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- [实用新型]背光源和三维成像系统-CN202120593598.5有效
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何建行;邵文龙;邓冬岩;吴伟森;林森伟;薛若雪
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生物岛实验室
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2021-03-23
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2021-10-01
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G02B30/33
- 其中，一种背光源，包括：发光部件；第一光学器件，所述第一光学器件的第一侧靠近所述发光部件的发光侧，用于将所述发光部件发出的光调整为平行的第一形状的第一光束；背光成形器件，所述背光成形器件的第一侧靠近与所述第一光学器件的第一侧相对的所述第一光学器件的第二侧，用于从所述平行的第一形状的第一光束获取第二形状的第二光束；第二光学器件，所述第二光学器件的第一侧靠近所述背光成形器件的第一侧，用于消除所述第二形状的第二光束的相差，并投射到透射器件，得到特定形状的背光；透射器件，所述透射器件的第一侧靠近与所述第二光学器件的第一侧相对的所述第二光学器件的第二侧。
- 背光源三维成像系统
- [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201310223571.7有效
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程凯
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苏州晶湛半导体有限公司
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2013-06-06
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2013-09-18
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H01L29/43
- 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：半导体器件有源区；位于半导体器件有源区上的电极形状控制层，电极形状控制层中含有铝元素，铝元素的含量从半导体器件有源区由下至上逐渐减少；电极形状控制层上设有电极区，电极区设有向半导体器件有源区延伸并纵向贯穿所述电极形状控制层的凹槽，凹槽的侧面全部或部分为斜坡、或向两侧凹陷的弧形坡、或向中间凸出的弧形坡；全部或部分位于电极区中凹槽内的电极，电极形状与凹槽形状对应设置，电极底部与半导体器件有源区相接触。本发明通过控制电极的形状，改变电极附近电场强度的分布，提高半导体器件的击穿电压和可靠性等性能。
- 半导体器件及其制作方法
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