|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 3487187个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]三维电极的制备方法-CN202211073915.6在审
-
尚帅;郄立伟;王天宇;裴志强;李永增;赵黎明;张琳琳
-
北京晨晶电子有限公司
-
2022-09-02
-
2022-12-20
-
H01L21/283
- 本发明涉及半导体技术领域，提供一种三维电极的制备方法，包括：制作晶圆掩膜版，其中，晶圆掩膜版设有多个第一镂空图形，每个第一镂空图形的形状与电极的横截面形状相匹配，每个第一镂空图形的位置与电极在待镀膜晶圆上的目标位置相同；将晶圆掩膜版与待镀膜晶圆的表面临时键合；在待镀膜晶圆与第一镂空图形相对的位置蒸镀电极。本发明提供的三维电极的制备方法，通过制作晶圆掩膜版，并将晶圆掩膜版与待镀膜晶圆的表面临时键合，使晶圆掩膜版与待镀膜晶圆之间没有缝隙且不会相对移动，实现了电极在待镀膜晶圆上的亚微米级的精准布局，进而减小了蒸镀的电极位置与目标位置的差距，提高了在待镀膜晶圆上制备三维电极的精准性。
- 三维电极制备方法
- [发明专利]一种晶圆切割方法-CN202111125517.X在审
-
严立巍;符德荣;李景贤
-
浙江同芯祺科技有限公司
-
2021-09-24
-
2022-01-18
-
H01L21/78
- 本发明提出了一种晶圆切割方法，包括：S100，在晶圆的第一表面完成金属元件制备后，制备聚亚酰胺网格，聚亚酰胺网格的镂空区域对应为切割道位置；S200，对准切割道在晶圆的第一表面制备第一沟槽；S300，在晶圆的第一表面贴附研磨胶带，对晶圆的第二表面进行减薄处理，并完成第二表面的元件制备工艺；S400，以第一沟槽为参考，在晶圆的第二表面对应位置制备第二沟槽；S500，在晶圆的第二表面制备金属镀层；S600，以第二沟槽为参考，沿第二沟槽制备第三沟槽，且使第三沟槽与第一沟槽连通，以切断晶圆。通过在晶圆的第一表面制备第一沟槽，可以从第二表面识别第一沟槽以进行第二沟槽切割，金属镀层可以部分沉积于第二沟槽中，提高了晶圆切割的便利性。
- 一种切割方法
|
