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[发明专利]低功耗MOS器件栅极刻蚀方法及低功耗MOS器件制造方法-CN201310386315.X在审
发明人：张振兴;王百钱 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种低功耗MOS器件栅极刻蚀及低功耗MOS器件制造方法。所述低功耗MOS器件栅极刻蚀方法包括：形成低功耗MOS器件的栅极多晶硅层，其中低功耗MOS器件包括低功耗NMOS器件和低功耗PMOS器件，而且其中所述NMOS器件的栅极多晶硅层为掺杂的栅极多晶硅，所述PMOS器件的栅极多晶硅层为未掺杂的栅极多晶硅；利用氟化物和CL2的混合气体对所述低功耗MOS器件的栅极多晶硅层进行刻蚀以形成所述低功耗MOS器件的栅极多晶硅图案。
功耗 mos 器件栅极刻蚀方法制造

[实用新型]一种储能DC/DC变换器结构-CN201720259685.0有效
发明人：赵翔;王云松;周飞 -专利权人：北京能高自动化技术股份有限公司
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种储能DC/DC变换器结构，包括柜体，所述柜体内包括排风腔室；高功耗器件腔室；低功耗器件腔室；用于连通高功耗器件腔室与排风腔室的高功耗风道；以及用于连通低功耗器件腔室与排风腔室的低功耗风道；所述柜体上设有与高功耗器件腔室连通的高功耗进风口；及与低功耗器件腔室连通的低功耗进风口。本实用新型所提供的储能DC/DC变换器结构，在配置一个风机组件的情况下，将变换器柜内的高功耗器件散热和低功耗器件散热分别通过两条不同的散热风道分开散热，其具有散热效果好，能够延长变换器柜体内各器件使用寿命
一种 dc 变换器结构

[发明专利]一种液冷系统的液冷能效比的确定方法和装置-CN201811247597.4在审
发明人：郭亮;李洁;王月;谢丽娜;王少鹏;朱晓云;盛凯 -专利权人：中国信息通信研究院
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种液冷系统的液冷能效比的确定方法和装置，该方法包括：获取液冷系统中使用液冷方式散热的器件的功耗，该器件直接液冷冷却功耗与该器件功耗比值，以及液冷系统的总功耗；将液冷系统中的所有使用液冷方式散热的器件的总功耗与该液冷系统的总功耗的比值作为该液冷系统的液冷能效比；其中，任一使用液冷方式散热的器件的功耗为获取的该器件的功耗，与该器件直接液冷冷却功耗与该器件功耗比值的乘积。
一种系统能效确定方法装置

[发明专利]一种风扇调速方法及装置-CN202210269928.4在审
发明人：姬生钦;邓艳山 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;烽火超微信息科技有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： F04D27/00 文献下载
摘要：包括：在使用风扇进行降温的所有功耗器件中，选择一个功耗器件作为主调速器件，根据主调速器件进行风扇的占空比的计算；将除主调速器件以外的其他功耗器件作为辅调速器件，根据辅调速器件对占空比计算中的参数进行修正本发明在保证每一个功耗器件的降温需求的基础上，避免了根据多个功耗器件进行多次占空比计算的繁琐流程，简化了风扇调速流程，使风扇能够根据功耗器件的降温需求快速响应，从而保障功耗器件的正常运行。
一种风扇调速方法装置

[发明专利]一种印刷电路板中器件功耗显示和输出的方法及装置-CN201811318638.4在审
发明人：朱光;刘丹;曾照武 -专利权人：盛科网络（苏州）有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明揭示了一种印刷电路板中器件功耗显示和输出的方法及装置，方法包括将器件的功耗信息添加至原理图中相应的器件中，并将原理图中的功耗信息导入印刷电路板设计工具中；判断每个器件是否具有功耗信息，若有，则将器件的功耗信息在相应的器件上进行显示，并输出具有功耗信息的文件。本发明能够在印刷电路板设计时快速显示印刷电路板上各器件的功耗信息，同时还能够输出具有功耗信息的文件。
功耗信息印刷电路板输出印刷电路板设计器件功耗快速显示

[实用新型]无线电监测设备低功耗智能电源管控系统-CN202022852882.8有效
发明人：蔡元存;官超;张翼;漆骐;张笑语 -专利权人：成都华日通讯技术股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无线电监测设备低功耗智能电源管控系统，包括电池、电源开关电路、低功耗单片机、单片机专用电源芯片、ZYNQ器件专用电源芯片和ZYNQ器件，电池与电源开关电路、ZYNQ器件连接；电源开关电路与低功耗单片机、单片机专用电源芯片和ZYNQ器件专用电源芯片连接；所述单片机专用电源芯片与低功耗单片机连接；ZYNQ器件专用电源芯片与ZYNQ器件连接；低功耗单片机与ZYNQ器件和ZYNQ器件专用电源芯片连接。本实用新型通过ZYNQ器件与低功耗单片的通信，由低功耗单片机控制ZYNQ器件专用电源芯片使能或禁止使能，实现ZYNQ器件的上电或关电休眠，降低ZYNQ系统在空闲状态时的无效功耗。
无线电监测设备功耗智能电源系统

[实用新型]一种低功耗器件散热结构-CN202120688809.3有效
发明人：陈少烽;杨瑞国;卢建文;龙军平;曹太云;邓凯 -专利权人：深圳英飞源技术有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低功耗器件散热结构，散热结构包括基板、低功耗器件、第一散热结构、第二散热结构和第三散热结构；其中，低功耗器件安装于基板上，第一散热结构盖设于所述低功耗器件外部且第一散热结构与低功耗器件之间填充有导热介质，所述第一散热结构、第二散热结构、第三散热结构依次连接；本实用新型提出的低功耗器件散热结构，设计有对应于低功耗器件的第一散热结构，第一散热结构体积小，占用基板空间小；低功耗器件通过第一散热结构、第二散热结构和第三散热结构的连接进行热量传输并通过散热器进行散热
一种功耗器件散热结构

[实用新型]电路板和电磁炉-CN201721034328.0有效
发明人：龙开银;杨剑;史庭飞 -专利权人：浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： F24C7/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电路板和电磁炉，所述电路板(1)上设有IGBT(12)和低功耗器件(20)，其中，所述电路板(1)上划分有高功耗区(101)和低功耗区(201)，其中所述IGBT(12)位于所述高功耗区(101)中，所述低功耗器件(20)位于所述低功耗区(201)，且所述IGBT(12)与所述低功耗器件(20)之间的距离均大于30mm，本实用新型提供的电路板解决了现有电磁炉中电路板上低功耗器件受IGBT高温影响而造成低功耗器件易损坏的技术问题。
电路板电磁炉

[发明专利]一种应用安装的控制方法及终端-CN201510415145.2有效
发明人：辛将 -专利权人：深圳市金立通信设备有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： G06F8/61 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种应用安装的控制方法及终端，其中，该方法可以在获取目标应用的安装指令时，响应该安装指令，确定终端中可变功耗的目标器件；获取该目标器件的当前功耗参数；判断目标器件的当前功耗参数的功耗是否大于目标器件对应的目标功耗参数的功耗；若大于，则控制目标器件在该目标功耗参数下运行并安装该目标应用。
一种应用安装控制方法终端

[发明专利]面向超低功耗应用场景的半导体器件综合评估方法-CN201911225817.8有效
发明人：叶乐;王志轩;黄芊芊;王阳元;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向超低功耗应用场景的半导体器件综合评估方法，既考虑了器件的低功耗能力，又考虑了器件对电路性能(速度)的影响。该方法以具体电路的工作频率要求为性能标准，得到半导体器件刚好满足该工作频率的最小工作电压；以对照器件在给定工作频率对应的最小工作电压下的最小功耗作为功耗标准，既能得到待评估器件相较于对照器件是否具有低功耗优势的结论，又能得到待评估器件的优势“工作频率‑工作电压”范围。
面向功耗应用场景半导体器件综合评估方法

[发明专利]电子设备以及电子设备的控制方法-CN201780000435.8有效
发明人：尹甜;谭波;刘骁祖 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H04W4/80 文献下载
摘要：电子设备包括：第一数据选择器(1)、多个高功耗器件、低功耗定时器(2)以及模式控制器(3)；多个高功耗器件中包括微控制器(4)；第一数据选择器(1)的第一输出端连接于微控制器(4)的输入端，第二输出端连接于低功耗定时器(2)的输入端，选通控制端连接于模式控制器(3)；低功耗定时器(2)连接于多个高功耗器件中的若干个高功耗器件。采用该方法，在检测到低功耗切换命令时，关闭多个高功耗器件，以降低功耗，延长从设备的存活时间。
电子设备以及控制方法

[发明专利]嵌入式半导体器件的制作方法-CN200910247207.8有效
发明人：居建华;神兆旭;王文博 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式半导体器件的制作方法，具有以下几个特点：低功耗型半导体器件的NMOS管和PMOS管栅极大于预定宽度；分别对低功耗型半导体器件的NMOS管和PMOS管以及常规型半导体器件的NMOS管和PMOS管的栅极进行预掺杂；低功耗型半导体器件的NMOS管和PMOS管的LDD注入的剂量小于预定剂量；采用应力记忆工艺在低功耗型半导体器件的NMOS管、低功耗型半导体器件的PMOS管、常规型半导体器件的NMOS管和常规型半导体器件的PMOS管的栅极下方的沟道中产生张应力。该方法采用同一制作流程在同一晶圆上同时完成了常规型半导体器件和低功耗型半导体器件的制作，简化了半导体器件的制作流程。
嵌入式半导体器件制作方法

[发明专利]充电桩桩内温度检测系统和方法-CN202011536416.7有效
发明人：张银;江丙云;许增;吴俊;李德胜;郑隽一;张育铭 -专利权人：国创移动能源创新中心（江苏）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： B60L53/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种充电桩桩内温度检测系统和方法，其中，所述系统包括：电流检测模块、电阻检测模块、温度检测模块，电流检测模块、电阻检测模块、温度检测模块均对应充电桩桩内的功耗器件设置，以分别获取充电桩桩内的功耗器件的电流、电阻、实时温度，控制模块分别与电流检测模块、电阻检测模块和温度检测模块相连，控制模块根据电流和电阻计算充电桩桩内功耗器件的理论温度，并根据充电桩桩内功耗器件的理论温度和实际温度得到充电桩桩内功耗器件的点位温度和充电桩桩内的实时温度场本发明能够实时准确检测每个充电桩桩内每个功耗器件的温度，从而能够得到每个充电桩桩内所有功耗器件的实时温度场分布。
充电桩桩温度检测系统方法

[发明专利]射频器件的功耗预估方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202110952610.1在审
发明人：叶士宾;郑力元;叶瑞 -专利权人：深圳市万普拉斯科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01R21/00 文献下载
摘要：本申请涉及射频技术领域，提供一种射频器件的功耗预估方法、装置、计算机设备和存储介质。本申请无需实测射频器件的功耗，能够提高射频系统的设计开发效率。该方法包括：确定射频器件在第一射频系统中输出的目标输出功率，获取射频器件的输出功率与功耗的对应关系；该对应关系根据前述射频器件在第二射频系统中针对输出功率和功耗的多组测试值确定；基于该对应关系和目标输出功率预估射频器件在所述第一射频系统的功耗，在预估得到的功耗不满足要求时直接调整射频系统。
射频器件功耗预估方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种修正建立时间违反的方法、装置及系统-CN202011531396.4在审
发明人：韦秋初;黄运新 -专利权人：深圳大普微电子科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03K17/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种修正建立时间违反的方法、装置及系统，在对建立时间违反路径上的逻辑器件进行替换时，按照延迟功耗权重比从大到小的顺序依次将逻辑器件替换为替换逻辑器件，并在每次替换后将路径余量更新为路径余量与本次替换的替换逻辑器件的延迟减小量的和，直至更新后的路径余量大于0或者所有逻辑器件均被替换完。可见，该方法替换同类型逻辑器件的技术上，还考虑了替换逻辑器件的功耗，由于延迟功耗权重比越大，说明替换逻辑器件后获得的延迟收益大而增加的漏电功耗少，可见，按照延迟功耗权重比从大到小的顺序进行器件替换能够在较快修正建立时间的基础上还减少漏电功耗的增加
一种修正建立时间违反方法装置系统

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