专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种制备低表面活性氘化的方法-CN202010899949.5有效
  • 刘吉平;李年华 - 北京理工大学
  • 2020-08-31 - 2022-04-05 - C01B6/00
  • 本发明涉及一种制备低表面活性氘化的方法,属于材料科学与核技术领域。目的是为了解决氘化表面活性高,容易受到空气腐蚀,在高温条件下不稳定而导致应用困难的问题。所得改性氘化表面能够很好地覆盖一层均匀的聚脲,显著降低了氘化的表面活性,使其能够在自然环境中长久稳定的保存而不变质,并且在200℃以下不会与空气反应发生自燃现象,有利于氘化在高能量密度材料以及核材料中的应用,并可作为清洁能源的载体,打开世界能源应用新的大门;改性与制备方法简洁,改性试剂易得,操作简单;制备过程无三排放,并具有普适性,适合大规模生产。
  • 一种制备表面活性氘化方法
  • [发明专利]一种中高性能钕铁硼磁体及制备方法-CN202210437883.7在审
  • 卢阳春;卢汉洲;强傲生 - 浙江凯文磁业有限公司
  • 2022-04-25 - 2022-08-16 - H01F1/057
  • 本发明公开了一种中高性能钕铁硼及制备方法,通过主辅相双合金工艺,主相合金为低稀土总量的铁硼,辅相为高稀土总量的钕铁硼合金,避免主相轻稀土进入晶界,而辅相中富余的稀土进入晶界重构成富稀土相。将制备的磁体加工成薄磁片,磁控溅射HReM低熔点合金,实现了低温晶界扩散,该合金提高了晶界浸润性,也提高了富稀土相的流动性,使钕铁硼主、辅相晶粒,在晶界扩散时被快速隔离,低温扩散避免了扩散入的重稀土被镨钕元素置换,抑制了铁硼晶粒间交换耦合,使重稀土游离于晶界,或与富稀土相作用在主相晶粒表层形成核壳结构,使富稀土相连续均匀分布,有效提升了晶界扩散重稀土元素对提高磁体内禀矫顽力的效能。
  • 一种中高性能钕铁硼磁体制备方法
  • [发明专利]一种纳米氧化和氧化锆固溶体的制备方法-CN200910193336.3无效
  • 袁文辉;周辰辰;李莉 - 华南理工大学
  • 2009-10-27 - 2010-04-21 - C01G25/02
  • 本发明公开了一种纳米氧化和氧化锆固溶体的制备方法,属无机催化材料领域。该方法根据纳米氧化和氧化锆固溶体原料的配方,将占原料重量10~90%的离子化合物和占原料重量10~90%锆离子化合物分别溶于去离子水,都配置成浓度1~3M的溶液;将该两溶液混合后加碱性物质,调节pH值为7~10,生成沉淀,沉淀经热处理陈化,洗涤,离心过滤,得到滤饼;然后所得滤饼溶解于硝酸中,加入表面活性剂,得乳白色胶体;煅烧得到所制备的纳米氧化/氧化锆的复合氧化物。本发明制备出纳米大小的颗粒,改善了锆固溶体的显微结构,制得的纳米复合氧化物固溶体具有更好的热稳定性和更大的比表面积。
  • 一种纳米氧化氧化锆固溶体制备方法

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