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[发明专利]半导体器件-CN201210424017.0有效
发明人：王者伟 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括衬底以及环绕该衬底边缘设置的场限环，所述场限环包括场限环一、场限环二和场限环三，所述场限环二位于所述场限环一和场限环三之间，所述场限环一和场限环二之间的间距为19~21μm，所述场限环二和场限环三之间的间距为20~23μm。本发明通过改变场限环一、场限环二和场限环三之间的间距，提高了半导体器件的耐压能力。
半导体器件

[发明专利]一种功率器件结终端结构、制造方法及功率器件-CN201911302916.1有效
发明人：周才能;陈喜明;王志成;魏伟;丁杰钦;罗烨辉;刘坤;龚芷玉;赵艳黎;李诚瞻 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率器件结终端结构，场限环包括第一组场限环和第二组场限环，第一组场限环和第二组场限环中，每个场限环的宽度加上靠近主结方向且与其相邻的间隔的宽度为一常数；其中，第一组场限环相邻的场限环之间的间距以及主结与其相邻的场限环之间的间距中，每两个或多个相邻的所述间距相等，且沿从主结至场限环的方向依次递增；第二组场限环相邻的场限环之间的间距以及第二组场限环与第一组场限环相邻的场限环之间的间距中，沿从主结至场限环的方向，所述间距依次递增。
一种功率器件终端结构制造方法

[发明专利]一种半导体器件的终端结构及其制造方法-CN201811356122.9在审
发明人：刘锋;周祥瑞;殷允超 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的终端结构及其制造方法，在终端保护区，第一导电类型漂移区内设有若干个环间距相同的场限环，且从有源区指向终端区的方向上，第一个场限环和最后一个场限环为连续场限环，连续场限环间设置有若干个间隔场限环，间隔场限环由若干个间隔分布的场限环注入区包围呈环形，且若干个间隔场限环、间隔场限环与连续场限环均连成一片，形成以场限环注入区为中心的浓度渐变梯度；本发明器件制造方法与现有半导体工艺兼容，不仅能提高器件的耐压能力
场限环连续场半导体器件终端结构注入区源区制造第一导电类型半导体工艺终端保护区漂移导通电阻发明器件间隔分布渐变梯度降低器件耐压能力终端区减小兼容指向终端包围

[实用新型]一种半导体器件的终端结构-CN201821876289.3有效
发明人：刘锋;周祥瑞;殷允超 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体器件的终端结构，在终端保护区，第一导电类型漂移区内设有若干个环间距相同的场限环，且从有源区指向终端区的方向上，第一个场限环和最后一个场限环为连续场限环，连续场限环间设置有若干个间隔场限环，间隔场限环由若干个间隔分布的场限环注入区包围呈环形，且若干个间隔场限环、间隔场限环与连续场限环均连成一片，形成以场限环注入区为中心的浓度渐变梯度；本实用新型器件制造方法与现有半导体工艺兼容，不仅能提高器件的耐压能力
场限环连续场半导体器件本实用新型终端结构注入区源区第一导电类型半导体工艺终端保护区漂移导通电阻间隔分布渐变梯度降低器件耐压能力器件制造终端区减小兼容指向终端包围

[发明专利]终端保护环及其制造方法-CN201310312656.2有效
发明人：张栋;黄国华;王明杰;吕国琦 -专利权人：上海北车永电电子科技有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种终端保护环及其制造方法。本发明中，终端保护环包括至少一组位于半导体衬底的复合场限环；每组复合场限环包括至少一个N型场限环和至少一个P型场限环，且每个P型场限环至少有一侧连接一个N型场限环形成PN结；N型场限环的深度大于与N型场限环连接的P型场限环深度的三分之一。N型场限环的深度更深，掺杂浓度分布更平缓，PN结面积更大，使场限环表面的电场分布更均匀，进而有效提高器件的高压特性和可靠性。
终端保护环及其制造方法

[发明专利]一种半导体功率器件及其制作方法-CN202010386337.6在审
发明人：桑玲;查祎英;金锐;王耀华;杨霏;田丽欣;夏经华;张文婷;安运来;赛朝阳;吴军民 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司厦门供电公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法，半导体功率器件包括半导体层(1)、截止环(2)、有源区(3)、场限环终端(4)和介质层(5)；场限环终端(4)包括多个场限环区域，每个场限环区域包括多个场限环，截止环(2)、有源区(3)和场限环终端(4)设置于半导体层(1)的正面，所述介质层(5)设置于场限环终端(4)的正面，多个场限环区域形成场限环终端，提高了场限环终端(4)的保护效率和半导体功率器件的可靠性；不同场限环承受的电压相当，避免电场集中于有源区主结处或最后一个场限环，大大提高了半导体功率器件的击穿电压，增强了半导体功率器件的可靠性和稳定性。
一种半导体功率器件及其制作方法

[发明专利]一种场限环结终端结构的优化设计方法-CN201410671594.9有效
发明人：白云;申华军;汤益丹;杨成樾;王弋宇;于海龙;彭朝阳;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种场限环结终端结构的优化设计方法，涉及电力电子器件技术领域，解决了现有技术中场限环结终端结构优化设计较为复杂的问题。该方法包括：确定初始的场限环的环深、环浓度、环宽度和环个数；设定初始的场限环间距分布；将相邻的至少两个场限环分为一组，从内侧向外侧逐渐增加各组场限环内的间距；从外侧向内侧逐渐增加各场限环之间的间距；判断器件击穿时各场限环的电场分布是否均匀以及是否同时获得与器件电压等级要求对应的击穿电压；若是，则获得场限环结终端结构优化后的场限环间距分布；否则返回执行上述步骤。本发明适用于在场限环较多时对场限环结终端结构进行优化设计。
一种场限环结终端结构优化设计方法

[发明专利]一种碳化硅场限环终端结构设计方法-CN201710914577.7有效
发明人：杨同同;柏松;黄润华 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅场限环终端结构设计方法，包括如下步骤：1初始化主结与单场限环之间的间距、环宽度；查看主结与单场限环之间的电场强度是否满足要求，如满足，流程结束；2将单场限环二等分为两个场限环；3查看主结与分割后的各场限环之间的电场强度是否满足要求，如满足，流程结束；4查看主结与分割后的各场限环之间的电场强度是否相等，如相等，增大分割后场限环间的间距，减小场限环宽度；如不相等，将每个场限环二等分为两个子场限环；5分割后各场限环宽度是否符合工艺要求，如符合，转步骤3；如不符合，维持主结与单场限环之间的间距、增大环宽度，转步骤1。该方法可以获取到最短的场限环总长度，减小终端占用面积。
一种碳化硅场限环终端结构设计方法

[发明专利]一种高密度缓变场限环结构及其制造工艺-CN201210081136.0有效
发明人：瞿学选 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种高密度缓变场限环结构及其制造工艺，属于开关型高压功率器件技术领域。环绕于器件元胞区的四周的缓变场限环结构主要包括与各场限环相对应的场板以及一个截止环，场限环从器件元胞区的边缘开始向截止环依次排列。场限环中的主结环与器件元胞区pbody相互重叠，各场限环之间的距离不等，从第1场限环向外，相邻的场限环之间的距离依次增加，每个场限环的半径依次减小，相邻场限环的重叠度依次变小，最外的场限环互相分离。该缓变场限环结构未增加工艺的复杂性，具有器件集成度高以及工艺窗口大的显著特点，大幅度降低功率器件外围结终端结构占用面积，提高了功率器件整体上的集成度，从而降低了功率器件的制备成本，适合应用于功率器件的大规模工业生产
一种高密度缓变场限环结构及其制造工艺

[实用新型]一种高密度缓变场限环结构-CN201220117922.7有效
发明人：瞿学选 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种高密度缓变场限环结构，属于开关型高压功率器件技术领域。环绕于器件元胞区的四周的缓变场限环结构主要包括与各场限环相对应的场板以及一个截止环，场限环从器件元胞区的边缘开始向截止环依次排列。场限环中的主结环与器件元胞区pbody相互重叠，各场限环之间的距离不等，从第1场限环向外，相邻的场限环之间的距离依次增加，每个场限环的半径依次减小，相邻场限环的重叠度依次变小，最外的场限环互相分离。该缓变场限环结构未增加工艺的复杂性，具有器件集成度高以及工艺窗口大的显著特点，大幅度降低功率器件外围结终端结构占用面积，提高了功率器件整体上的集成度，从而降低了功率器件的制备成本，适合应用于功率器件的大规模工业生产
一种高密度缓变场限环结构

[发明专利]功率晶体管的结终端-CN202111537531.0在审
发明人：胡巍;刘鹏飞;覃荣震;王梦洁;肖强;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率晶体管的结终端，包括介质层、多个场限环组以及多个与场限环组对应的场板；场板在介质层的投影面积大于场限环组在介质层的投影面积；其中，场限环组包括主场限环和多个辅助场限环；主场限环通过介质层的接触孔与对应的场板相连，辅助场限环通过介质层与对应的场板隔离。这样，一个场板、一个主场限环和多个辅助场限环形成一个复合结构，在相同阻断电压的约束下，场板的数量更少，场板之间的间隙的数量也越少，终端暴露面积随之减少，在后续芯片工艺、封装过程以及外部环境中，尽可能的减少电荷通过这些间隙进入到介质层中
功率晶体管终端

[发明专利]一种复合场限环终端结构及制备方法-CN202111565959.6在审
发明人：杜蕾;张学强;温正欣;喻双柏;和巍巍;汪之涵 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种复合场限环终端结构及制备方法，复合场限环终端结构包括元胞区和元胞区外围的终端区，元胞区和终端区包括相同的衬底和在衬底上生长形成的外延层，在终端区中，外延层远离衬底的一侧设置有第一场限环设计层和第二场限环设计层，第一场限环设计层和第二场限环设计层呈上下两层设置于外延层中，各场限环设计层均包括若干场限环单元，且第二场限环设计层中各场限环单元，对应设置于第一场限环设计层中相邻场限环单元之间；本发明提供的具有体内复合的多段场限环的终端结构
一种复合场限环终端结构制备方法

[实用新型]一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构以及碳化硅器件-CN201920181119.1有效
发明人：朱继红;蔺增金;张志文 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构，包括：M个场限环，其中第1场限环环绕碳化硅器件的功能区，第m个场限环环绕第(m‑1)个场限环；其中第m个场限环的结深小于第(m‑1)个场限环的结深，M
场限环碳化硅器件结深环绕本实用新型结终端结构功能区正整数

[发明专利]一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构、其制作方法及碳化硅器件-CN201910104626.X在审
发明人：朱继红;蔺增金;张志文 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构，包括：M个场限环，其中第1场限环环绕碳化硅器件的功能区，第m个场限环环绕第(m‑1)个场限环；其中第m个场限环的结深小于第(m‑1)个场限环的结深，M、n本公开的第二方面公开了一种用于碳化硅器件的场限环结终端结构的制作方法。本公开的第三方面公开了碳化硅器件。
场限环碳化硅器件结终端结构结深环绕功能区正整数制作

[发明专利]一种功率半导体器件终端结构-CN201610976437.8有效
发明人：张泉;唐龙谷;覃荣震;黄建伟 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种功率半导体器件终端结构，包括多个场限环和与所述场限环横向连接的第一pn结延展区，所述第一pn结延展区与所述场限环的掺杂类型相同，且掺杂浓度低于所述场限环的的掺杂浓度。所述功率半导体器件终端结构，通过设置与场限环横向连接的第一pn结延展区，延伸了场限环外边缘区域的pn结曲面，使各场限环都形成类似于JTE的结构，从而弱化场限环外边缘电场，实现提升整个终端结构的击穿电压，
一种功率半导体器件终端结构

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