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[发明专利]二极管标准单元电路结构及版图结构-CN202210624911.6在审
发明人：虞蓓蕾 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管标准单元电路结构，包括：负极相连的第一类型二极管和第二类型二极管；第一类型二极管由第一类型注入层和第二类型阱组成，其正极是连接受天线效应影响的CMOS器件的栅极，其负极是连接第二类型二极管的负极；第二类型二极管由第二类型注入层与第一类型阱形成，其正极连接第一类型阱，其负极是连接第一类型二极管的负极。本发明中的第一类型二极管能起到对第二类型二极管反偏截至的作用，避免漏电的产生。
二极管标准单元电路结构版图

[发明专利]一种不同管径U型管换热器-CN201410627871.6在审
发明人：殷敏伟 -专利权人：无锡市豫达换热器有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： F28D7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种不同管径U型管换热器，包括介质进口、隔板、板管、折流板、一类U型管、挡板、二类U型管、管箱、介质出口、壳体隔板和壳体，所述壳体左侧设有管板，管板左侧设有管箱，管箱上端设有介质进口，介质进口下方设有隔板，隔板下设有介质出口，所述管板上设有壳体隔板，管板上设有一类U型管和二类U型管，所述一类U型管与二类U型管是两种管径不同的U型管，所述壳体内设有折流板，壳体右上方设有挡板，利用两种管径不同的一类U形管和二类U型管胀接在管板上，当介质不足时，因为一类U型管的管径较小，这样就可以使介质充满管身，进而保证了换热器的换热面积，提高了在介质不足时换热器的换热效率。
一种不同换热器

[发明专利]集成电路-CN201910814741.6在审
发明人：卢麒友;江庭玮;庄惠中;苏品岱;高章瑞;苏郁迪;马伟翔;黄俊嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种集成电路包括第一类型一晶体管、第二类型一晶体管、第三类型一晶体管、及第四类型一晶体管。第一类型一晶体管及第三类型一晶体管是在类型一主动区域的第一部分中。集成电路包括在类型二主动区域的第一部分中的第一类型二晶体管。第一类型一晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第一电源的第一电源电压。第一类型二晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第一电源的第二电源电压。第三类型一晶体管具有栅极，此栅极设置为具有第二电源的第一电源电压。第三类型一晶体管具有与第一类型一晶体管的主动区域导电地连接的第一主动区域。
集成电路

[发明专利]包括集成标准单元结构的集成电路-CN202011192165.5在审
发明人：俞炫圭;金仁谦;梁箕容;柳志秀;林辰永;郑学澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路包括：第一标准单元，包括第一第一类型晶体管、第一第二类型晶体管、第三第二类型晶体管和第三第一类型晶体管；第二标准单元，包括第二第一类型晶体管、第二第二类型晶体管、第四第二类型晶体管和第四第一类型晶体管所述第一第一类型晶体管的源极接触和所述第二第一类型晶体管的源极接触通过所述多个布线层的第一电源轨电连接，并且所述第三第一类型晶体管的源极接触和所述第四第一类型晶体管的源极接触通过多个布线层的第二电源轨电连接
包括集成标准单元结构集成电路

[实用新型]U型管类工件的振动落砂夹具-CN202120137735.4有效
发明人：陈立;陶水江;毛臣超;徐松 -专利权人：庆铃汽车（集团）有限公司;重庆庆铃铸铝有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： B22D29/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种U型管类工件的振动落砂夹具，包括安装支架和夹具板，所述夹具板和安装支架安装，所述夹具板板面上设置有用于对U型管类工件端部进行支撑的第二定位块以及用于对U型管类工件侧边进行限位的第一定位块，当U型管类工件安装在夹具板上振动落砂时，所述夹具板倾斜设置，U型管类工件一端和第二定位块抵靠，U型管类工件另一端位于第一定位块和第二定位块之间。本方案能够有效的实现U型管类工件的落砂，所需成本低，且U型管类工件在振动落砂夹具上安装方便。
型管类工件振动夹具

[发明专利]三极管-CN201310456663.X有效
发明人：郑志男 -专利权人：天钰科技股份有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种三极管，包括第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。
三极管

[发明专利]三极管-CN201310456033.2有效
发明人：郑志男 -专利权人：天钰科技股份有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种三极管，包括第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域之间形成一导电通道。
三极管

[实用新型]一种半导体测试结构-CN201620515398.7有效
发明人：张燕峰;孙艳辉;张冠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体测试结构，包括衬底、第一类型掺杂阱区及MOS管；所述第一类型掺杂阱区形成于所述衬底上部；所述MOS管包括形成于所述第一类型掺杂阱区中的第二类型掺杂源区、第二类型掺杂漏区以及第一栅极结构；其中：所述第一类型掺杂阱区中还形成有与所述第二类型掺杂漏区相连的第二类型掺杂阱区；所述第二类型掺杂阱区中形成有与所述第二类型掺杂漏区分离设置的第一类型掺杂区；所述第一类型掺杂区、第二类型掺杂阱区及所述第一类型掺杂阱区构成双极晶体管本实用新型通过双极晶体管与CMOS的结合，实现了小电流的放大，形成简化放大电路。通过CMOS电路中的双极晶体管放大作用，可以实现窄沟道器件NBTI/HCI的准确测量。
一种半导体测试结构

[实用新型]一种气体输送管道及发动机-CN202120649800.1有效
发明人：侯晓良 -专利权人：潍柴动力股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： F01N13/08 文献下载
摘要：其中，气体输送管道包括管体，以及设置于管体上的第一类型开口、多个第二类型开口和多个四分之一波长管；多个第二类型开口沿管体的轴向长度方向间隔排列；至少部分四分之一波长管的有效轴向长度不同；沿管体的轴向长度方向，四分之一波长管远离第一类型开口一侧的第二类型开口的个数越多，四分之一波长管的有效轴向长度越短；其中，第一类型开口为进气口，第二类型开口为出气口；或者，第一类型开口为出气口，第二类型开口为进气口。
一种气体输送管道发动机

[发明专利]一种双向静电放电保护器件-CN201711465440.4有效
发明人：汪广羊 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种双向静电放电保护器件，所述双向静电放电保护器件包括第一类型掺杂区、第一第二类型掺杂区、第二第二类型掺杂区、以及第一二极管和第二二极管，其中，所述第一类型掺杂区为形成于所述第一第二类型掺杂区和所述第二第二类型掺杂区外侧的环状结构，所述第一二极管的负极连接所述第一类型掺杂区，所述第一二极管的正极与所述第一第二类型掺杂区共同连接第一端口，所述第二二极管的负极连接所述第一类型掺杂区，所述第二二极管的正极与所述第二第二类型掺杂区共同连接第二端口
一种双向静电放电保护器件

[发明专利]电荷泵架构-CN202111227580.4在审
发明人： O·阿克尔;马可·帕塞里尼 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G05F3/02 文献下载
摘要：本文公开了仅通过NMOS类型晶体管连接相邻级的升压电容器的电荷泵架构，并且该电荷泵架构包括：接收第一电压并输出内部电压的第一级；接收内部电压并且在输出端子处输出第二电压的第二级；以及连接至输出端子的辅助级，第一级和第二级包括：将来自输入节点的电压传送至内部升压节点并交叉联接的第一类型的MOS晶体管；具有由第三类型的MOS晶体管和第四类型的MOS晶体管偏置的栅极的第二类型的MOS晶体管；连接第二类型的MOS晶体管的栅极的第三类型的MOS晶体管；以及连接第二类型的MOS晶体管的栅极的第四类型的MOS晶体管。
电荷架构

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201910882122.0有效
发明人：卡迪尔贝德·姆鲁诺·阿比基斯;奥野泰利;蔡邦彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：选择性地形成第一介电层，从而使得第一介电层形成在第一类型晶体管的源极/漏极区域上方，但不形成在第二类型晶体管的源极/漏极区域上方。第一类型晶体管和第二类型晶体管具有不同类型的导电性。选择性地形成第一硅化物层，从而使得第一硅化物层形成在第二类型晶体管的源极/漏极区域上方，但不形成在第一类型晶体管的源极/漏极区域上方。去除第一介电层。在第一类型晶体管的源极/漏极区域上方形成第二硅化物层。本发明的实施例还涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。
半导体器件制造方法

[发明专利]训练诊断分析仪模型的设备和方法-CN202080076081.7在审
发明人： R·R·P·纳拉姆文卡特;B·S·波拉克;张耀仁;V·纳拉辛哈墨菲;V·辛赫;A·卡普尔 -专利权人：美国西门子医学诊断股份有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B01L3/14 文献下载
摘要：一种训练诊断设备的模型的方法包括：在诊断设备中提供第一类型的一个或多个第一管组件和第二类型的一个或多个第二管组件；使用成像装置捕获一个或多个第一管组件和第二管组件中的每一个的至少一部分的一个或多个第一图像训练模型包括基于一个或多个第一图像和一个或多个第二图像来标识第一类型的管组件和第二类型的管组件。第一类型的管组件被分组为第一组，并且第二类型的管组件被分组为第二组。公开了其他方法和设备。
训练诊断分析模型设备方法

[实用新型]光电二极管、投射器模组及电子设备-CN201921959083.1有效
发明人：王志;毛信贤 -专利权人：南昌欧菲生物识别技术有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本申请提供一种光电二极管、投射器模组及电子设备。光电二极管包括导电基板、第一电极层、第一类型半导体层、第二类型半导体层、第三类型半导体层、及第二电极层。第一电极层设置于导电基板上，第一类型半导体层设置于第一电极层背离导电基板的一侧且与第一电极层电连接，第二类型半导体层设置于第一类型半导体层背离第一电极层的一侧，第三类型半导体层嵌设在第二类型半导体层内或设置于第二类型半导体层背离第一类型半导体层的一侧，第二电极层设置于第三类型半导体层的表面并与第三类型半导体层电连接。本申请设置了导电基板可防止光电二极管通过导电胶体封装于电路中时，导电胶体对光电二极管侧壁形成爬胶的现象，从而提升光电二极管的良率。
类型半导体光电二极管第一电极导电基板导电胶体第二电极背离电连接电子设备投射器侧壁封装良率模组申请电路

[发明专利]用于分离同一半导体管芯上的不同晶体管区的隔离结构-CN202310403144.0在审
发明人：马凌;R·哈泽;T·亨森 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的外延层或层堆叠；多个第一类型的晶体管单元，所述多个第一类型的晶体管单元形成在所述外延层或层堆叠的第一区中并且并联电耦合以形成垂直功率晶体管；多个第二类型的晶体管单元，所述第二类型不同于所述第一类型，并且所述多个第二类型的晶体管单元形成在所述外延层或层堆叠的第二区中；以及隔离结构，所述隔离结构横向且垂直地界定所述外延层或层堆叠的所述第二区。所述隔离结构的侧壁和底部包括电介质材料，所述电介质材料将所述外延层或层堆叠中的所述多个第二类型的晶体管单元与所述多个第一类型的晶体管单元电隔离。还描述了制造半导体器件的方法。
用于分离同一半导体管芯不同晶体管区隔离结构

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