及其制造方法

[发明专利]将掺杂的多晶材料转化成单晶材料-CN95102002.1无效
发明人：柯蒂斯·E·斯科特;玛丽·S·卡利赛夫斯基;莱昂内尔·M·莱维森 -专利权人：通用电气公司
申请日： 1995-02-14 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：将多晶陶瓷体转变成单晶体的固相方法，用能提高转化的掺杂剂掺杂多晶陶瓷材料，在选定温度下加热多晶体至足以将多晶体转变成单晶的时间。所择温度低于多晶材料的熔化温度，但高于该材料熔化温度的一半。多晶体还可以被不均匀地掺杂，以形成掺杂至预定掺杂剂量的第一部分多晶体和未掺杂的第二部分，以致加热掺杂多晶体会使第一部分转化成单晶结构，而第二部分仍保持多晶结构。
掺杂多晶材料转化成单晶

[发明专利]基于X射线衍射全谱的多晶材料残余应力测量方法-CN201410177546.4在审
发明人：詹科;郑学军;祝元坤;王丁;韩昊 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： G01L1/25 文献下载
摘要：一种基于X射线衍射全谱的多晶材料残余应力测量方法，是利用一张X射线衍射谱线，在考虑了多晶体晶粒取向的基础上，获得多晶体材料平面应变，在此基础上结合多晶体材料应力应变关系，最终计算出多晶体材料残余应力值。本发明在计算材料应变过程中考虑了多晶体材料晶粒取向，避免了由于多晶体材料的择优取向对传统X射线衍射应力分析方法的影响，为多晶体材料残余应力测量提供了一种方便快捷的方法。
基于射线衍射多晶材料残余应力测量方法

[实用新型]高阻密栅多晶体太阳能电池片-CN202222337220.6有效
发明人：杨肖波 -专利权人：浙江中晶新能源股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了高阻密栅多晶体太阳能电池片，其包括：多晶体太阳能电池片主体，所述多晶体太阳能电池片主体的顶部设置有顶部电极，所述顶部电极包括主栅线和副栅线，并且主栅线与副栅线均设置在多晶体太阳能电池片主体的顶部，所述主栅线包括金属丝和银板，所述多晶体太阳能电池片主体的顶部设置有与主栅线对应的安装槽，所述金属丝设在安装槽的底部，所述安装槽的左右内壁上均设置有放置组件。通过在安装槽的内壁上设置放置组件，主要用于银板的安装，结构简单，制造简单，避免了在多晶体太阳能电池片主体内开设很多的孔槽，从而避免了多晶体太阳能电池片主体内部结构损坏。
高阻密栅多晶体太阳能电池

[发明专利]一种X射线衍射全谱多峰拟合模式的多晶材料残余应力测量方法-CN202011596141.6在审
发明人：汪选国;汪研;张林海;方海英;万才明;许建艳;吴芳 -专利权人：宁波经略海洋科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：本发明提出一种X射线衍射全谱多峰拟合模式的多晶材料残余应力测量方法，利用材料的一张X射线衍射全谱谱线，采用多峰拟合模式，考虑了多晶体晶粒取向的基础上，获得多晶体材料平面应变，在此基础上结合多晶体材料应力应变关系，最终计算出多晶体材料残余应力值。本发明在计算材料应变过程中采用多个衍射峰信息，考虑了多晶体材料晶粒取向，避免了由于多晶体材料的择优取向对传统X射线衍射应力分析方法的影响，为多晶体材料残余应力测量提供了一种方便快捷的方法。
一种射线衍射全谱多峰拟合模式多晶材料残余应力测量方法

[发明专利]一种多晶体水源净化设备-CN202310896697.4在审
发明人：刘昊;种伟宾;邵章华;徐强 -专利权人：江苏卓瑞朗迅节能环保科技有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及水源净化设备技术领域，且公开了一种多晶体水源净化设备，包括底部限位式安装结构、液体引流式旋转从动结构以及转动式过滤结构，其内部设置有呈弓形结构且具备足够抗外界压力的网格支架以及包裹在网格支架外表面的滤纸该多晶体水源净化设备，采用滤纸方式对水源进行过滤，具备过滤效果强的优点，而用于过滤的滤纸处于高速旋转状态，能够对被阻隔在滤纸外表面的多晶体产生离心效果，从而使得被阻隔的多晶体能够远离滤纸，降低对多晶体净化过程中由于该晶体堆积在过滤滤纸表面造成的负面影响
一种多晶体水源净化设备

[发明专利]使用多晶体CVD合成金刚石修整机来修整磨轮的方法以及制造它的方法-CN201280061999.X有效
发明人： N·珀金斯 -专利权人：六号元素技术有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： B24B53/12 文献下载
摘要：一种使用多晶体CVD合成金刚石修整机来修整轮的方法，该方法包括：使得轮旋转；以及使得轮的工作表面与多晶体CVD合成金刚石修整机的工作表面接触；其中，多晶体CVD合成金刚石修整机定向成这样，使得多晶体CVD合成金刚石修整机的工作表面的前边缘由比多晶体CVD合成金刚石修整机的工作表面的后边缘大的颗粒来形成。
使用多晶体 cvd 合成金刚石修整方法以及制造

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