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[发明专利]堆叠式半导体装置及其冷却方法-CN202210038666.0在审
发明人：张任远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种堆叠式半导体装置包括冷却结构以增加堆叠式半导体装置的冷却效率。冷却结构包括整合至堆叠式半导体装置中的各种类型的冷却元件，各种类型的冷却元件用以移除和/或耗散来自堆叠式半导体装置的晶片的热量。以此方式，冷却结构通过从堆叠式半导体装置移除和/或耗散热量来减少装置故障且允许堆叠式半导体装置操作在更高电压、更高速度和/或其他增加的性能参数。
堆叠半导体装置及其冷却方法

[发明专利]堆叠式封装件与其制造方法-CN201210554882.7无效
发明人：李泓达;张鹤议 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种堆叠式封装件与其制造方法，所述堆叠式封装件包括基板、堆叠结构以及至少一导电带。堆叠结构位于基板上，堆叠结构具有一顶面以及多面侧壁，且堆叠结构包括多个导电图案层，其中侧壁裸露出导电图案层。本发明的堆叠式封装件所具有的导电带可以电性连接不同的半导体元件。
堆叠封装与其制造方法

[发明专利]堆叠式封装结构-CN201110402818.2在审
发明人：金容勋;李稀石;辛成浩;俞世浩;李允熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：提供了一种堆叠式封装结构。该堆叠式封装结构包括堆叠式封装件以及围绕该堆叠式封装件的侧表面和顶表面的电磁屏蔽层，所述堆叠式封装件包括：下半导体封装件；上半导体封装件，设置在下半导体封装件上，并与下半导体封装件隔开预定距离；封装件间连接部
堆叠封装结构

[发明专利]堆叠式封装结构-CN201610994219.7在审
发明人：林柏均 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种堆叠式封装结构，包含第一板状结构与第二板状结构。第一板状结构具有相对的第一面与第二面。第一板状结构包含第一介电层与第一电子元件。第二板状结构具有相对的第三面与第四面。第三面面对第二面，且第三面固定于第二面。第二板状结构包含第二介电层与至少一第二电子元件。通过缩短第一、第二、第三电子元件间的信号传递路径，第一、第二、第三电子元件仅需要较短的时间便能互相沟通，于是堆叠式封装结构的整体运作效率能有效提升。
堆叠封装结构

[发明专利]堆叠式封装结构-CN200610168877.7有效
发明人：李龙吉 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种堆叠式封装结构，该封装结构至少包括：一基板，具有相对的第一表面及第二表面；至少一芯片，配置在基板的第一表面上，并与基板的第一表面电性连接；复数个电性连接元件，配置在基板第一表面的周围，其中每一电性连接元件高于芯片
堆叠封装结构

[发明专利]堆叠式电容结构-CN201610633299.3有效
发明人：黄凯易;林圣纮;简育生;叶达勋 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种堆叠式电容结构包含金氧半变容器与堆叠电容器，堆叠电容器电性连接金氧半变容器。金氧半变容器包含基板、栅极、第一源/漏极与第二源/漏极。基板具有阱区，栅极位于阱区上。堆叠电容器包含多个金属层，彼此相间隔地堆叠于栅极的上方，且位于一电感性元件的下方。
堆叠电容结构

[发明专利]堆叠式电池结构-CN201880046518.5有效
发明人：堀部晃启;渡边敬仁;末冈邦昭 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01M10/0583 文献下载
摘要：公开了一种与电池结构有关的技术。制备基础衬底和具有支撑衬底的电池层。电池层包括形成在支撑衬底上的保护层，形成在该保护层上的薄膜电池元件以及覆盖该薄膜电池元件的绝缘体。还公开了包括基础衬底和两个或更多个电池层的堆叠式电池结构。
堆叠电池结构

[发明专利]堆叠式封装结构-CN200710160064.8无效
发明人：陈建宏 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆叠式封装结构，包括一第二封装体利用多个第二导电焊球堆叠于一第一封装体上。
堆叠封装结构

[发明专利]堆叠式封装结构-CN201310206479.X无效
发明人：蒋然 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式封装结构，涉及电子元件封装技术领域，为了解决顶、底封装件必须协同设计导致的顶部封装件的通用性受限制的问题。该堆叠式封装结构由上至下依次包括：顶部封装件、底部封装件；底部封装件由上至下依次包括：第一衬底基板，以及第二衬底基板，第一衬底基板的一面设有焊盘，焊盘与顶部封装件电气连接；第一衬底基板的另一面设有芯片；
堆叠封装结构

[实用新型]堆叠式封装结构-CN201420084358.2有效
发明人：蔡坚;朱旬旬;陈瑜;王谦 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种堆叠式封装结构，该堆叠式封装结构包括：基板；至少一个第一芯片，该第一芯片配置于所述基板上，并通过引线键合方式电连接至所述基板；支撑结构，该支撑结构配置于基板上，并且该支撑结构的高度高于所述至少一个第一芯片与基板之间形成的键合引线线弧的最大高度；以及第二芯片，该第二芯片配置于所述支撑结构上，并通过引线键合方式电连接至基板，其中所述第二芯片与所述支撑结构形成桥状结构，以及所述第一芯片的全部或部分置于所述桥状结构所形成的空腔中。
堆叠封装结构

[实用新型]堆叠式茶壶结构-CN201120514077.2有效
发明人：陈文昌 -专利权人：陈文昌
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： A47G19/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种堆叠式茶壶结构，于茶壶的第一开口设有第一卡合部，于水杯的第三开口设有一第二卡合部，于水杯底设有一第一扣接部，于杯盖底设有第二扣接部，当第一卡合部卡合第一扣接部，第二卡合部卡合第二扣接部时，可让茶壶、水杯及杯盖呈现堆叠状，以供使用人方便置放和收纳，当第一扣接部卡合第二扣接部，可使杯盖作为杯垫之用，如此一来可解决习知所造成的容器摆放较占空间的问题。
堆叠茶壶结构

[实用新型]堆叠式电池结构-CN201720009584.8有效
发明人：武维扬 -专利权人：武维扬
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01M2/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种堆叠式电池结构，是由堆叠的多个电池单元所构成，每个电池单元包括间隔有隔离板的正极板与负极板，其中的正极板具有正极耳、负极板具有负极耳，且其正极耳与负极耳不重叠地错位配置，以便得将那些电池单元的正极耳与负极耳分别地电性连接为电池的正电极与负电极
堆叠电池结构

[实用新型]堆叠式橱柜结构-CN200520103715.6无效
发明人：张建国 -专利权人：张建国
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： A47B87/02 文献下载
摘要：一种堆叠式橱柜结构，其主要包含：至少一橱柜本体，其为一中空的橱柜体，其内具有空间以容置物品者，其中，该橱柜本体的底部设有连接部；数支撑脚，该支撑脚上设有一定位端，可活动组装于该插入该橱柜本体的连接部；据此，该橱柜本体可单独与支撑脚组合成单一橱柜使用，更可以将数个橱柜本体通过该连接部的设置，堆叠成一体使用。
堆叠橱柜结构

[发明专利]热像及薄膜电池制造-CN201680027089.8在审
发明人：秉-圣·利奥·郭;埃里克·恩格;立钟·孙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01M6/40 文献下载
摘要：一种制造薄膜电化学装置的方法可包括以下步骤在基板上沉积膜堆叠结构，所述膜堆叠结构包括阴极集电体(CCC)、阴极、电解质、阳极及阳极集电体(ACC)；对堆叠结构进行激光裸片图案化以形成已裸片图案化的堆叠结构；对已裸片图案化的堆叠结构进行激光图案化以暴露出已裸片图案化的堆叠结构中的每一个已裸片图案化的堆叠结构的CCC层及ACC层中的至少一个的接触区域，对已裸片图案化的堆叠结构进行激光图案化的步骤形成装置堆叠结构；在元件堆叠结构上沉积毯覆式封装层；对毯覆式封装层进行激光图案化以暴露出装置堆叠结构中每一个装置堆叠结构的ACC层及CCC层的接触区域，毯覆式封装层的激光图案化步骤形成已封装的装置堆叠结构；及通过对装置堆叠结构及已封装的装置堆叠结构中的一个或多个进行热像分析以识别热点
薄膜电池制造

[发明专利]半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法-CN202010710070.1在审
发明人：崔康植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：半导体存储器装置包括：第一堆叠，包括彼此分离的并且堆叠在衬底上以形成下部阶梯式结构的下部导电图案；支撑柱，穿过第一堆叠并且包括绝缘层；第二堆叠，包括彼此分离的并且被堆叠在第一堆叠上的上部导电图案，上部导电图案包括不与下部阶梯式结构和支撑柱重叠的上部阶梯式结构；沟道结构，穿过第二堆叠和第一堆叠；以及存储器层，包围沟道结构的侧壁。
半导体存储器装置制造方法

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