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[发明专利]一种适用于基于铁磁材料的多态存储器的多态存储方法-CN201810809559.7有效
发明人：游龙;张帅;李若凡 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于基于铁磁材料的多态存储器的多态存储方法，包括：在基于铁磁材料的多态存储器的第一电极和第二电极之间施加定值的写电流，并对多态存储器施加平行或反平行于写电流的平面磁场；保持写电流的大小及方向均不变，改变平面磁场的大小，并获得每一个平面磁场值所对应的多态存储器的电阻值；选择m个电阻值，并通过编码得到m个数据值与m个电阻值一一映射的第一映射关系；获得与m个电阻值一一对应的m个平面磁场值，进而得到m个数据值与m个平面磁场值一一映射的第二映射关系，并由此实现利用多态存储器的m个电阻态分别存储m个数据值的多态存储。本发明能够有效提高多态存储的存储密度，降低存储功耗，并提高抗辐射能力。
一种适用于基于材料存储器存储方法

[发明专利]多态阻变材料、用其制得的薄膜、多态阻变储存元件及所述储存元件在储存装置中的应用-CN200910027767.2无效
发明人：许含霓;刘治国;夏奕东;殷江;陈亮 -专利权人：南京大学
申请日： 2009-05-20 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多态阻变材料，可以兼具PCRAM和RRAM两种存储器的性能，既可在非晶态-结晶态转变从而实现电阻改变，又可在稳定的结晶形态下实现金属纳米丝形成与瓦解导致的电阻改变，从而可以应用于多态阻变存储器制造本发明还涉及用所述多态阻变材料制得的薄膜。本发明还涉及用上述薄膜制得的多态阻变存储元件。本发明还涉及上述多态阻变存储元件在存储装置中的应用。所述多态阻变材料的化学式为Ag_xGe_yTe_z，其中5＜x＜15，10＜y＜25，z＝100-x-y，所述多态阻变材料的熔点为330-400本发明可以应用于多态阻变存储器制造，大大增加存储器的存储密度。
多态阻变材料薄膜储存元件装置中的应用

[发明专利]一种多态磁性存储器的位元结构-CN201610419994.X在审
发明人：李辉辉;孟皓;刘鲁萍;刘少鹏;戴强;刘波 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种多态磁性存储器的位元结构，该存储器的位元结构包括多态的磁性隧道结存储单元阵列，由字线、位线和开关器件组成的开关电路。该多态磁性存储器的位元结构具有磁性随机存取存储器(MRAM)的读取速度快、可无限次擦写、能耗低和抗辐照等优点；同时，该多态磁性存储器只有在磁场辅助下才能实现再编程，安全性高，可用作理想的高安全性多次编程存储器；同时，该多态磁性存储器的磁性隧道结存储单元具有多个电阻状态，可以在一个存储单元里面记录3个或4个比特的信息，有效地提高了数据存储密度，降低了芯片面积。该存储器位元可用于需要安全性高、读取速度快、能耗低、抗辐照、抗恶劣环境等特性的微处理器和数字电路等。
一种磁性存储器位元结构

[发明专利]具有多态指令集体系结构的处理器-CN201310139290.3有效
发明人：王东琳;谢少林;杨勇勇;尹磊祖;王磊;刘子君;汪涛;张星 -专利权人：中国科学院自动化研究所
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：本发明提出一种具有多态指令集体系结构的处理器，其包括一个标量处理单元(101)、至少一个多态指令处理单元(100)、至少一个多粒度并行存储器(102)和一个DMA控制器(103)；多态指令处理单元(100)包括至少一个功能单元(202)；多态指令处理单元(100)用于解释和执行多态指令，其功能单元(202)用于执行具体的数据操作任务；所述标量处理单元(101)用于调用多态指令并查询多态指令的执行状态；所述DMA控制器(103)用于传送多态指令的配置信息以及向所述多粒度存储器(102)传送多态指令所需数据。
具有指令集体结构处理器

[发明专利]一种电力信息系统多态数据存储系统及存储方法-CN202111270482.9在审
发明人：鲜开强;郎嘉忆;章劲秋;邹云峰;盛妍;孙林檀;张昕;顾颖歆;曲艺;王庆贤;巫乾军;王小龙;陈宇航;董清泉 -专利权人：国网江苏省电力有限公司营销服务中心;国家电网有限公司客户服务中心;国网电力科学研究院有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种电力信息系统多态数据存储系统及存储方法，将多态数据文件视为大二进制文件进行切片，将切片数据存储到云服务器上，生成数据切片信息描述，并基于切片信息生成文件摘要，存储至区块链中，从而实现数据本体链下存储，数据元信息链上存储，简化电力信息系统多态数据处理复杂度，提高数据存储与传输的高效性、实时性以及安全性。
一种电力信息系统数据存储系统存储方法

[发明专利]一种对多态磁性存储器进行磁场辅助再编程的操作方法-CN201610410514.3有效
发明人：李辉辉;孟皓;刘鲁萍;刘少鹏;戴强;刘波 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种对多态磁性存储器进行磁场辅助再编程的操作方法，本发明基于磁性随机存取存储器的原理，提出了一种对采用多个磁性隧道结作为信息存储单元的多态磁性存储器进行磁场辅助再编程的操作方法；通过为多态磁性存储器提供写电流和辅助磁场，在极化电流的自旋转移力矩和辅助磁场的共同作用下，分别改变多个自由层的磁化方向，从而实现多态磁性存储器的再编程；利用此操作方法可以对磁性存储器进行快速无限次再编程，且操作方法简单容易实现、成本低。
一种磁性存储器进行磁场辅助编程操作方法

[发明专利]相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法-CN200910053040.1有效
发明人：吴良才;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提出一种相变和阻变合二为一实现多态存储的存储器单元及方法，即由相变材料和具有阻变特性的金属氧化物(简称阻变材料)组成叠层存储单元结构实现多态存储。二者结合可以产生三个及三个以上的阻态，从而实现多态存储。器件单元结构由上电极、存储介质(由相变材料和阻变材料形成的两层及两层以上叠层结构)、导电塞、底电极、衬底等组成。本发明的目的是提出一种实现多态存储的方法及器件结构和相应的制作方法，利用相变材料的相变和阻变材料的阻变来达到多态存储。
相变合二为一实现存储存储器单元方法

[发明专利]一种存储器及存储器修复方法-CN202111582500.7在审
发明人：魏凯;周亚星;何世坤;徐晓波 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器，包括存储区、失效记录区和修复电路；存储区设置有冗余位元；失效记录区设置有多态位元，多态位元用于记录存储区中失效位元的位置信息；修复电路用于根据位置信息通过冗余位元对失效位元进行修复由于多态位元代表三进制或者其他进制，使用多态位元存储信息相较于传统的二级制可以存储更多的信息，从而在修复时所用修复位少于传统修复方式，修复效率高，消耗资源少，同时在芯片工作过程中，也可进行即时修复，提高芯片可靠性本发明还提供了一种存储器修复方法，同样具有上述有益效果。
一种存储器修复方法

[发明专利]以比值为状态导向的存储方式及电路-CN200510026409.1有效
发明人：林殷茵;洪洋;汤庭鳌;陈邦明 -专利权人：复旦大学;硅存储技术公司
申请日： 2005-06-02 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器技术领域，具体为存储器中实现多态存储的一种独特的存储方式及其相关电路。这种独特的多态存储方式，基于一种特定的元器件。该器件具有编写为多种电阻值(或电荷值等)的能力，例如：相变存储器中的相变电阻，以及铁电存储器中的金属—铁电—绝缘体—半导体结构等。而实现这种存储方式时，存储器使用的单元电路也具有特定的结构要求。在这种结构下实现的独特多态存储方式，兼有抗干扰能力强和存储密度高的优点。
比值状态导向存储方式电路

[发明专利]基于薄膜晶体管结构的光电编程多态存储器及其制备方法-CN201911332415.8有效
发明人：丁士进;裴俊翔;吴小晗;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-12-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于薄膜晶体管结构的光电编程多态存储器及其制备方法。本发明通过在浮栅薄膜晶体管俘获层中引入多种钙钛矿量子点，实现在光电编程条件下的多态存储器。低温原子层沉积制备氧化铝阻挡层；溶液法制备钙钛矿量子点,并均匀旋涂于阻挡层上；低温原子层沉积制备氧化铝隧穿层；磁控溅射生长IGZO沟道层，并光刻形成沟道图形；第二次光刻，电子束蒸发Ti/Au源漏电极，得到光电可编程的多态存储器本发明可实现在电压编程过程中通过改变波长光照实现存储器的多态存储行为。本发明为多态存储、光电探测、柔性电子等领域的研究开发提供了解决思路。
基于薄膜晶体管结构光电编程存储器及其制备方法

[发明专利]用于高密度存储器的磁电部件-CN02825450.3无效
发明人：赫伯特·戈伦克因;尼古拉斯·D·里佐;布拉德利·N·恩戈尔 -专利权人：自由度半导体公司
申请日： 2002-12-13 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁电部件，包括用于产生第一磁场的第一电流线(120，520，620，820)，磁存储器单元(140，540，640，740，840)，和用于产生第二磁场且基本平行于第一电流线的第二电流线(170，470该磁存储器单元包括具有靠近第一电流线，使得多态存储器层发出的磁通量基本被限制成围绕第一电流线的结构的多态存储器层。第二电流线靠近多态存储器层的一部分设置。
用于高密度存储器磁电部件

[发明专利]一种多态存储的方法、多态存储器以及存储介质-CN202111254017.6在审
发明人：商显涛;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种多态存储的方法、多态存储器以及存储介质。重金属层产生目标自旋流，自由层的磁场响应于目标自旋流产生第一自旋轨道力矩，使反铁磁层在第一自旋轨道力矩的作用下由第一反铁磁层磁矩切换为第二反铁磁层磁矩，使自由层的第一自由层磁矩切换为第二自由层磁矩，以使多态存储器的阻态由第一阻态切换为第二阻态，从而实现了通过控制电流的大小来实现多阻态的存储，并且由于电流的大小更加容易控制，使得这种控制方式比较容易得到更加稳定的多个阻态，降低了多态存储实现的难度。
一种存储方法存储器以及介质

[发明专利]一种自旋霍尔效应辅助写入的多态磁性随机存取存储器位元及自旋霍尔效应辅助写入方法-CN201610421803.3在审
发明人：李辉辉;孟皓;蒋信;刘少鹏;戴强;刘波 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种自旋霍尔效应辅助写入的多态磁性随机存取存储器位元及自旋霍尔效应辅助写入方法，该存储位元包括由两个磁性隧道结组成的多态存储单元，与其中一个磁隧道结自由层相连的自旋霍尔效应金属层，以及由字线、基于该自旋霍尔效应辅助位元组成的多态磁性随机存取存储器既具有磁性随机存取存储器(MRAM)的读取速度快、可无限次擦写、能耗低和抗辐照等优点，又可以通过自旋霍尔效应辅助快速实现多态信号的写入，可以在一个存储单元里面记录3个或4个比特的信息，有效地提高了数据存储密度，降低了芯片面积。
一种自旋霍尔效应辅助写入磁性随机存取存储器位元方法

[发明专利]基于BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF‑TrFE)的多态存储器件及制备方法-CN201710666002.8在审
发明人：毛巍威;李兴鳌;王兴福;楚亮;张健;薛洪涛;束华中 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了基于BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF‑TrFE)的多态存储器件及制备方法。所述存储器件由衬底、底电极、多态存储层和顶电极组成，器件单元为三明治结构，多态存储层采用10％镍掺杂的铁酸铋BiFe0.9Ni0.1O3和聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯共聚物P(VDF‑TRrE)的复合薄膜。这样得到基于BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF‑TrFE)复合薄膜的多态存储器件，该存储器件可以表现出两个磁化态和两个极化态，分别代表四种信息记录状态。
基于 bife0 ni0 o3 vdf trfe 存储器件制备方法

[发明专利]应用于电力自动化系统中的多态数据采集及处理方法-CN200910082570.9有效
发明人：葛亮;朱建;王立鼎;周俊;郭庆武;王海力;李自强 -专利权人：北京四方继保自动化股份有限公司;北京四方继保工程技术有限公司
申请日： 2009-04-27 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于电力自动化系统领域的稳态数据(能量管理系统采集)、动态数据(广域测量系统采集)、暂态数据(故障信息系统采集)等多态数据采集及其处理方法。该方法通过量测多源的模式，对多态数据统一进行索引，利用实时数据库表集存储技术，结合对等式和C/S模式的访问方式，实现多态数据的采集及处理，既实现了电力系统多态数据在一体化集成系统的有效存储和索引，也保证了网络和数据传输的高效可靠性，从而实现了按对象访问管理多态数据的统一接口，为进一步的数据分析处理提供了底层支持，为智能化调度系统的建设创造了条件。
应用于电力自动化系统中的数据采集处理方法

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