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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202010428979.8在审
发明人： P·H·格拉赫;R·金 -专利权人：通快光电器件有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本公开涉及一种垂直腔面发射激光器(100)，其包括第一电接触部(105)、基底(110)、第一分布式布拉格反射器(115)、有源层(120)、第二分布式布拉格反射器(130)和第二电接触部(135)。所述垂直腔面发射激光器包括至少两个电流孔径层(125)，所述至少两个电流孔径层被布置在所述有源层(120)下方或上方，其中，所述电流孔径层(125)中的每个包括一个AlyGa(1‑y)As层，其中，所述至少两个电流孔径层
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202010428977.9在审
发明人： P·H·格拉赫;R·金 -专利权人：通快光电器件有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直腔面发射激光器(100)，其包括第一电接触部(105)、基底(110)、第一分布式布拉格反射器(115)、有源层(120)、第二分布式布拉格反射器(130)和第二电接触部(135)。所述垂直腔面发射激光器包括至少一个AlyGa(1‑y)As层，其中0.95≤y≤1且厚度为至少40nm，其中，所述Al本发明还涉及一种包括这样VCSEL(100)的激光器设备(300)，所述VCSEL(100)优选为由驱动电路(310)驱动的这样的VCSEL(100)的阵列。
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN201910455202.8在审
发明人：大西裕;吉永弘幸;田中礼 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种垂直腔面发射激光器，包括：具有主表面的衬底以及在主表面上安装的柱结构。该柱结构包括有源层和载流子限制结构。载流子限制结构包括第一区域以及具有比第一区域更低的电阻率的第二区域。
线段第一区域参考载流子限制主表面柱结构垂直腔面发射激光器第二区域连接边缘电阻率衬底源层半导体延伸

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202080006355.5在审
发明人：迪特尔·宾贝格;冈特·拉里斯 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造至少一个辐射发射器的方法，该方法包括以下步骤：在衬底的顶面上沉积蚀刻停止层；在蚀刻停止层上沉积层堆叠，该层堆叠包括第一接触层、第一反射器、有源区、第二反射器和第二接触层；局部去除层堆叠和蚀刻停止层，从而形成至少一个台面，该至少一个台面包括蚀刻停止层的未去除部分和层状柱，该层状柱基于至少一个台面内未去除的层堆叠形成垂直腔面激光器结构；在衬底的顶面上沉积保护材料，从而将整个台面嵌入保护材料中，其中衬底的背面保持不受保护
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202011262836.0在审
发明人：张穗;乔鹏飞;沈志强 -专利权人：深圳博升光电科技有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请公开了一种垂直腔面发射激光器，包括：层叠设置的第一反射器层、有源层、第二反射器层；所述第二反射器层上设置有第一光栅槽，所述第一光栅槽自所述第二反射器层背离所述有源层的表面，延伸至所述第二反射器层内部上述方案，通过在该垂直腔面发射激光器的某一或某几层刻蚀光栅槽，使刻蚀光栅槽的位置形成高对比度光栅，该高对此度光栅可以减小垂直腔面发射激光器的发散角，提高能量集中及使垂直腔面发射激光器发射的激光为偏振光。
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202011408034.6在审
发明人：崔元珍 -专利权人：雷伊株式会社
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实施例公开一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：基板；第一反射层，布置在所述基板上；活动层，布置在所述第一反射层上；氧化层，布置在所述活动层上，且包含位于其中心的第一孔；第二反射层，布置在所述氧化层和所述第一孔上
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202080017424.2在审
发明人：李基煌;俞炳秀;卢正来 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：公开一种垂直腔面发射激光器。根据本公开的垂直腔面发射激光器包括：下部镜；上部镜；活性层，设置在所述下部镜和所述上部镜之间；孔形成层，设置在所述上部镜和所述活性层之间，并且具有氧化层和被所述氧化层围绕的窗口层；环形的沟槽，贯通所述上部镜
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202210065595.3在审
发明人：井上大辅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，其具备：衬底，其具有包含第一区域以及第二区域的主表面；极柱，其设置在第一区域上，所述极柱包含设置在第一区域上的第一导电型的第一分布布拉格反射器、设置在第一分布布拉格反射器上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电型的第二分布布拉格反射器；层叠体，其设置在主表面上，所述层叠体具备上表面，该上表面具有配置在第二区域上的至少一个凹部；树脂部，其配置在至少一个凹部内；以及电极焊盘，其设置在树脂部上并且与第一分布布拉格反射器以及第二分布布拉格反射器中的任一方电连接
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202210123332.3在审
发明人：久保田良辅 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器。本公开的一个方面所涉及的垂直腔面发射激光器具备：衬底，其具有包含III‑V族化合物半导体的主面；以及半导体结构物，其具有设置在主面上的极柱。
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202210421923.9在审
发明人：小山雄司 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器，其具备沿着第一轴延伸的极柱以及包围第一轴的电极。极柱具备第一分布式布拉格反射器、有源层以及第二分布式布拉格反射器。第二分布式布拉格反射器包含半导体区、第一高电阻区以及第二高电阻区。第一高电阻区以及第二高电阻区包围半导体区。第二高电阻区在第一轴的方向上位于比第一高电阻区远离极柱的上表面的位置。
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202310498122.7在审
发明人：聂语葳;李伟;刘素平;马骁宇;吕家纲;潘智鹏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器，包括：二维亚波长光栅，所述二维亚波长光栅包括：光栅层，所述光栅层包括：多个柱状的光栅凸起，所述光栅凸起在第一方向和第二方向上具有不同的光栅宽度，所述第一方向和第二方向为光栅凸起的排列方向二维亚波长光栅可以作为垂直腔面发射激光器的反射镜，从而减少顶层DBR对数，并为垂直腔面发射激光器提供偏振选择特性。
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN200910166719.1有效
发明人：前田修;增井勇志;汐先政贵;荒木田孝博;河角孝行 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供垂直腔面发射激光器，从基板侧依次包括：第一多层膜反射器；有源层，具有发光区域；第二多层膜反射器；以及反射率调整层。第一多层膜反射器和第二多层膜反射器具有层叠结构，其中振荡波长λ_x的反射率几乎为常数而不依赖于温度变化。有源层由在温度高于常温时获得最大增益的材料制作。
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN201810709035.0有效
发明人：崔元珍 -专利权人：雷伊株式会社
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实施例公开一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：基板；第一反射层，布置在所述基板上；活动层，布置在所述第一反射层上；氧化层，布置在所述活动层上，且包含位于其中心的第一孔；第二反射层，布置在所述氧化层和所述第一孔上
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN201510124564.0有效
发明人：巴多拉帕斯·巴布·达亚尔 -专利权人：云晖科技有限公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直腔面发射激光器，适于发射850nm和/或附近波长的光，所述垂直腔面发射激光器包括有源区，所述有源区包括：一个或多个In_xGa_1‑xAs量子阱
垂直发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN200610078940.8有效
发明人：堀雄一郎;内田护;冈本康平;长友靖浩 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2006-04-27 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种垂直腔面发射激光器，包括第一反射镜层、第二反射镜层和设置在两者之间的活性层，其中至少第一反射镜层和第二反射镜层中的一个包括周期性折射率结构，在该结构中折射率在横向的方向上周期性的变化并且周期性折射率结构部分包括多个破坏周期性的部分
垂直发射激光器

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