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[实用新型]一种用于生产高效多晶硅铸锭的石英坩埚涂层-CN201320458277.X有效
发明人：黄新明;周绪成;尹长浩;钟根香;明亮;周海萍 -专利权人：东海晶澳太阳能科技有限公司;南京工业大学
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： B32B3/24 文献下载
摘要：本实用新型新型公开了一种用于生产高效多晶硅铸锭的石英坩埚涂层，由下层氮化硅涂层、中间层形核功能层和上层氮化硅涂层组成，所述下层氮化硅涂层设置在坩埚本体的底部，所述中间层形核功能层设置在下层氮化硅涂层上，所述上层氮化硅涂层设置在中间层形核功能层上，所述中间层形核功能层上分布有均匀或不均匀的孔洞或裂缝。本实用新型的有益效果是：（1）涂层表面分布大量孔洞或者裂缝，该结构可有效的降低形核所需的形核功，促进非均匀形核的能力，从而快速形核，生长的晶粒尺寸较小、大小均匀，晶体的缺陷密度低；（2）涂层使用高纯度原料制成
一种用于生产高效多晶铸锭石英坩埚涂层

[发明专利]提高金刚石异质外延形核均匀性的方法-CN202110732256.1有效
发明人：代兵;王伟华;杨世林;朱嘉琦;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：提高金刚石异质外延形核均匀性的方法，本发明属于异质外延单晶金刚石制备领域，它为了解决常规BEN工艺下偏置电流水平较低，导致金刚石异质外延形核的均匀性较差的问题。提高形核均匀性的方法：一、在衬底上沉积Ir薄膜，然后在退火后的复合衬底的背面和侧面沉积金膜；二、用直流偏压增强形核工艺在样品托上沉积金刚石薄层；三、通入氢气，激活等离子体，通入甲烷气体，控制甲烷的体积分数，开启直流偏压电源，进行偏压增强形核，然后降低甲烷浓度，开始进行金刚石外延生长，直至生长结束。本发明使得异质外延所形核所需要的含碳粒子扩散会更加快速，有效避免了形核聚集发生在个别区域，使形核发生位置分布更为分散均匀。
提高金刚石外延均匀方法

[发明专利]一种提高大面积硅材料上金刚石形核均匀性的预处理方法-CN202211492334.6在审
发明人：刘繁;翁俊;汪建华;汪淏;张昕煦;刘小波;郭能峰 -专利权人：武汉莱格晶钻科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及提高大面积硅材料上金刚石形核均匀性的预处理方法，将硅片浸入保护液中，且保持硅片的表面水平，以及保持保护液液面始终高于硅片的表面；控制硅片于纵向上做小位移量的上下震动；喷射金刚石粉悬浊液，且喷射点在该水平面上以特定的速率做往复的涡状线运动；检测硅片上金刚石形核的均匀性是否达到所需要求，若未达到所需要求，则调整涡状线运动路径的螺距及移动速率后，并重复上述步骤,直到硅片上金刚石的形核密度达到或超过所需要求,若达到所需要求，则结束。通过精确调控，高效的在大面积单晶硅片表面形成有利于金刚石异质形核的尺寸分布均匀的形核缺陷，提高了大面积硅材料上金刚石均匀异质形核的效率。
一种提高大面积材料金刚石均匀预处理方法

[发明专利]一种新型全熔高效坩埚的制备方法-CN201510710420.3在审
发明人：刘明权;王禄宝 -专利权人：镇江环太硅科技有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开一种新型全熔高效坩埚，其中，包括坩埚母体，所述坩埚母体底部设有形核源粘结层，所述形核源粘结层为粘结浆料，通过刷涂的方式均匀分布在坩埚母体底部内表面；所述形核源粘结层上设有形核源层，所述形核源层为高纯微球状石英砂；所述坩埚母体内部侧壁以及形核源层上均匀设有脱模层，所述脱模层为高纯微球状石英砂，通过喷涂的方式将所述高纯微球状石英砂分布在坩埚母体内部侧壁以及形核源层上；所述坩埚底部脱模层外部喷涂有高纯硅微粉。
一种新型高效坩埚制备方法

[发明专利]一种调控时效硬化合金析出相分布及尺寸的热处理方法-CN201910734422.4有效
发明人：康希越;谢丰伟;袁紫仁;贺跃辉 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C21D6/00 文献下载
摘要：本发明一种调控时效硬化合金析出相分布及尺寸的热处理方法，通过金属间化合物在高温时存在的固溶度，独特设计了多阶段的热处理工艺：完全固溶处理‑高温时效形核‑半固溶处理‑中温时效析出，先通过完全固溶将烧结中沿晶界分布的析出相完全固溶于基体中；随后通过在高温下的时效提高形核驱动能，在材料内部较为均匀地析出得到形核点；接着在半固溶处理中溶解大部分析出相，留存晶内较大形核点；最后在常规时效温度下进行时效析出，根据均匀留存的形核点析出，得到均匀分布
一种调控时效硬化合金析出分布尺寸热处理方法

[发明专利]一种全熔高效多晶硅铸锭的方法-CN201610345926.3有效
发明人：郑玉芹;武鹏;黄春来;张华利;吴义华 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种全熔高效多晶硅铸锭的方法，包括以下步骤：将混合有无机或有机成孔剂的形核源涂液涂覆在坩埚底部，形成疏松多孔的形核源层；在形核源层上方设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升，使得所述熔融状态的硅料在所述形核源上方形核结晶，生成晶体硅锭。上述方法中，形核源层制备过程中加入有无机或有机成孔剂，形成疏松多孔的形核源层，使硅液与底部形核源层接触面积增加，从而使全熔高效多晶底部形核点更多且更均匀，使从而提升形核能力。此外，还可以减少铺底形核颗粒料的使用，降低铸锭成本。
一种高效多晶铸锭方法

[实用新型]一种提高大面积硅材料上金刚石形核均匀性的预处理装置-CN202223142747.X有效
发明人：刘繁;翁俊;汪建华;汪淏;张昕煦;刘小波;郭能峰 -专利权人：武汉莱格晶钻科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本实用新型涉及提高大面积硅材料上金刚石形核均匀性的预处理装置，基台通过升降支架固定在容器内，并浸没在保护液内；喷枪布置在容器上方，喷枪的喷嘴朝向基台。本实用新型的有益效果为：通过喷枪喷射高压的金刚石粉悬浊液对单晶硅片表面进行冲击，在单晶硅片表面形成有利于金刚石异质外延形核的凹坑；通过控制喷枪的运动路径，调控凹坑缺陷在单晶硅片表面分布的均匀性；通过升降支架控制单晶硅片在纵向上微小位移内的高频振动，进一步提高凹坑粒径分布的均匀性，通过保护液避免金刚石粉悬浊液的冲击对硅片本身的损伤；可以在大面积单晶硅片表面形成有利于金刚石异质形核的尺寸分布均匀的形核缺陷，提高了大面积硅材料上金刚石均匀异质形核的效率
一种提高大面积材料金刚石均匀预处理装置

[发明专利]氮化物材料的制备方法及氮化物半导体器件-CN202110672724.0在审
发明人：郭艳敏;尹甲运;李佳;王波;张志荣;芦伟立;高楠;房玉龙;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物材料的制备方法及氮化物半导体器件，属于半导体材料制备技术领域，所述方法包括以下步骤：在衬底上低温生长含In的氮化物形核层；高温退火刻蚀，含In的氮化物形核层中In脱附，形成均匀分布的氮化物形核层岛；在氮化物形核层岛上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN基材料；在GaN基材料上生长功能层。本发明提供的氮化物材料的制备方法，可以获得均匀分布的氮化物形核层，有利于提高材料晶体质量，此外制备的均匀性更好的氮化物材料，可以提高器件成品率及均一性，该发明尤其适用于4英寸及更大尺寸外延材料制备。
氮化物材料制备方法半导体器件

[发明专利]一种含有形核剂的27SiMn钢的冶炼方法-CN202111290724.0有效
发明人：成国光;张涛;鲁金龙;孟晓玲;张国磊;王启明;李尧 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C21C7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种27SiMn钢的形核剂及生成方法，所述形核剂为以(Mg、Mn)O‑Al2O3氧化物为基底，外围包裹MnS(Mg、Mn)O质量分数为30％‑40％，所述基底中Al2O3质量分数为60％‑70％，基底的大小为0.5～2μm，形核剂的尺寸为该形核剂在钢液凝固过程中自发形成并作为非均质形核核心，得到均匀细化的凝固组织，起到减弱钢锭的偏析程度、提高材料的组织均匀性的作用。
一种有形 27 simn 冶炼方法

[发明专利]一种金属软磁复合材料的非均匀形核绝缘包覆处理方法-CN201410229920.0有效
发明人：严密;刘冬;吴琛;张念伟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属软磁复合材料的非均匀形核绝缘包覆处理方法。它包括如下步骤：1）将金属磁粉过筛进行粒度配比；2）利用非均匀形核法对配好的金属粉末进行绝缘包覆后干燥；3）将干燥后的磁粉与粘结剂混合均匀，加入脱模剂干压成型，将其压制成坯样；4）将坯样于保护气氛中保温本发明采用非均匀形核法制备的复合粉末包覆均匀、致密，包覆层厚度可控，具有良好的抗氧化性、高的电阻率、高的饱和磁化强度，具有优良的磁性能和力学性能；采用非均匀形核法在金属磁粉表面均匀包覆一层Al
一种金属复合材料均匀绝缘处理方法

[发明专利]一种多晶硅制备工艺-CN201410448605.7无效
发明人：潘欢欢;郭宽新;孙海知;宋江;邢国强 -专利权人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅制备工艺，包括以下步骤：1.在坩埚底部均匀铺设第一层形核源；2.在第一层形核源上涂喷涂层，涂层完整覆盖第一层形核源；3.在步骤2的涂层上均匀铺设第二层形核源；4.将多晶硅料盛装于坩埚中完成装料；5.将装满硅料的坩埚置于多晶铸锭炉中，进行抽真空、加热，进而进入高温熔化阶段，所述铸锭炉的最大熔化温度控制在1510℃-1540℃，并通过调整热场保持多晶硅料自上而下进行熔化；6.通过高纯石英棒对形核源高度进行测量，当第二层形核源的剩余量为0cm时，进而进入长晶阶段；7.硅料经过长晶、退火、冷却，得到多晶硅锭。本发明可获得晶粒均匀细腻的多晶硅锭，具有缺陷较少，多晶硅锭底部少子寿命长，杂质率低，成品率高等特点。
一种多晶制备工艺

[发明专利]一种高饱和磁通密度软磁复合材料的非均匀形核包覆方法-CN201811125032.9在审
发明人：刘冬;高善民;王峰 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高饱和磁通密度软磁复合材料的非均匀形核包覆处理方法。利用非均匀形核工艺在金属磁粉表面均匀包覆一层铁氧体绝缘层，经粘结、压制成型、高温退火、喷涂工艺，制备得到金属软磁复合材料。本发明的优点在于：采用非均匀形核工艺容易对磁粉进行均匀包覆，包覆层致密、厚度可控，由于包覆层是铁磁性物质，可以有效减少磁稀释作用，同时具有较好的抗氧化性、高的电阻率，易于制备得到具有高饱和磁通密度高磁导率的软磁复合材料
软磁复合材料非均匀形核高饱和磁通均匀包覆包覆层铁氧体包覆制备绝缘层致密铁磁性物质包覆处理包覆工艺高磁导率高温退火厚度可控金属磁粉抗氧化性喷涂工艺有效减少电阻率磁粉稀释粘结金属

[发明专利]一种多晶铸锭用异构涂层坩埚及其制备方法-CN201410143417.3无效
发明人：颜颉颃;王建立;张华利;崔鹏;高源;张欣 -专利权人：晶海洋半导体材料（东海）有限公司
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶铸锭用异构涂层坩埚及其制备方法，包括裸埚，在所述裸埚内底面依次涂覆有第一氮化硅涂层和形核涂层，所述形核涂层是由形核物以若干不连续的岛状体分布在第一氮化硅涂层上所构成，在所述裸埚的内壁上还涂覆有第二氮化硅涂层本发明形核涂层是由形核物以若干岛状体形状分布在第一氮化硅涂层上所构成，岛状体和形核物能够引导晶体形核，与现有硅料自发随即形核生长相比，本发明能够形成均匀、大小适中的晶核，有利于晶体的后期生长质量，从而提升硅片转化效率，而且，形核涂层牢牢固定在坩埚上，使用后不易脱落，同时岛体状异型结构，有利于铸锭后坩埚的脱模，能够大大降低粘锅甚至裂锭的概率，使得后续硅锭尾料处理更加容易。
一种多晶铸锭用异构涂层坩埚及其制备方法

[发明专利]基于复合结构样品台提高金刚石异质外延大尺寸形核均匀性的方法-CN202011446248.2有效
发明人：朱嘉琦;王伟华;房诗舒;代兵;舒国阳;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：基于复合结构样品台提高金刚石异质外延大尺寸形核均匀性的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石生长领域，它为了解决现有难以实现异质衬底大尺寸高密度外延形核的难题。提高金刚石异质外延形核均匀性的方法：一、将复合结构样品台放置在MPCVD设备的水冷台中心位置，异质衬底放置在样品台的中心位置，抽真空；二、启动微波发生器，激发气体电离和解离；三、偏压增强形核过程：通入甲烷气体本发明样品台具有类似于台阶的结构以及数量更多的边缘尖端区域，能在偏置电场的作用下直流辉光层的面积更均匀分布在样品上方。
基于复合结构样品提高金刚石外延尺寸均匀方法

[发明专利]一种石英坩埚、其制备方法及专用模具-CN201310258274.6在审
发明人：孟涛 -专利权人：镇江荣德新能源科技有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种石英坩埚，包括敞口的坩埚本体，所述坩埚本体的内底面均匀设置有多个用于在多晶硅铸锭工艺中作为形核点的盲孔。本发明的石英坩埚，在石英坩埚的内底面上形成若干在多晶硅铸锭工艺中作为形核点的盲孔，通过热场与工艺的配合，控制长晶初期的过冷度，从而可以得到均匀的具有一定尺寸大小的小晶粒。本发明的石英坩埚制备成本低且形核点均匀、适宜。本发明还公开了制备石英坩埚的方法以及用于制备石英坩埚的专用模具。
一种石英坩埚制备方法专用模具

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