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[发明专利]高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列-CN202011554812.2有效
发明人：金冬月;潘永安;张万荣;杨绍萌;贾晓雪;周钰鑫;雷鑫;杨滢齐 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，包括：多个垂直腔面发射激光器单元；对于任意两个垂直腔面发射激光器单元，第一垂直腔面发射激光器单元的注入电流大于第二垂直腔面发射激光器单元的注入电流；其中，任意两个垂直腔面发射激光器单元中，第一垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离，大于第二垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离。本发明实施例提供的高均匀结温分布的垂直腔面发射激光器阵列，可在不改变各个垂直腔面发射激光器单元原有台面排布的基础上，实现在较大偏置范围内对垂直腔面发射激光器阵列中结温分布均匀性的有效改善，进而提高其输出光束质量
均匀分布垂直发射激光器阵列

[发明专利]背光发生装置及显示设备-CN202110750697.4在审
发明人：付建锋 -专利权人：广东小天才科技有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种背光发生装置及显示设备，背光发生装置包括：红光垂直腔面发射激光器、绿光垂直腔面发射激光器和蓝光光源，其中，蓝光光源设于红光垂直腔面发射激光器和绿光垂直腔面发射激光器之间，红光垂直腔面发射激光器、绿光垂直腔面发射激光器和蓝光光源的出光面朝向同一侧。本申请提供的背光发生装置包括红光垂直腔面发射激光器、绿光垂直腔面发射激光器和蓝光光源，红光垂直腔面发射激光器和绿光垂直腔面发射激光器的颜色辐射能量较强，半波宽较窄，蓝光光源混搭红光垂直腔面发射激光器和绿光垂直腔面发射激光器
背光发生装置显示设备

[发明专利]出光功率均匀的垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法-CN202011329497.3有效
发明人：金冬月;杨绍萌;张万荣;那伟聪;吴玲;杨滢齐 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01S5/068 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种出光功率均匀的垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该阵列包括：多个垂直腔面发射激光器单元；对于任意两个垂直腔面发射激光器单元，第一垂直腔面发射激光器单元的电阻大于第二垂直腔面发射激光器单元的电阻；其中，任意两个垂直腔面发射激光器单元中，第一垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离，小于第二垂直腔面发射激光器单元与垂直腔面发射激光器阵列中心的距离。本发明实施例提供的出光功率均匀的垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，在垂直腔面发射激光器单元高度集成、不增大阵列的面积和不改变台面排布设计的基础上，能有效改善阵列的结温分布不均，并且能提高出光功率的均匀性和稳定性
功率均匀垂直发射激光器阵列及其制造方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202111014257.9有效
发明人：王延靖;佟存柱;田思聪;汪丽杰;陆寰宇;张新;王立军 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中的垂直腔面发射激光器包括从下至上依次制备的衬底、第一p型接触层、第一垂直腔面发射激光器层、n型接触层、第二垂直腔面发射激光器层和第二p型接触层；其中，第一垂直腔面发射激光器层包括第一有源层，第二垂直腔面发射激光器层包括第二有源层；第二垂直腔面发射激光器层的台面面积小于第一垂直腔面发射激光器层的台面面积；第一垂直腔面发射激光器层的激射波长大于或等于第二垂直腔面发射激光器层的激射波长。相较于现有技术，本发明提供的垂直腔面发射激光器能够在实现光信号高速率输出的同时实现高功率输出。
垂直发射激光器及其制备方法

[实用新型]激光照明装置-CN201420504450.X有效
发明人：咸洋 -专利权人：咸洋
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一类激光照明装置，包括垂直腔面发射激光器阵列散热单元和电控单元，以及在垂直腔面发射激光器阵列光轴方向上放置的透光介质。散热单元除固定垂直腔面发射激光器阵列的作用外，可以保证垂直腔面发射激光器阵列正常工作时的有效散热。所述电控单元可以控制垂直腔面发射激光器阵列的开关及激光发光功率。垂直腔面发射激光器阵列光轴方向上的透光介质，可以改变激光发射的角度，满足不同照明角度的需要。该实用新型解决了现有激光照明技术中半导体激光器光斑需要先进行匀化整形处理，导致光功率损耗，以及垂直腔面发射激光器照明装置照明角度单一的问题。
激光照明装置

[实用新型]一种垂直腔面发射激光器器件-CN202221903832.0有效
发明人：刘嵩;梁栋;张成 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器器件，包括：基板；多个金属层，设置在所述基板上；以及多个垂直腔面发射激光器阵列，每一所述垂直腔面发射激光器阵列包括多个发光单元；其中，每一所述垂直腔面发射激光器阵列与每一所述金属层电性连接通过本实用新型提供的垂直腔面发射激光器器件，能够提高垂直腔面发射激光器器件的发光均匀性。
一种垂直发射激光器器件

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法-CN202110645618.3有效
发明人：梁栋;张成;刘嵩 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法，涉及激光器技术领域，所述垂直腔面发射激光器阵列包括多个垂直腔面发射激光器，所述制备方法包括：在衬底上形成第一外延结构；在所述第一外延结构远离所述衬底的一侧刻蚀形成多个发光孔本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法，以实现不形成台面结构，从而相邻垂直腔面发射激光器可以连续地连接，减小了相邻两个垂直腔面发射激光器之间的距离，增加了垂直腔面发射激光器阵列中垂直腔面发射激光器的设置密度
一种垂直发射激光器阵列及其制备方法

[发明专利]一种能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片的制备方法及芯片-CN202210087489.5在审
发明人：潘冠中;荀孟;孙昀;赵壮壮;周静涛;吴德馨 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开一种能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片的制备方法及芯片，涉及半导体激光器技术领域。能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片的制备方法包括：采用垂直腔面发射激光器作为激光源；通过控制垂直腔面发射激光器的横向模式分布，制备具有不同激射模式的目标垂直腔面发射激光器作为目标激光源；在目标垂直腔面发射激光器表面集成圆锥透镜，以供圆锥透镜对目标激光源发出的光束进行相位调制，确定不同激射模式对应的贝塞尔光束，得到能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片，可以获得集成度高、体积小、重量轻、结构紧凑、能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片
一种能够产生贝塞尔光束集成垂直发射激光器芯片制备方法

[发明专利]激光雷达扫描发射装置及其制备方法-CN202310180009.4在审
发明人：杨一博;孙秀艳;苏艳梅;张冶金 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本公开提供了一种激光雷达扫描发射装置及其制备方法。激光雷达扫描发射装置包括：衬底和多个垂直腔面发射激光器，多个垂直腔面发射激光器阵列排布设置在衬底上；其中，每个垂直腔面发射激光器的顶部发射面上形成向下凹陷并以均匀间隔设置的多个凹槽，且各个垂直腔面发射激光器上的凹槽的周期、占空比及深度中的至少之一互不相同，以使从各个垂直腔面发射激光器发射的激光束的出射角度不同。
激光雷达扫描发射装置及其制备方法

[实用新型]一种红外摄像机组件-CN201320684843.9有效
发明人：刘畅;鲍帅;牛亚北 -专利权人：中国机动车辆安全鉴定检测中心
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种红外摄像机组件，包括：垂直腔面发射激光器、变焦镜头、电机以及同步变焦控制板；所述变焦镜头与所述垂直腔面发射激光器连接；所述电机包括垂直腔面发射激光器电机和变焦镜头电机：所述垂直腔面发射激光器电机与所述垂直腔面发射激光器连接，所述变焦镜头电机与所述变焦镜头连接；所述同步变焦控制板分别与所述垂直腔面发射激光器电机和所述变焦镜头电机连接。本实用新型的红外摄像机组件，垂直腔面发射激光器发射光束的小发散角和圆形对称的远、近场分布使其与光纤的耦合效率大大提高，与多模光纤的耦合效率大于90％。
一种红外摄像机组件

[发明专利]垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法-CN202111642224.9在审
发明人：关宝璐;闻燕;张晓昱;王宏卓;叶文轩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01S5/062 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，提供一种垂直腔面发射激光器阵列结构及其制备方法，垂直腔面发射激光器阵列结构由上至下依次包括偏振选择结构、液晶模块和垂直腔面发射激光器本体，偏振选择结构能够进行单偏振和偏振调控输出，以获得高正交偏振抑制比的偏振开关功能；液晶模块包括与垂直腔面发射激光器本体相对设置的玻璃基板，以及位于所述玻璃基板和所述垂直腔面发射激光器本体之间的衬垫，以及由所述玻璃基板、所述垂直腔面发射激光器本体和所述衬垫组成的液晶腔室，液晶填充在所述液晶腔室内；垂直腔面发射激光器本体用于发射线偏振光。本发明能够解决现有技术中激光器阵列偏振特性差、偏振调控效率低等缺陷，实现光偏振稳定且开关可调。
垂直发射激光器阵列结构及其制备方法

[发明专利]倒装芯片底发射的垂直腔面发射激光器封装及其制作方法-CN201911383033.8在审
发明人：鲍益勤 -专利权人：欧比克半导体公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装芯片底发射的垂直腔面发射激光器封装及其制作方法，其包含:形成一垂直腔面发射激光器柱阵列；对垂直腔面发射激光器柱阵列涂布一介电层，介电层填满柱体之间的沟槽，形成垂直腔面发射激光器柱阵列并覆盖柱体；对垂直腔面发射激光器柱阵列进行平面化，以移除覆盖柱体的介电层，使得柱体一顶表面曝露出一金属层；于柱体一顶表面上的金属层涂布一金属涂层，金属涂层定义垂直腔面发射激光器柱阵列的一接触图案；以及，在金属涂层上涂布焊料以将垂直腔面发射激光器柱阵列倒装到一基板封装上本发明可以消除连接线及连接垫的需求，以减少倒装芯片垂直腔面发射激光器的面积，以及简化后续的光刻及金属相关制程。
倒装芯片发射垂直激光器封装及其制作方法

[实用新型]垂直腔面发射激光器光纤耦合组件-CN201220748469.X有效
发明人：黄华昌 -专利权人：深圳市易飞扬通信技术有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种垂直腔面发射激光器光纤耦合组件包括电路板、陶瓷基板、垂直腔面发射激光器、驱动芯片、光纤固定件及光纤。陶瓷基板设于电路板上。垂直腔面发射激光器设于陶瓷基板与电路板垂直的一侧壁上。驱动芯片设于电路板上，且与电路板电连接，驱动芯片与垂直腔面发射激光器电连接，驱动芯片驱动垂直腔面发射激光器发射激光。光纤固定件设于电路板上，且与陶瓷基板相对设置。光纤的一端固定于光纤固定件上，且光纤的端面与垂直腔面发射激光器的出光口相对设置。上述垂直腔面发射激光器光纤耦合组件中，激光从出光口射出之后，直接进入到光纤内。线路分布范围较小，减少了信号串扰。
垂直发射激光器光纤耦合组件

[发明专利]基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202110186788.X有效
发明人：邵泓焰;曾一平;张杨;崔利杰;崔宁 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器包括传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构和液晶模式调制结构，其中，传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构，用于发射激发模式；液晶模式调制结构，位于所述传统氧化限制型垂直腔面发射激光器结构之上，通过液晶折射率的改变实现对传输光场损耗的影响，从而控制激射模式。本发明还提供了一种用于制备上述基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法。
基于液晶调控垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]基于垂直腔面发射激光器的脉冲驱动电路-CN201810573672.X在审
发明人：刘克富;颜颖颖;邱剑 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明属于半导体激光器驱动电路技术领域，具体涉及基于垂直腔面发射激光器的脉冲驱动电路。本发明结构电路包括垂直腔面发射激光器、储能单元、开关单元、驱动芯片、电流检测单元、充电限流单元以及输入输出接口，这些部件集成在一块电路板上；垂直腔面发射激光器的发光面电极连接到电路板上，储能单元分布在垂直腔面发射激光器四周，开关单元位于垂直腔面发射激光器所在电路板背面；储能单元、垂直腔面发射激光器、电流检测单元以及开关单元通过电路板过孔构成放电回路。本发明利用垂直腔面发射激光器的双层结构以及电路板多层电路结构，可以在激光器周围180度的空间内集成脉冲放电回路，结构简单，分布参数可控，易于产生窄脉冲大电流参数，从而获得高峰值功率的激光窄脉冲。
垂直腔面发射激光器电路板储能单元开关单元电流检测单元脉冲驱动电路放电回路窄脉冲半导体激光器驱动充电限流单元电路技术领域多层电路结构输入输出接口电路板背面高峰值功率部件集成电极连接分布参数集成脉冲结构电路驱动芯片双层结构激光器大电流发光面可控激光

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