“垂直腔面发射激光器芯片”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12778624个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]垂直腔面发射激光器芯片-CN202111121571.7在审
发明人：佟存柱;王延靖;汪丽杰;王立军 -专利权人：吉光半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、第二SCH层、量子阱结构层、第三SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，在第一SCH
垂直发射激光器芯片

[实用新型]垂直腔面发射激光器芯片-CN202122317451.6有效
发明人：佟存柱;王延靖;汪丽杰;王立军 -专利权人：吉光半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、第二SCH层、量子阱结构层、第三SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，在第一SCH
垂直发射激光器芯片

[发明专利]一种能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片的制备方法及芯片-CN202210087489.5在审
发明人：潘冠中;荀孟;孙昀;赵壮壮;周静涛;吴德馨 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开一种能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片的制备方法及芯片，涉及半导体激光器技术领域。能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片的制备方法包括：采用垂直腔面发射激光器作为激光源；通过控制垂直腔面发射激光器的横向模式分布，制备具有不同激射模式的目标垂直腔面发射激光器作为目标激光源；在目标垂直腔面发射激光器表面集成圆锥透镜，以供圆锥透镜对目标激光源发出的光束进行相位调制，确定不同激射模式对应的贝塞尔光束，得到能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片，可以获得集成度高、体积小、重量轻、结构紧凑、能够产生贝塞尔光束的集成式垂直腔面发射激光器芯片
一种能够产生贝塞尔光束集成垂直发射激光器芯片制备方法

[实用新型]垂直腔面发射激光器光纤耦合组件-CN201220748469.X有效
发明人：黄华昌 -专利权人：深圳市易飞扬通信技术有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种垂直腔面发射激光器光纤耦合组件包括电路板、陶瓷基板、垂直腔面发射激光器、驱动芯片、光纤固定件及光纤。陶瓷基板设于电路板上。垂直腔面发射激光器设于陶瓷基板与电路板垂直的一侧壁上。驱动芯片设于电路板上，且与电路板电连接，驱动芯片与垂直腔面发射激光器电连接，驱动芯片驱动垂直腔面发射激光器发射激光。光纤固定件设于电路板上，且与陶瓷基板相对设置。光纤的一端固定于光纤固定件上，且光纤的端面与垂直腔面发射激光器的出光口相对设置。上述垂直腔面发射激光器光纤耦合组件中，激光从出光口射出之后，直接进入到光纤内。线路分布范围较小，减少了信号串扰。
垂直发射激光器光纤耦合组件

[实用新型]垂直腔面发射激光器45度光纤耦合组件-CN201220748583.2有效
发明人：黄华昌 -专利权人：深圳市易飞扬通信技术有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种垂直腔面发射激光器45度光纤耦合组件包括电路板、垂直腔面发射激光器、驱动芯片、光纤固定件及光纤。垂直腔面发射激光器设于电路板上。驱动芯片与电路板电连接，驱动芯片与垂直腔面发射激光器电连接，驱动芯片驱动垂直腔面发射激光器发射激光。光纤固定件设于电路板上。光纤固定于光纤固定件上，光纤的端口打磨有45度的端面，端面位于垂直腔面发射激光器的出光口的上方，端面与激光的传播方向呈45度。由于激光的出光方向为与电路板垂直，经45度的端面反射，则激光的出射方向与电路板的延伸方向平行。改变光纤的端面的摆放位置，可以调节激光的反射方向，因此可以转换激光的传播角度。
垂直发射激光器 45 光纤耦合组件

[发明专利]基底转移垂直腔面发射激光器及其制造方法-CN202010059560.X在审
发明人：沈志强 -专利权人：浙江博升光电科技有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本申请公开了一种基底转移垂直腔面发射激光器及其制造方法，所述的基底转移垂直腔面发射激光器的结构包括：导电散热基板；金属黏贴层；垂直腔面发射器薄膜芯片。所述导电散热基板的第一面通过金属黏贴层粘接垂直腔面发生激光器薄膜芯片，所述导电散热基板的第二面及所述垂直腔面发生激光器薄膜芯片背离所述导电散热基板的一侧分别设置有连接电极，所述第一面与所述第二面为所述导电散热基板相背的两面导电散热基板为导热性能优异的材料，利于垂直腔面发生激光器薄膜芯片散热。因此，本发明显著提高了垂直腔面发生激光器薄膜芯片的发光效率。
基底转移垂直发射激光器及其制造方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器芯片筛选方法及装置-CN201911163132.5有效
发明人：赖铭智;高逸群;向宇;许聪基;岳光礼 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B07C5/344 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器芯片筛选方法。该方法包括对垂直腔面发射激光器芯片进行老化筛选的步骤；在所述老化筛选之前，先对垂直腔面发射激光器芯片进行预筛选，具体方法如下：用直流电流脉冲对垂直腔面发射激光器芯片进行循环冲击，并在冲击完成后通过性能测试将失效芯片剔除；所述直流电流脉冲的电流大小为Ith+S，脉冲宽度为50ms～200ms，Ith为所述垂直腔面发射激光器芯片的阈值电流，S的取值范围为20mA～40 mA。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器芯片筛选装置。本发明可有效剔除现有技术难以完全剔除的存在芯片量子阱区域内的黑色线缺陷和氧化层裂纹缺陷的不良芯片，从而大幅降低老化筛选的漏筛率并提高老化筛选的效率。
垂直发射激光器芯片筛选方法装置

[实用新型]垂直芯片表面发射激光器及其一维和二维阵列-CN202020081085.1有效
发明人：朱颂义;王元立 -专利权人：北京通美晶体技术有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供了垂直芯片表面发射激光器，其包括：基片，具有承置面和与承置面成45度角的反射面；以及边发射激光器芯片，布置在基片的承置面上。边发射激光器芯片被定位成边发射激光器芯片的发射端朝向反射面且发射端发射出平行于承置面的激光束，激光束的方向与承置面和反射面的交线垂直。本实用新型还提供垂直芯片表面发射激光器的一维阵列和二维阵列。本实用新型通过在具有45度反射面的散热基片上设置边发射激光器实现了边发射激光器到垂直芯片表面发射激光器的转化，并且实现了垂直表面发射激光器的一维和二维阵列。与垂直腔面发射激光器相比，这种垂直芯片表面发射激光器件结构简单、制造工艺成熟，从而加工成本更低、产品可靠性更高。
垂直芯片表面发射激光器其一维和二维阵列

[发明专利]倒装芯片底发射的垂直腔面发射激光器封装及其制作方法-CN201911383033.8在审
发明人：鲍益勤 -专利权人：欧比克半导体公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装芯片底发射的垂直腔面发射激光器封装及其制作方法，其包含:形成一垂直腔面发射激光器柱阵列；对垂直腔面发射激光器柱阵列涂布一介电层，介电层填满柱体之间的沟槽，形成垂直腔面发射激光器柱阵列并覆盖柱体；对垂直腔面发射激光器柱阵列进行平面化，以移除覆盖柱体的介电层，使得柱体一顶表面曝露出一金属层；于柱体一顶表面上的金属层涂布一金属涂层，金属涂层定义垂直腔面发射激光器柱阵列的一接触图案；以及，在金属涂层上涂布焊料以将垂直腔面发射激光器柱阵列倒装到一基板封装上本发明可以消除连接线及连接垫的需求，以减少倒装芯片垂直腔面发射激光器的面积，以及简化后续的光刻及金属相关制程。
倒装芯片发射垂直激光器封装及其制作方法

[实用新型]含有45度透镜的激光器光纤耦合组件-CN201220748564.X有效
发明人：黄华昌 -专利权人：深圳市易飞扬通信技术有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种含有45度透镜的激光器光纤耦合组件包括电路板、垂直腔面发射激光器、驱动芯片、反射镜、光纤固定件及光纤。垂直腔面发射激光器设于电路板上。驱动芯片与电路板电连接，驱动芯片与垂直腔面发射激光器电连接，驱动芯片驱动垂直腔面发射激光器发射激光。反射镜设于垂直腔面发射激光器的出光口的上方，反射镜的反射面与激光的传播方向呈45度。激光经反射镜反射进入光纤。经反射镜反射，则激光沿电路板的延伸方向传播。根据反射镜的摆放位置，可以调节激光的反射方向，因此可以转换激光的传播角度。
含有 45 透镜激光器光纤耦合组件

[发明专利]一种激光器芯片及其制造方法与应用-CN202010314651.3在审
发明人：霍轶杰;张成;刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明提出一种激光器芯片，包括，至少两个垂直腔面发射激光器阵列，所述至少两个垂直腔面发射激光器阵列的发光孔的孔径不同，每一所述垂直腔面发射激光器阵列包括至少两个垂直腔面发射激光器；其中，所述垂直腔面发射激光器包括本发明提出的激光器芯片可以提高光输出功率。
一种激光器芯片及其制造方法应用

[发明专利]基于低温加热技术延伸其工作温度范围的光模块-CN201710093295.5在审
发明人：李宁;张健;杨现文;吴天书;李林科 -专利权人：武汉联特科技有限公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于低温加热技术延伸其工作温度范围的光模块，包括电路板，设置于电路板上的跨阻限幅放大器芯片、激光器驱动芯片、垂直腔面发射激光器、光探测器芯片，以及光接口，所述垂直腔面发射激光器和所述光探测器芯片的下方均设有热沉，且所述垂直腔面发射激光器下方的热沉上集成有薄膜电阻，所述电路板上还设有加热控制电路，所述薄膜电阻通过微带线与所述加热控制电路相连。本发明利用加热控制电路给薄膜电阻提供适当的电压，从而对垂直腔面发射激光器进行加热，可以在不增加现有工艺难度的情况下，实现使用垂直腔面发射激光器封装的光模块工作在扩展级甚至工业级温度应用的需求，大大提高垂直腔面发射激光器的应用场合和应用范围
基于低温加热技术延伸工作温度范围模块

[实用新型]一种将光束扩大到120°的广角飞行时间传感器模组-CN202021274229.1有效
发明人：郎欢标 -专利权人：东莞市美光达光学科技有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G01S17/894 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种将光束扩大到120°的广角飞行时间传感器模组，包括基座，所述基座装设有基板，装设在基板上的垂直腔面发射激光器VCSEL芯片，装设在垂直腔面发射激光器VCSEL芯片上方并与基座固定连接用于将垂直腔面发射激光器VCSEL芯片发射的光束角度扩大到120°的广角扩束透镜系统，所述广角扩束透镜系统由一片镜片构成，所述垂直腔面发射激光器VCSEL芯片发射的为中角度单模光束，所述垂直腔面发射激光器VCSEL芯片一侧装设有用于接收反射光束的广角接收器组件，本实用新型结构简单，只需一片镜片实现大角度的均匀配光，将光束角度扩大到120°，大大提高了光学效率，另外广角接收器组件能获得大视场角的3D图像。
一种光束扩大 120 广角飞行时间传感器模组

[发明专利]一种光学芯片-CN202110684973.1在审
发明人：崔尧;王嘉星 -专利权人：深圳博升光电科技有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本公开提供了一种光学芯片，该光学芯片包括背发射垂直腔面发射激光器，其中背发射垂直腔面发射激光器的衬底层用于形成光学元件，或者在衬底层上形成有光学元件对应的结构层。由于背发射垂直腔面发射激光器的衬底层位于外侧，因此本公开无需改变该背发射垂直腔面发射激光器的结构，能够将衬底层直接用于形成光学元件，或者在衬底层上形成光学元件对应的结构层，从而减小了系统尺寸，降低成本，
一种光学芯片

[实用新型]一种光学芯片-CN202121382001.9有效
发明人：崔尧;王嘉星 -专利权人：深圳博升光电科技有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本公开提供了一种光学芯片，该光学芯片包括背发射垂直腔面发射激光器，其中背发射垂直腔面发射激光器的衬底层用于形成光学元件，或者在衬底层上形成有光学元件对应的结构层。由于背发射垂直腔面发射激光器的衬底层位于外侧，因此本公开无需改变该背发射垂直腔面发射激光器的结构，能够将衬底层直接用于形成光学元件，或者在衬底层上形成光学元件对应的结构层，从而减小了系统尺寸，降低成本，
一种光学芯片

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条