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[发明专利]晶化设备、用于晶化设备的光学部件、晶化方法、薄膜晶体管和显示器-CN03147124.2无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;山口弘高;西谷干彦;辻川晋;木村嘉伸;十文字正之 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种晶化设备，包括照射移相掩模(1)的发光光学系统(2)，其用具有反转峰型强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)以产生结晶半导体膜，反转峰型强度分布在相应于移相掩模(1)的移相部分的点具有最小的光强。会聚/发散元件(3)设置在发光光学系统(2)和移相掩模(1)之间的光径上。会聚/发散元件(3)把自发光光学系统(2)提供的光束转换为具有向上凹入强度分布的光束以照射移相掩模(1)，其中在移相部分光强最低并且随着远离移相部分光强增加。
设备用于光学部件方法薄膜晶体管显示器

[发明专利]一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法-CN201110409784.X无效
发明人：李海亮;谢常青;刘明;史丽娜;朱效立;李冬梅 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，首先按照常规极紫外光刻掩模的制作方法制作出多层膜反射镜，再利用微纳米加工工艺技术在电子束抗蚀剂上制作出移相层结构，并大面积沉积吸收体材料铬，最后各向异性刻蚀吸收体材料铬，仅留下衰减型移相层材料铬侧墙，从而得到用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模。其中所述的铬侧墙衰减型移相掩模通过一次电子束曝光、两次磁控溅射沉积多层膜反射层和移相层、一次大面积原子层沉积材料铬、一次各向异性刻蚀材料铬获得的。本发明在移相层两侧添加了铬侧壁墙，通过该铬侧壁墙抑制极紫外光刻中的曝光阴影和衍射效应，起到比传统的衰减型移相掩模更为有效的分辨率增强功能。
一种制作用于紫外光刻铬侧墙衰减型移相掩模方法

[发明专利]曝光方法和网目调型移相掩模-CN200810181238.3无效
发明人：谷口幸夫 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供对曝光对象面进行曝光用的方法和在该方法中被使用的网目调型移相掩模。网目调型移相掩模具有容许从光源发射的光通过的基准区域和容许上述光的一部分通过的振幅相位调制区域。网目调型移相掩模的振幅相位调制区域对于基准区域的相位调制量是{360°×n+(182°～203°)}(n是整数)。
曝光方法网目调型移相掩模

[发明专利]曝光方法和网目调型移相掩模-CN200610073208.1无效
发明人：谷口幸夫 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供对曝光对象面进行曝光用的方法和在该方法中被使用的网目调型移相掩模。网目调型移相掩模具有容许从光源发射的光通过的基准区域和容许上述光的一部分通过的振幅相位调制区域。网目调型移相掩模的振幅相位调制区域对于基准区域的相位调制量是{360°×n+(182°～203°)}(n是整数)。
曝光方法网目调型移相掩模

[发明专利]用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模制作方法-CN200610003068.0无效
发明人：谢常青;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2006-02-08 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：一种用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模制作方法，其工艺步骤如下：1.在熔石英衬基表面上淀积衰减型移相层薄膜；2.在衰减型移相层薄膜表面上甩电子束光刻胶，并进行电子束光刻、显影；3.各向异性刻蚀衰减型移相层薄膜；4.去除电子束光刻胶；5.在衰减型移相层薄膜表面上大面积淀积吸收体材料铬；6.各向同性刻蚀吸收体材料铬；7.清洗；8.特征尺寸及相对定位测量；9.缺陷检测与修补；10.衰减型移相器检测；11.安装表面粘贴膜，完成侧墙铬衰减型移相掩模的制作。
用于 193 nm 光学光刻侧墙铬衰减型移相掩模制作方法

[发明专利]移相掩模的制作方法-CN95104070.7无效
发明人：咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-03-11 - 公布日： 1996-01-24 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：公开一种移相掩模的制作方法。为了制造移相掩模，在石英基片的遮光部分上形成蚀刻凹槽，然后在蚀刻凹槽的中心位置形成铬。该移相掩模不使用移相材料而产生移相效果，由此提高光的对比度。
移相掩模制作方法

[发明专利]借由蚀刻掩模多侧的半导体设备分辨率增强-CN201310674054.1在审
发明人： G·宁;C·王;P·阿克曼;S·坦格拉朱 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及借由蚀刻掩模多侧的半导体设备分辨率增强，所揭示的是一种掩模，其包括置于掩模的第一侧上的多个第一相移区、以及置于掩模的第二侧上的多个第二相移区。第一相移区和第二相移区可为交替的相移区，其中第一相移区的相移与第二相移区的相移具有例如180度的相差。还揭示一种用于形成掩模的方法、以及使用掩模的半导体制造方法。
蚀刻掩模多侧半导体设备分辨率增强

[发明专利]移相掩模-CN200610144785.5无效
发明人：谷口幸夫;松村正清;木村嘉伸 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光线用的移相掩模，其中，掩模图形具有至少由不少于3条的移相线构成的交点，以该交点为中心的圆形区域的复数透射率的积分值大致为0。
移相掩模

[发明专利]移相光栅标记及利用该标记检测光刻机成像质量的方法-CN200610116544.X有效
发明人：马明英;王向朝;王帆 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种移相光栅标记，其包括密集线条标记，该移相光栅标记形成在光刻机系统的掩模上，所述移相光栅标记还包括线宽较小的精细型线条标记。本发明还提供一种利用移相光栅标记检测光刻机成像质量的方法，包括将掩模上的移相光栅标记通过光刻机系统曝光到基板上；所述的方法还包括如下步骤：检测曝光到基板上的移相光栅标记的成像位置偏移量；利用成像位置偏移量计算光刻机的垂轴成像质量参数与现有技术相比，由于精细型线条标记线宽较小，使移相光栅标记的成像位置偏移量受投影物镜彗差影响更加明显。本发明克服了光刻机垂轴成像质量参数检测不全面的缺点，简化了光刻机垂轴成像质量的检测过程。
光栅标记利用检测光刻成像质量方法

[发明专利]移相掩模板结构及其制造方法-CN201010250531.8有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-08-11 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提出一种移相掩模板结构及其制造方法，该移相掩模板结构包括：掩模板基板；移相消光层，设置于所述掩模板基板上；选择性外延淀积保护膜，设置于所述移相消光层上，其中所述选择性外延淀积保护膜为二氧化硅，多晶硅本发明提出的移相掩模板结构及其制造方法，省略了常规掩模板使用的金属铬，降低了制造成本而且依靠选择性外延淀积技术，用对移相层具有高湿法刻蚀选择比的材料取代金属铬，降低二次干法刻蚀工艺操作对掩模板产生的损伤，提高掩模板性能和成品率。
移相掩模板结构及其制造方法

[发明专利]在印刷与大特征相邻的紧密空间时采用第二曝光辅助PSM曝光-CN03149796.9有效
发明人： C·皮埃拉 -专利权人：数字技术公司
申请日： 2003-08-05 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的一个实施例提供一种系统，其采用通过第二掩模的曝光而在印刷与大特征相邻的紧密空间时帮助通过移相掩模的曝光。在操作期间，该系统通过移相掩模对半导体晶片表面上的光刻胶层进行曝光。该移相掩模包括限定第一特征和第二特征之间的空间的移相器，其中第一特征足够大，使得在限定该空间时移相的效率降低。而且，当曝光仅通过移相掩模时，移相的降低和空间的紧密性使该空间不能可靠地印刷。为解决该问题，该系统通过第二掩模对光刻胶层进行曝光，其中在曝光第一特征和第二特征之间的空间时，通过第二掩模的曝光起到辅助作用，因此可以可靠地印刷该空间。
印刷特征相邻紧密空间采用第二曝光辅助 psm

[发明专利]掩模及其制造方法和用该掩模制造微透镜的方法-CN200710136896.6无效
发明人：李峻硕 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-07-23 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩模及其制造方法和用该掩模制造微透镜的方法，该掩模包括：透明掩模，由掩模图案区限定；以及掩模图案，位于掩模图案区上，包括第一相移层以及位于第一相移层上的第二相移层，第一相移层具有第一透射率而第二相移层具有第二透射率借助本发明，通过叠置至少两个具有彼此不同的透射率的相移层来形成用以形成CMOS图像传感器中微透镜的相移掩模，使得当用该相移掩模形成微透镜时微透镜能够具有均匀大小并且微透镜能够具有均匀曲率而与掩模图案阵列的位置无关
及其制造方法透镜

[发明专利]移相掩模及其制造方法-CN96191933.7无效
发明人：悳昭彦;小林良一;吉冈信行;渡壁弥一郎;宫崎顺二;成松孝一郎;山下重则 -专利权人：阿尔贝克成膜株式会社;三菱电机株式会社
申请日： 1996-10-23 - 公布日： 1998-02-25 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：移相掩模200的第2光透射部4由透射率为2%以上且小于5%的钼硅化合物的氧化氮化膜或钼硅化合物的氧化膜4构成。在第2光透射部4的制造过程中,用溅射法形成钼硅化合物的氧化膜或钼硅化合物的氧化氮化膜。因此,相对于现有的透射率为5～40的衰减型移相掩模来说,能提高移相掩模的分辨率,能防止由于在抗蚀剂图形的周围生成的旁瓣所造成的抗蚀剂膜的破坏。
移相掩模及其制造方法

[发明专利]光掩模-CN202110016918.5在审
发明人：田中千惠;山田步实;齐藤隆史 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供能够稳定地解像微细的孔图案的光掩模。该光掩模具备：露出透过性基板的透过部；以及包围透过部的、将曝光光的相位反转的第1相移部和第2相移部。第2相移部介于第1相移部与透过部之间，第2相移部对曝光光的透射率比第1相移部的透射率低。另外，第2相移部能够由第1相移部的相移膜与半透过膜的层叠结构而构成。
光掩模

[发明专利]接近式曝光用光掩模-CN202110618642.8在审
发明人：齐藤隆史 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明提供能够将微细的孔图案稳定地析像的光掩模。本光掩模具备露出透过性基板的透过部、以及以包围透过部的方式将曝光光的相位反转的第一相移部和第二相移部。第二相移部介于第一相移部与透过部之间，第二相移部对曝光光的透射率比第一相移部的透射率低。另外，第二相移部可由第一相移部的相移膜与半透过膜的层叠结构构成。
接近曝光用光

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